Question

核外電子是有規(guī)律地進(jìn)行排布的，它們分層排布在K、L、M、N、O…層上，下列敘述正確的是（ ）
A．K層上容納的電子數(shù)只能是2個(gè)
B．K層上容納的電子數(shù)可以超過(guò)2個(gè)
C．L層上最多只能容納8個(gè)電子
D．最外層上容納的電子數(shù)可以超過(guò)8個(gè)

Answer 1

【答案】分析：A、K層有1個(gè)軌道（叫s軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子．
B、K層有1個(gè)軌道（叫s軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子．
C、L層有4個(gè)軌道（1個(gè)s軌道，3個(gè)p軌道），共8電子．
D、由于能級(jí)交錯(cuò)的原因，End＞E（n+1）s．當(dāng)ns和np充滿時(shí)（共4個(gè)軌道，最多容納8個(gè)電子），多余電子不是填入nd，而是首先形成新電子層，填入（n+1）s軌道中．
解答：解：A、K層有1個(gè)軌道（叫s軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子，可以容納1個(gè)電子，如H原子，可以容納2個(gè)電子如氦原子，故A錯(cuò)誤；
B、K層有1個(gè)軌道（叫s軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子，K層上容納的電子數(shù)不能超過(guò)2個(gè)，故B錯(cuò)誤；
C、L層有4個(gè)軌道（1個(gè)s軌道，3個(gè)p軌道），1個(gè)軌道最多可以容納自旋方向相反的2個(gè)電子，故L層最多容納8個(gè)電子，故C正確；
D、由于能級(jí)交錯(cuò)的原因，End＞E（n+1）s．當(dāng)ns和np充滿時(shí)（共4個(gè)軌道，最多容納8個(gè)電子），多余電子不是填入nd，而是首先形成新電子層，填入（n+1）s軌道中，因此最外層電子數(shù)不可能超過(guò)8個(gè)，故D錯(cuò)誤．
故選：C．
點(diǎn)評(píng)：考查學(xué)生對(duì)核外電子排布規(guī)律的理解，難度不大，注意D選項(xiàng)中核外電子排布能級(jí)交錯(cuò)，由于E（n-1）f＞E（n+1）s＞Enp，解釋為什么次外層電子數(shù)不超過(guò)18個(gè)．