下列說法中正確的是
A．第ⅤA族與第ⅦA族的短周期元素的原子間構(gòu)成的所有分子，其原子均滿足最外層8電子結(jié)構(gòu)
B．第ⅠA族元素單質(zhì)熔沸點隨著核電荷數(shù)的遞增而升高
C．因為F的非金屬性強于Cl，所以HF的酸性強于HCl
D．離子半徑：r(S2-)＞r(O2-)＞r(Na+)＞r(Al3+)
D

試題分析：A、PCl5中P最外層10電子，錯誤；B、氫氣是氣體，堿金屬隨著核電荷數(shù)的遞增而降低，錯誤；C、HF的酸性弱于HCl，錯誤。D、離子半徑：r(S2-)有三個電子層， r(O2-)、r(Na+)、r(Al3+)電子層結(jié)構(gòu)相同，序數(shù)越大半徑越小，正確。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

已知A、B、C、D、E、F、G都是元素周期表中短周期主族元素，它們的原子序數(shù)依次增大。A是周期表中原子半徑最小的元素，D3B中陰、陽離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，B、C均可分別與A形成10個電子分子，B、C屬同一周期，兩者可以形成許多種共價化合物，C、F屬同一主族，B原子最外電子層的p能級上的電子處于半滿狀態(tài)，C的最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍，E最外層電子數(shù)比最內(nèi)層多1。請用具體的元素回答下列問題：
（1）E元素原子基態(tài)電子排布式        。
（2）用電子排布圖表示F元素原子的價電子構(gòu)型      。
（3）F、G元素對應(yīng)的最高價含氧酸中酸性較強的分子式為        。
（4）離子半徑D+       B3—，第一電離能B         C，電負(fù)性C         F
（填“<”、“>”或“=”）。
（5）A、C形成的一種綠色氧化劑X有廣泛應(yīng)用，X分子中A、C原子個數(shù)比1∶1，X的電子式為        ，試寫出Cu、稀H2SO4與X反應(yīng)制備硫酸銅的離子方程式                                         。
（6）寫出E與D的最高價氧化物對應(yīng)的水化物反應(yīng)的化學(xué)方程式               。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

下表是元素周期表的一部分，根據(jù)要求回答下列問題。
       族
周期
ⅠA
ⅡA
ⅢA
ⅣA
ⅤA
ⅥA
ⅦA
O
2
 
 
 
E
H
F
I
 
3
A
C
D
 
 
 
G
R
4
B
 
 
 
 
 
 
 
 
（1）十種元素中化學(xué)性質(zhì)最不活潑的元素是________（填元素符號）。
（2）A、C、D三種元素的氧化物對應(yīng)的水化物，其中堿性最強的是________（填化學(xué)式）。
（3）I元素跟A元素形成化合物的電子式是________。高溫灼燒該化合物時，火焰呈________色。
（4）G的單質(zhì)和B的最高價氧化物對應(yīng)水化物反應(yīng)的離子方程式是__________________。
元素A和F能形成兩種化合物，寫出其中較穩(wěn)定的化合物與CO2反應(yīng)生成氧氣的化學(xué)方程式                               ________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

短周期元素X、Y、z、W的原子序數(shù)依次增大，x原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的3倍，Y原子最外層只有2個，Z的氧化物可做光纖電纜材料，W與X屬于同一主族。下列敘述正確的是(  )
A．元素W的氫化物的熱穩(wěn)定性比X弱，因為X的氫化物分子間存在氫鍵
B．四種元素形成的最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性最強的是W
C．他合物YX、ZX2、WX3中化學(xué)鍵類型相同
D．原子半徑的大小順序：r(Y)>r(Z)>r(X)>r(W)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

據(jù)報道，用10B合成的10B20有較好的抗癌作用。下列敘述正確的是
A．10B20是一種新型化合物B．10B的中子數(shù)和核外電子數(shù)相等
C．10B20晶體熔點高，硬度大D．10B和10B20互為同位素

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

短周期主族元素X、Y、Z、W、Q的原子序數(shù)依次增大，X的氣態(tài)氫化物極易溶于Y的氫化物中，常溫下，Z的單質(zhì)能溶于W的最高價氧化物的水化物的稀溶液，卻不溶于其濃溶液。下列說法不正確的是
A．離子半徑的大小順序為W>Q>Z>X>Y
B．元素X的氣態(tài)氫化物與Q的單質(zhì)可發(fā)生置換反應(yīng)
C．元素X與Y可以形成5種以上的化合物
D．元素Z、W、Q的單質(zhì)在一定條件下均能和強堿溶液反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列比較中正確的是
A．金屬性：Mg＞Al＞NaB．原子半徑：S＞O＞F
C．堿性：KOH＞Mg(OH)2＞NaOHD．氫化物的穩(wěn)定性：HBr＞HCl＞PH3

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列分子中所有原子都滿足最外層為8個電子結(jié)構(gòu)的是
A．BF3B．H2OC．SiCl4D．PCl5

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D是元素周期表前四周期常見的四種元素，原子序數(shù)依次增大， 它們的相關(guān)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)信息如下表所示，請結(jié)合相關(guān)信息，完成相關(guān)的問題：
元素
相關(guān)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
A
A為非金屬元素，其一種單質(zhì)是電的良導(dǎo)體，難熔、質(zhì)軟并有潤滑性，可用作電極材料
B
是蛋白質(zhì)的組成元素之一，原子核外有三種不同能量的電子，且未成對電子數(shù)最多
C
其單質(zhì)既能與強酸溶液應(yīng)又能與強堿溶液反應(yīng)，其簡單離子在第三周期單核離子中半徑最小
D
D的高價氯化物的鹽溶液常用于印刷電路極電路的“刻蝕”
 
（1）D位于元素周期表第  周期第  族，其基態(tài)原子核外價電子排布式為               ；元素D的高價氯化物形成的鹽溶液刻蝕印刷電路板電路所發(fā)生反應(yīng) 的離子方程式為                      ；
（2）鈉與B元素形成的Na3B晶體屬于       晶體（填“分子”、“原子”、“離子”）。 分析B元素的氣態(tài)氫化物極易溶于水的原因，除了因為它們均是極性分子之外，還因為                               ；
（3）元素A與元素B相比，非金屬性較強的是         （用元素符號表示），可以作為判斷兩者非金屬性強弱的依據(jù)的是        。
a．常溫下A的單質(zhì)和B的單質(zhì)狀態(tài)不同
b．該兩種原子形成的共價鍵中共用電子對的偏向
c．最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性強弱
d．單質(zhì)與酸反應(yīng)的難易程度
（4）已知毎5.4g元素C的單質(zhì)可與元素D的低價氧化物反應(yīng)，放出346.2kJ的熱量。試寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：                                            。

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