10．下列各組三種元素中，屬于同一周期的是（　　）
A．C、H、OB．F、Cl、BrC．Li、Be、BD．Si、S、P

分析 原子的核外電子層數(shù)相同時，則在元素周期表中位于同一周期，以此來解答．

解答 解：A、H只有1個電子層，而C、O有2個電子層，則不在同一周期，故A錯誤；
B、F有2個電子層，Cl有3個電子層，Br有4個電子層，則不在同一周期，故B錯誤；
C、Li、Be、B都有2個電子層，所以在同一周期，故C正確；
D、Si、P、S都有3個電子層，則在同一周期，故D正確；
故選DC．

點評 本題考查元素在周期表中的位置，明確原子的電子排布與元素在周期表中的位置關(guān)系是解答本題的關(guān)鍵，難度不大．

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：解答題

20．硝酸是工業(yè)上常見的三酸之一，在化學上有廣泛應(yīng)用．某稀硝酸和稀硫酸的混合溶液中C（NO3-）+C（SO42-）=0.5mol•L-1.100ml該混合酸最多能溶解銅的質(zhì)量為1.92g；其中，C（HNO3）：C（H2SO4）=2：3．

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

1．某飽和一元醛和飽和一元酮的混合物共0.1mol，質(zhì)量為5.8g，此混合物和足量的銀氨溶液發(fā)生銀鏡反應(yīng)可析出8.64g銀，則該混合物中的醛是（　�。�
A．HCHOB．CH3CHOC．CH3CH2CHOD．CH3CH2CH2CHO

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

18．下列各組分子中，都屬于含極性鍵的非極性分子的是（　　）
A．CO2 SO2B．C2H4 CH4C．C60   C2H4D．NH3    HCl

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5．下列關(guān)于工業(yè)生產(chǎn)的敘述中，錯誤的是（　�。�
A．制普通玻璃的主要原料是純堿、石灰石、石英
B．氨是制作氮肥、硝酸、銨鹽的重要原料
C．將氫氣和氯氣混合光照生成氯化氫，溶于水制得鹽酸
D．制造普通水泥的主要原料是黏土、石灰石

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

15．寫出符合下列要求的化學方程式：
（1）除去乙烷中混有的乙烯：C2H4+Br2→CH2BrCH2Br．
（2）由甲苯制備梯恩梯（TNT）：．
（3）苯甲醛為最簡單的芳香醛，通�？捎勉y氨溶液檢驗：C6H5CHO+2Ag（NH3）2OH$\stackrel{水浴加熱}{→}$C6H5COONH4+H2O+2Ag↓+3NH3↑．
（4）2-氯丙烷與NaOH乙醇溶液共熱的反應(yīng)：CH3CHClCH3+NaOH$→_{△}^{醇}$CH3CH=CH2↑+NaCl+H2O．
（5）利用純堿溶液鑒別乙醇中是否混有乙酸：2CH3COOH+Na2CO3=2CH3COONa+CO2↑+H2O．

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

2．下列物質(zhì)屬于強電解質(zhì)的是（　　）
A．CH3COOHB．BaSO4C．NH3H2OD．SO3

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科目：高中化學 來源： 題型：選擇題

19．用惰性電極實現(xiàn)電解，下列說法正確的是（　�。�
A．電解稀硫酸溶液，實質(zhì)上是電解水，故溶液的pH不變
B．電解稀氫氧化鈉溶液，要消耗OH-，故溶液的pH減小
C．電解氯化鉀溶液，在陰極上和陽極上析出的產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為1：1
D．電解硫酸鈉溶液，在陰極上和陽極上析出的產(chǎn)物的物質(zhì)的量之比為1：2

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科目：高中化學 來源： 題型：解答題

20．高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料．

（1）硅元素位于周期表的位置第三周期第ⅣA族．下面有關(guān)硅材料的說法中正確的是BCD（填字母）．
A．碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料---光導纖維
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，故在玻璃尖口點燃H2時出現(xiàn)黃色火焰
E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（2）工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅．已知：圖1
請將以下反應(yīng)的熱化學方程式補充完整：SiO2（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=+638.4 kJ•mol-1
（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷（SiH4），硅烷分解生成高純硅．已知硅烷的分解溫度遠低于甲烷，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：C和Si最外層電子數(shù)相同，C原子半徑小于Si，Si元素的非金屬性弱于C元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷．
（4）將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl3），進一步反應(yīng)也可制得高純硅．
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等雜質(zhì)對晶體硅的質(zhì)量有影響．根據(jù)下表數(shù)據(jù)，可用蒸餾（或分餾） 方法提純SiHCl3．
物質(zhì)SiHCl3SiCl4AsCl3
沸點/℃32.057.5131.6
②用SiHCl3制備高純硅的反應(yīng)為SiHCl3（g）+H2（g） $\stackrel{一定條件下}{?}$Si（s）+3HCl（g），不同溫度下，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如圖所示．下列說法正確的是ac（填字母序號）．

a．該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大 
 b．橫坐標表示的投料比應(yīng)該是$\frac{n（SiHC{l}_{3}）}{n（{H}_{2}）}$
c．實際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率，應(yīng)適當升高溫度
③整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學反應(yīng)方程式：SiHCl3+3H2O═H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑．

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