短周期元素X、Y、Z、W在元素周期表中的相對位置如圖所示,其中W原子的最外層電子數(shù)是最內(nèi)層電子數(shù)的3倍。下列判斷正確的是(     )

A.原子半徑:rW>rZ>rY>rX
B.含Y元素的鹽溶液一定顯酸性
C.最簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性:Z>W(wǎng)
D.X與氫元素組成的化合物XH5與水反應可產(chǎn)生兩種氣體

D

解析試題分析:根據(jù)“短周期元素W原子的最外層電子數(shù)是最內(nèi)層電子數(shù)的3倍”和四種元素的位置關(guān)系圖說明W元素為硫元素,從而確定X為氮元素,Y為鋁元素,Z為硅元素;A項原子半徑大小正確關(guān)系為rY>rZ>rW>rX,錯誤;B項鋁元素形成的偏鋁酸鹽水解能使溶液顯堿性,錯誤;C項硫元素的非金屬性比硅元素強,即氫化物的穩(wěn)定性為H2S>SiH4,錯誤;D項NH5即為NH4H,與反應可生成NH3和H2,正確。
考點:元素周期表,原子半徑大小比較、鹽的水解,氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性(元素的非金屬性),氧化還原反應(歸中反應)。

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中化學 來源: 題型:單選題

O、W、X、Y、Z五種短周期元素在元素周期表中的相對位置如圖所示,W是大氣中含量最高的元素,由此可知   

A.Q的一種核素中的質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)相等
B.X的最高正化合價與最低負化合價的絕對值之差為6
C.Y是常見的半導體材料
D.Z的氧化物的水化物是強酸

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

X 、Y、 Z、 W是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素,A、B、C、D、F有其中的兩種或三種元素組成的化合物,E是由Z元素形成的單質(zhì),0.1mol·L-1D溶液的pH為13()。它們滿足如圖轉(zhuǎn)化關(guān)系,則下列說法正確的是( )

A.原子半徑W>Z>Y>X
B.化合物F中含有共價鍵和離子鍵
C.在B和C的反應中,氧化劑是B,還原劑是C
D.Z元素的最高正價為+6

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

與氫氧根具有相同的質(zhì)子數(shù)和電子數(shù)的微粒是

A.CH4 B.NH4+ C.NH2- D.Cl- 

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

已知X、Y、Z都是短周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大,X原子的電子層數(shù)與它的核外電子總數(shù)相等,而Z原子的最外層電子數(shù)是次外層的3倍,Y和Z可以形成兩種以上氣態(tài)化合物,則下列說法錯誤的是(  )

A.Y和Z可以組成一種Y和Z的質(zhì)量比為7∶8的化合物 
B.X、Y、Z可以組成一種鹽 
C.X和Z可以組成原子個數(shù)比分別為1∶1和2∶1常溫下呈液態(tài)的兩種化合物 
D.由X、Y、Z三種元素中的任意兩種組成的10電子微粒只有2種 

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

已知短周期元素的離子aA2+bB+、cC3-、dD-都具有相同的電子層結(jié)構(gòu),則下列敘述中正確的是( )

A.離子半徑:C>D>B>A B.原子序數(shù):d>c>b>a
C.原子半徑:A>B>C>D D.單質(zhì)的還原性:A>B>D>C

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

甲、乙是周期表中同一主族的兩種元素,若甲的原子序數(shù)為X,則乙的原子序數(shù)不可能為    (  )

A.X+32 B.X+4 C.X+8 D.X+18

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

在一定條件下,RO與R可發(fā)生反應:RO+5R+6H===3R2+3H2O,下列關(guān)于R元素的敘述中,正確的是(  )

A.元素R位于周期表中第ⅤA族
B.RO中的R只能被還原
C.CaR2是離子化合物,陰陽離子電子層結(jié)構(gòu)相同,且既含有離子鍵,又含有共價鍵
D.3 mol R2中,氧化產(chǎn)物與還原產(chǎn)物的質(zhì)量比為5︰1

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

已知X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的短周期元素,這些元素的其他信息如下表。下列說法正確的是

元素
信息
X
K層電子數(shù)是L層電子數(shù)的2倍
Y
一種核素在考古時常用來鑒定一些文物的年代
Z
所處的周期序數(shù)與族序數(shù)相等
W
最高價氧化物對應的水化物酸性最強
A.W的陰離子半徑大于Z的陽離子半徑
B.Y的氫化物比W的氫化物穩(wěn)定
C.Z的最高價氧化物對應的水化物不能夠溶于Y的最高價氧化物對應的水化物
D.X在氧氣中加熱反應生成X2O2

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