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（選修—物質結構與性質）(12分）

X、Y、Z三種元素，原子序數(shù)依次增大，它們的原子序數(shù)之和為43。其中，Y原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的三倍。X、Y元素的單質都是構成空氣的主要成分。

（1）Z原子的價層電子排布式為____________；XY3-離子的空間構型為__________。

（2）X單質與Y單質直接發(fā)生化合反應的化學方程式_________________________。

（3）ZO（氧化物）、FeO晶體結構類型均與NaCl的相同，Z2+和Fe2+離子半徑分別為69pm和78pm，則熔點ZO_____           FeO（填“<”或“>” ）。

（4）ZO晶體中Z2+的配位數(shù)為____________。

（5）化合物A常用于檢驗Z2+：在稀氨水介質中，A與Z2+

反應可生成鮮紅色沉淀，其結構如圖所示：

① 該結構中，碳碳之間的共價鍵類型是______（“σ鍵”

或“π鍵”）；X與Z2+離子間形成的是配位鍵，在圖

上標出配位鍵的電子給予的方向。

② 該結構中，Y原子與氫原子除了形成共價鍵外，

還可存在_______                ；

該結構中，碳原子的雜化軌道類型有_____；Y原子的雜化軌道類型為_____。

 

【答案】

 

【解析】略

 

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

（2009?南平二模）【化學--選修物質結構與性質】
氮元素可形成鹵化物、疊氮化物及絡合物等．
（1）NF3構型為三角錐體，沸點-129℃；可在銅催化作用下由F2和過量NH3反應得到．
NF3屬于
分子
分子
晶體，寫出制備 NF3的化學反應方程式：
4NH3+3F2
 銅 
.
 
NF3+3NH4F
4NH3+3F2
 銅 
.
 
NF3+3NH4F
．
（2）氫疊氮酸（HN3）是一種弱酸，它的酸性類似于醋酸，微弱電離出H+和N3-．
①與N3-互為等電子體的分子、離子有：
N2O或CO2或CS2或BeCl2
N2O或CO2或CS2或BeCl2
、
SCN-或OCN-或CNO-
SCN-或OCN-或CNO-
（各舉1例），由此可推知N3-的空間構型是
直線
直線
型．
②疊氮化物、氰化物能與Fe3+及Cu2+及Co3+等形成絡合物，如：Co[（N3）（NH3）5]SO4、Fe（CN）64-．寫出鈷原子在基態(tài)時的價電子排布式：
3d74s2
3d74s2
．
Co[（N3）（NH3）5]SO4中鈷的配位數(shù)為
6
6
，CN-中C原子的雜化類型是
sp
sp
．
（3）化學式為Pt（NH3）2Cl2的化合物有兩種異構體，其中一種異構體具有水的可溶性，則此種化合物是
極性
極性
（填“極性”、“非極性”）分子．
（4）由疊氮化鈉（NaN3）熱分解可得純N2：2NaN3（s）=2Na（l）+3N2（g），有關說法正確的是
BC
BC

A．NaN3與KN3結構類似，前者晶格能較小
B．第一電離能（I1）：N＞P＞S
C．鈉晶胞結構如圖，該晶胞分攤2個鈉原子
D．氮氣常溫下很穩(wěn)定，是因為氮的電負性小．

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科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

[化學--選修物質結構與性質]
已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的原子序數(shù)依次增大．其中A、C原子的L層有2個未成對電子．D與E同主族，D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構．F3+離子M層3d軌道電子為半滿狀態(tài)．請根據(jù)以上情況，回答下列問題：（答題時，用所對應的元素符號表示）
（1）寫出F原子的電子排布式
1s22s22p63s23p63d64s2
1s22s22p63s23p63d64s2
，F(xiàn)位于周期表
d
d
區(qū)．
（2）A、B、C的第一電離能由小到大的順序為
N＞O＞C
N＞O＞C
．
（3）F和M（質子數(shù)為25）兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表：
元    素 M F
電能
（kJ?mol-1）		 I1 717 759
I2 1509 1561
I3 3248 2957
比較兩元素的I2、I3可知，氣態(tài)M2+再失去一個電子比氣態(tài)F2+再失去一個電子難．對此，你的解釋是
Mn2+的3d軌道電子排布為半滿狀態(tài)較穩(wěn)定
Mn2+的3d軌道電子排布為半滿狀態(tài)較穩(wěn)定
、
而Fe2+的3d軌道電子數(shù)為6，不是較穩(wěn)定狀態(tài)
而Fe2+的3d軌道電子數(shù)為6，不是較穩(wěn)定狀態(tài)
；
（4）已知F晶體的堆積方式與金屬鉀相同，則F晶胞中F原子的配位數(shù)為
8
8
，一個晶胞中F原子的數(shù)目為
2
2
．
（5）H2S和C元素的氫化物（分子式為H2C2）的主要物理性質比較如下：
熔點/K 沸點/K 標準狀況時在水中的溶解度
H2S 187 202 2.6
H2C2 272 423 以任意比互溶
H2S和H2C2的相對分子質量基本相同，造成上述物理性質差異的主要原因
氧元素電負性很強，H2O2分子間存在氫鍵，所以熔沸點比H2S高，H2O2分子與水分子可形成氫鍵，所以與任意比互溶
氧元素電負性很強，H2O2分子間存在氫鍵，所以熔沸點比H2S高，H2O2分子與水分子可形成氫鍵，所以與任意比互溶
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（化學--選修物質結構與性質）
A、B、C、D、E、F、G七種元素，它們的原子序數(shù)依次增大，除G外均為前20號元素．A原子基態(tài)時p能級原子軌道上電子數(shù)等于次外層電子數(shù)，C元素的原子基態(tài)時s能級與p能級上的電子數(shù)相等，C、D有相同的能級，且D是同期中電負性最大的元素，E原子的第一至第四電離能（kJ?mol-1）分別為：578、1817、2745、11575，F(xiàn)元素原子中4s能級有2個電子．G元素的離子形成的硫酸鹽結晶水合物呈藍色．
（1）B形成的單質中有
2
2
個Π鍵，上述元素形成的化合物中和B的單質是等電子體的是
CO
CO
（填化學式）
（2）G元素的基態(tài)原子的價層電子排布式為
3d104s1
3d104s1
．
（3）常溫下，E單質投入到B的最高價氧化物對應的水化物的濃溶液中的現(xiàn)象是
無明顯現(xiàn)象
無明顯現(xiàn)象
．
（4）D、F組成的晶體FD2結構如圖Ⅰ所示，G形成晶體的結構如Ⅲ所示，Ⅱ為H3BO3（硼酸）晶體結構圖

①圖I所示的FD2晶體中與F離子最近且等距離的F離子數(shù)為
12
12
，圖III中未標號的G原子形成晶體后周圍最緊鄰的G原子數(shù)為
12
12
；
②晶體FD2和H3BO3（硼酸）晶體之間的熔點由高到低的排列順序為
CaF2＞H3BO3
CaF2＞H3BO3

（填空化學式），H3BO3晶體中存在的作用力除共價鍵以外還有
分子間作用力、氫鍵
分子間作用力、氫鍵
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

[化學-選修物質結構與性質]A、B、C、D四種元素的原子序數(shù)依次遞增，A、B元素的基態(tài)原子L電子層中末成對電子數(shù)分別為3、2．短周期主族元素中C元素的電負性最小，原子半徑最大．D元素的原子序數(shù)是C元素的兩倍，其合金多用于航天工業(yè)，被稱為繼鐵、鋁之后的第三金屬，請回答下列問題：
（1）A、B、C三種元素的第一電離能由大到小順序是
 
（填元素符號）．
（2）D元素基態(tài)原子的介電子排布式是
 
；
（3）白色晶體白色晶體C3AB4、可由CAB2和C2B2在銀皿中于300℃條件下七天后制得，該白色晶體白色晶體C3AB4中陰離子的空間立體構名稱是
 
，其中心原子的雜化軌道類型是
 
雜化，中學化學常見的陰離子中，與該陰離子互為等電子體的離子符號是
 
（只填兩種）．該白色晶體遇潮濕的二氧化碳時發(fā)生劇烈反應，寫出三種反應物按等物質的量發(fā)生反應，生成三種等物質的量且均含C元素的固體產物的化學方程式
 
；
（4）B、D兩元素組成的某種化合物的晶體結構（晶胞示意圖）如圖a、圖b所示，寫出該化合物的化學式
 
．
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科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

[化學--選修物質結構與性質]
已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序數(shù)依次增加，A焰色反應呈黃色；工業(yè)常用電解B的熔融的氯化物來制備B，C是一種能被HF和NaOH溶液溶解的單質，D的電負性比磷大，第一電離能卻比磷小，E單質是制備漂白液的原料，F(xiàn)能形成紅色（或磚紅色）和黑色的兩種氧化物，G是一種主族金屬．
（1）前四周期所有元素中，基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有
 
種．
（2）元素A、B、C分別與氟氣化合形成物質X、Y、Z熔點見下表：
氟化物 X Y Z
熔點/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點差異的原因：
 
．
（3）已知常溫條件下，極性分子DOE2是一種液態(tài)化合物，中心原子D的雜化方式是
 
．向盛有10mL水的錐形瓶中滴加少量的DOE2溶液，生成兩種有刺激性氣味的氣體．請書寫此反應的化學方程式
 
．
（4）G與氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似．G原子的價電子排布式為
 
．在該合成材料中，與同一個G原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體．在四種基本晶體類型中，此晶體屬于
 
晶體．
（5）F晶體的堆積方式是
 
（填堆積名稱），其配位數(shù)為
 
． 向F的硫酸鹽溶液中滴加氨水直至過量，寫出此過程所涉及的兩個離子方程式
 
根據(jù)價層電子對互斥理論，預測SO42-的空間構型為
 
．

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