實驗序號 | 實驗方法 | 實驗現象 | 結論 |
① | 將氯水滴加到AgNO3溶液中 | 生成白色沉淀 | |
② | 將氯水滴加到含有酚酞的NaOH溶液中 | ||
③ | 淀粉-KI試紙變藍色 | 氯水中含有Cl2 | |
④ | 將足量的氯水滴加到Na2CO3溶液中 | 氯水中含有H+ |
科目:高中化學 來源:2013-2014學年云南省部分名校高三第一次聯考(11月)理綜化學試卷(解析版) 題型:實驗題
高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料,是制備半導體的重要材料,它的發(fā)現和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備:用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含Fe、Al、B、P等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度為450~500℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。
相關信息:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物;c.有關物質的物理常數見下表:
物質 |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
沸點/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
熔點/℃ |
-70.0 |
-107.2 |
— |
— |
— |
升華溫度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
請回答下列問題:
(1)儀器e的名稱為 ,裝置A中f管的作用是 ,其中發(fā)生反應的離子方程式為 。
(2)裝置B中的試劑是 。
(3)某學習小組設計了以下兩種實驗方案:方案甲:g接裝置Ⅰ;方案乙:g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內裝置均有不足之處,請你評價后填寫下表。
方案 |
不足之處 |
甲 |
|
乙 |
|
(4)在上述(3)的評價基礎上,請設計一個合理方案: 。
(5)通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是 (填寫元素符號)。
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科目:高中化學 來源:2014屆甘肅省高三上學期期中考試理綜化學試(解析版) 題型:實驗題
高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料,是制備半導體的重要材料,它的發(fā)現和使用曾引起計算機的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備:用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含Fe、Al、B、P等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度為450~500℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。
相關信息:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應的氯化物;c.有關物質的物理常數見下表:
物質 |
SiCl4 |
BCl3 |
AlCl3 |
FeCl3 |
PCl5 |
沸點/℃ |
57.7 |
12.8 |
— |
315 |
— |
熔點/℃ |
-70.0 |
-107.2 |
— |
— |
— |
升華溫度/℃ |
— |
— |
180 |
300 |
162 |
請回答下列問題:
(1)儀器e的名稱為____________,裝置A中f管的作用是_______________________________________,其中發(fā)生反應的離子方程式為_____ ____________________________________ _______。
(2)裝置B中的試劑是____________。
(3)某學習小組設計了以下兩種實驗方案:方案甲:g接裝置Ⅰ;方案乙:g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內裝置均有不足之處,請你評價后填寫下表。
方案 |
不足之處 |
甲 |
|
乙 |
|
(4)在上述(3)的評價基礎上,請設計一個合理方案:___________ ________ 。
(5)通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是 (填寫元素符號)。
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