實(shí)現(xiàn)下列變化時(shí),需要克服相同類(lèi)型作用力的是
A.水晶和干冰的熔化B.食鹽和醋酸鈉的熔化
C.液溴和液汞的汽化D.HCl和NaCl溶于水
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

【化學(xué)一一選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】 (15分)
已知A、B、C、D都是元素周期表中前36號(hào)的元素,它們的原子序數(shù)依次增大。A原子核外部分電子排布式為:NsnNpn;B原子核外2P軌道有3個(gè)未成對(duì)電子:C原子核外S能級(jí)電子總數(shù)和P能級(jí)電子總數(shù)相同,且P能級(jí)成對(duì)電子數(shù)等于未成對(duì)電子數(shù):D原子核外M層全充滿,N層只有1個(gè)電子。
請(qǐng)回答:
(1)B元素外圍電子排布圖為:                
(2)A、B、C的第一電離能由大到小順序?yàn)?u>         ,電負(fù)性由大到小順序?yàn)?u>               (用元素符號(hào)回答)。
(3)B和C兩元素形成的陰離子BC-3中B的雜化類(lèi)型為        ,空間構(gòu)型為     。
(4)與BC-3互為等電子體且含有A、C兩元素的微粒是        。(寫(xiě)化學(xué)式)
(5)比較A、B的氫化物在水中溶解度大小并說(shuō)明原因             。
(6)D元素基態(tài)原子電子排布     ,該元素單質(zhì)形成的晶體晶胞如圖所示,則D元素單質(zhì)的堆積方式為     ,已知D原子半徑為r,相對(duì)原子質(zhì)量為Mr,則D元素單質(zhì)的密度可表示為       。(用NA表示阿伏加德羅常數(shù))

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列說(shuō)法中正確的是
A.全部由極性鍵構(gòu)成的分子一定是極性分子
B.非極性分子中一定沒(méi)有極性鍵
C.離子晶體中一定沒(méi)有共價(jià)鍵
D.分子晶體中一定沒(méi)有離子鍵

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列說(shuō)法正確是                                                   (   )
①所有基態(tài)原子核外電子排布都遵循構(gòu)造原理
②同一周期從左到右,元素第一電離能、電負(fù)性都是越來(lái)越大
③所有化學(xué)鍵和氫鍵都具有相同特征:方向性和飽和性
④所有配合物都存在配位鍵,所有含配位鍵的化合物都是配合物
⑤所有含極性鍵的分子都是極性分子
⑥所有離子晶體中都含有離子鍵
⑦所有金屬晶體熔點(diǎn)肯定高于分子晶體
A.①②B.⑥C.③④⑤D.①②⑥

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體(如圖)。其中含20個(gè)等邊三角形和一定數(shù)量的頂角,每個(gè)頂角上各有一個(gè)原子。試觀察推斷這個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元所含B原子數(shù),B—B鍵個(gè)數(shù)及鍵角正確的一組是
A.20個(gè),60個(gè),360°B.12個(gè),30個(gè),60°
C.9個(gè),18個(gè),45°D.18個(gè),54個(gè),90°

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列敘述正確的是(   )
A.液晶是由分子較大、分子形狀呈長(zhǎng)形或碟形的物質(zhì)形成的晶體
B.制造光導(dǎo)纖維的主要材料是高純度硅,屬于原子晶體
C.H2O分子比H2S分子穩(wěn)定是因?yàn)樗肿又g存在氫鍵
D.NaCl和MgO晶體熔融時(shí)克服的作用力相同

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

(8分) 現(xiàn)有下列晶體, 請(qǐng)按要求回答相應(yīng)問(wèn)題。(前六個(gè)小題用編號(hào)填空)
A.干冰B.晶體硅C.氬D.二氧化硅 E.氯化銨
(1)通過(guò)非極性鍵形成的晶體是      。
(2)屬于非電解質(zhì)且熔化時(shí)只需破壞分子間作用力的是      
(3)屬于分子晶體,且分子為直線型結(jié)構(gòu)的是       。
(4)不含任何化學(xué)鍵的晶體是   
(5)固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的是       。
(6)含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵的化合物是     
(7)已知石墨在一定條件下可將D還原成B,反應(yīng)方程式為SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的鍵能為a,SiO2中Si—O的鍵能為b,晶體硅中Si—Si的鍵能為c,CO的鍵能為d,請(qǐng)用a、b、c、d表示生成晶體硅時(shí)的反應(yīng)熱△H=                   

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

(12分)本題包括A、B兩小題,分別對(duì)應(yīng)于“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”和“實(shí)驗(yàn)化學(xué)”兩個(gè)選修模塊的內(nèi)容。請(qǐng)選定其中一題,并在相應(yīng)的答題區(qū)域內(nèi)作答。若兩題都做,則按A題評(píng)分。
A.乙炔是有機(jī)合成工業(yè)的一種原料。工業(yè)上曾用與水反應(yīng)生成乙炔。
(1) 互為等電子體,的電子式可表示為        ;1mol 中含有的鍵數(shù)目為           。
(2)將乙炔通入溶液生成紅棕色沉淀。基態(tài)核外電子排布式為                         。
(3)乙炔與氫氰酸反應(yīng)可得丙烯腈。丙烯腈分子中碳原子軌道雜化類(lèi)型是                ;分子中處于同一直線上的原子數(shù)目最多為                  。
(4) 晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與晶體相似(如圖所示),但晶體中含有的中啞鈴形的存在,使晶胞沿一個(gè)方向拉長(zhǎng)。晶體中1個(gè)周?chē)嚯x最近的數(shù)目為              。

B.對(duì)硝基甲苯是醫(yī)藥、染料等工業(yè)的一種重要有機(jī)中間體,它常以濃硝酸為硝化劑,濃硫酸為催化劑,通過(guò)甲苯的硝化反應(yīng)制備。

一種新的制備對(duì)硝基甲苯的實(shí)驗(yàn)方法是:以發(fā)煙硝酸為硝化劑,固體NaHSO4為催化劑(可循環(huán)使用),在溶液中,加入乙酸酐(有脫水作用),45℃反應(yīng)1h 。反應(yīng)結(jié)束后,過(guò)濾,濾液分別用5% NaHCO3,溶液、水洗至中性,再經(jīng)分離提純得到對(duì)硝基甲苯。
(l)上述實(shí)驗(yàn)中過(guò)濾的目的是                 。
(2) 濾液在分液漏斗中洗滌靜置后,有機(jī)層處于       層(填“上”或'下”);放液時(shí),若發(fā)現(xiàn)液體流不下來(lái),其可能原因除分液漏斗活塞堵塞外,還有             。
(3) 下列給出了催化劑種類(lèi)及用量對(duì)甲苯硝化反應(yīng)影響的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
催化劑
n(催化劑)
硝化產(chǎn)物中各種異構(gòu)體質(zhì)量分?jǐn)?shù)(%)
總產(chǎn)率(%) 
n(甲苯)
對(duì)硝基甲苯
鄰硝基甲苯
間硝基甲苯
濃H2SO4
1.0
35.6
60.2
4.2
98.0
1.2
36.5
59.5
4.0
99.8
NaHSO4
0.15
44.6
55.1
0.3
98.9
0.25
46.3
52.8
0.9
99.9
0.32
47.9
51.8
0.3
99.9
0.36
45.2
54.2
0.6
99.9
NaHSO4催化制備對(duì)硝基甲苯時(shí),催化劑與甲苯的最佳物質(zhì)的量之比為              。
②由甲苯硝化得到的各種產(chǎn)物的含量可知,甲苯硝化反應(yīng)的特點(diǎn)是                    。
③與濃硫酸催化甲苯硝化相比,NaHSO4催化甲苯硝化的優(yōu)點(diǎn)有_        、         。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

下列關(guān)于晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是(     )
A.每摩爾Si晶體中,含有2摩爾Si-Si共價(jià)鍵
B.在CO2晶體中,與每個(gè)CO2分子周?chē)o鄰的有12個(gè)CO2分子
C.在CsCl晶體中,與每個(gè)Cs+周?chē)o鄰的有8個(gè)Cl-,而與每個(gè)Cs+等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+
D.在簡(jiǎn)單立方堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周?chē)o鄰的有6個(gè)金屬原子

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