離子半徑 | 第一電力能 | 熔點(diǎn) | 酸性 |
O2->Na+ | Si<S | NaCl<NaF | HClO4>H2SO4 |
分析 (1)Si的核電荷數(shù)是14,其核內(nèi)有14個(gè)質(zhì)子、核外有14個(gè)電子,核外有3個(gè)電子層、最外層有4個(gè)電子,主族元素原子核外電子層數(shù)與其周期數(shù)相等、最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相等;3He中有2個(gè)質(zhì)子、質(zhì)量數(shù)是3,中子數(shù)=質(zhì)量數(shù)-質(zhì)子數(shù);
(2)電子層結(jié)構(gòu)相同的離子,離子半徑隨著原子序數(shù)增大而減小;
同一周期元素,元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì),但第IIA族、第VA族第一電離能大于其相鄰元素;
離子晶體熔沸點(diǎn)與其晶格能成正比,晶格能與離子所帶電荷成正比、與離子半徑成反比;
元素的非金屬性越強(qiáng),其最高價(jià)氧化物的水化物酸性越強(qiáng);
(3)MgO是離子晶體,二氧化硅是原子晶體;
(4)Cl2和NaClO2發(fā)生氧化還原生成ClO2和NaCl.
解答 解:(1)Si的核電荷數(shù)是14,其核內(nèi)有14個(gè)質(zhì)子、核外有14個(gè)電子,核外有3個(gè)電子層、最外層有4個(gè)電子,主族元素原子核外電子層數(shù)與其周期數(shù)相等、最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相等,所以Si位于第三周期第IVA族;3He中有2個(gè)質(zhì)子、質(zhì)量數(shù)是3,中子數(shù)=質(zhì)量數(shù)-質(zhì)子數(shù)=3-2=1,
故答案為:三;IVA;1;
(2)電子層結(jié)構(gòu)相同的離子,離子半徑隨著原子序數(shù)增大而減小,氧離子和鈉離子核外電子層結(jié)構(gòu)相同,且原子序數(shù)O<Na,所以離子半徑 O2->Na+;
同一周期元素,元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì),但第IIA族、第VA族第一電離能大于其相鄰元素,所以第一電離能Si<S;
離子晶體熔沸點(diǎn)與其晶格能成正比,晶格能與離子所帶電荷成正比、與離子半徑成反比,氟離子半徑小于氯離子,所以熔點(diǎn) NaCl<NaF;
元素的非金屬性越強(qiáng),其最高價(jià)氧化物的水化物酸性越強(qiáng),非金屬性Cl>S,所以酸性HClO4>H2SO4,
故答案為:>;<;<;>;
(3)MgO的構(gòu)成微粒是陰陽(yáng)離子、二氧化硅的構(gòu)成微粒是原子,所以MgO是離子晶體,二氧化硅是原子晶體,故答案為:離子晶體;原子晶體;
(4)Cl2和NaClO2發(fā)生氧化還原生成ClO2和NaCl,離子方程式為2ClO2-+Cl2=2ClO2+2Cl-,故答案為:2ClO2-+Cl2=2ClO2+2Cl-.
點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)性質(zhì)相互關(guān)系及應(yīng)用,為高頻考點(diǎn),涉及氧化還原反應(yīng)、晶體類型判斷、元素周期律等知識(shí)點(diǎn),側(cè)重考查學(xué)生分析判斷及知識(shí)綜合運(yùn)用能力,明確原子結(jié)構(gòu)、物質(zhì)結(jié)構(gòu)、元素周期表結(jié)構(gòu)及元素周期律是解本題關(guān)鍵,難點(diǎn)是知識(shí)的靈活運(yùn)用,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:推斷題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Ag2S | B. | HgS | C. | HgCl2 | D. | AgCl |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 侯氏制堿法的主要原料是NaCl、CO2和NH3 | |
B. | Na2CO3的熱穩(wěn)定性低于NaHCO3 | |
C. | 該方法的副產(chǎn)物是NH4Cl | |
D. | 母液可循環(huán)利用 |
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