現(xiàn)有A.二氧化硅B.三氧化二鐵C.二氧化硫D.三氧化二鋁。請(qǐng)你根據(jù)已有的知識(shí),選擇合適的物質(zhì),用字母代號(hào)填空:
(1)能形成酸雨的是________;(2)光纖制品的基本原料________;
(3)屬于兩性氧化物的是________;(4)紅棕色固體是________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年河北省高三3月摸底考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
現(xiàn)有A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大的六種元素,它們位于元素周期表的前四周期。B元素含有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同;D的原子核外有8個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子;E元素與F元素處于同一周期相鄰的族,它們的原子序數(shù)相差3,且E元素的基態(tài)原子有4個(gè)未成對(duì)電子。請(qǐng)回答下列問題:
(1)用元素符號(hào)表示B、C、D三種元素的第一電離能由低到高的順序?????? 。
(2)下列說法錯(cuò)誤的是??????? 。
A.二氧化硅的相對(duì)分子質(zhì)量比二氧化碳大,所以沸點(diǎn):SiO2>CO2
B.電負(fù)性順序:C<N<O<F
C.N2與CO為等電子體,化學(xué)性質(zhì)相似
D.由于水分子間存在氫鍵,所以穩(wěn)定性:H2O>H2S
(3)E元素的+2價(jià)氧化物的熔點(diǎn)比+3價(jià)氧化物???????? (高或低),
原因是?????????? 。
(4)B單質(zhì)的一種同素異形體的晶胞如圖所示,若晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶體中最近的兩個(gè)原子之間的距離為??????? cm。
(5)F離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子,人工模擬酶是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。
①F原子的外圍電子排布式為________ __。向F的硫酸鹽溶液中通入過量C與A形成的氣體N,可生成[F(N)4]2+,該離子的結(jié)構(gòu)式為??????? (用元素符號(hào)表示)。
②某化合物與F(Ⅰ)(Ⅰ表示化合價(jià)為+1)結(jié)合形成圖1所示的離子:該離子中碳原子的雜化方式有?????? 。
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年山西省四校高三第四次聯(lián)考理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
現(xiàn)有A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大的六種元素,它們位于元素周期表的前四周期。B元素含有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同;D的原子核外有8個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子;E元素與F元素處于同一周期相鄰的族,它們的原子序數(shù)相差3,且E元素的基態(tài)原子有4個(gè)未成對(duì)電子。請(qǐng)回答下列問題:
(1)用元素符號(hào)表示B、C、D三種元素的第一電離能由低到高的順序?????? 。
(2)下列說法錯(cuò)誤的是??????? 。
A.二氧化硅的相對(duì)分子質(zhì)量比二氧化碳大,所以沸點(diǎn):SiO2>CO2
B.電負(fù)性順序:C<N<O<F
C.N2與CO為等電子體,化學(xué)性質(zhì)相似
D.由于水分子間存在氫鍵,所以穩(wěn)定性:H2O>H2S
(3)E元素的+2價(jià)氧化物的熔點(diǎn)比+3價(jià)氧化物???????? (高或低),原因是?????????? 。
(4)B單質(zhì)的一種同素異形體的晶胞如圖所示,若晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶體中最近的兩個(gè)原子之間的距離為??????? cm。
(5)F離子是人體內(nèi)多種酶的輔因子,人工模擬酶是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。
①F原子的外圍電子排布式為____ 。向F的硫酸鹽溶液中通入過量C與A形成的氣體N,可生成【F(N)4】2+,該離子的結(jié)構(gòu)式為??????? (用元素符號(hào)表示)。
②某化合物與F(Ⅰ)(Ⅰ表示化合價(jià)為+1)結(jié)合形成圖1所示的離子:該離子中碳原子的雜化方式有?????? 。
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