(選修—物質(zhì)結構與性質(zhì))(12分)

X、Y、Z三種元素,原子序數(shù)依次增大,它們的原子序數(shù)之和為43。其中,Y原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的三倍。X、Y元素的單質(zhì)都是構成空氣的主要成分。

(1)Z原子的價層電子排布式為____________;XY3-離子的空間構型為__________。

(2)X單質(zhì)與Y單質(zhì)直接發(fā)生化合反應的化學方程式_________________________。

(3)ZO(氧化物)、FeO晶體結構類型均與NaCl的相同,Z2+和Fe2+離子半徑分別為69pm和78pm,則熔點ZO_____           FeO(填“<”或“>” )。

(4)ZO晶體中Z2+的配位數(shù)為____________。

(5)化合物A常用于檢驗Z2+:在稀氨水介質(zhì)中,A與Z2+

反應可生成鮮紅色沉淀,其結構如圖所示:

① 該結構中,碳碳之間的共價鍵類型是______(“σ鍵”

或“π鍵”);X與Z2+離子間形成的是配位鍵,在圖

上標出配位鍵的電子給予的方向。

② 該結構中,Y原子與氫原子除了形成共價鍵外,

還可存在_______                ;

該結構中,碳原子的雜化軌道類型有_____;Y原子的雜化軌道類型為_____。

 

【答案】

 

【解析】略

 

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

(2009?南平二模)【化學--選修物質(zhì)結構與性質(zhì)】
氮元素可形成鹵化物、疊氮化物及絡合物等.
(1)NF3構型為三角錐體,沸點-129℃;可在銅催化作用下由F2和過量NH3反應得到.
NF3屬于
分子
分子
晶體,寫出制備 NF3的化學反應方程式:
4NH3+3F2
 銅 
.
 
NF3+3NH4F
4NH3+3F2
 銅 
.
 
NF3+3NH4F

(2)氫疊氮酸(HN3)是一種弱酸,它的酸性類似于醋酸,微弱電離出H+和N3-
①與N3-互為等電子體的分子、離子有:
N2O或CO2或CS2或BeCl2
N2O或CO2或CS2或BeCl2
、
SCN-或OCN-或CNO-
SCN-或OCN-或CNO-
(各舉1例),由此可推知N3-的空間構型是
直線
直線
型.
②疊氮化物、氰化物能與Fe3+及Cu2+及Co3+等形成絡合物,如:Co[(N3)(NH35]SO4、Fe(CN)64-.寫出鈷原子在基態(tài)時的價電子排布式:
3d74s2
3d74s2

Co[(N3)(NH35]SO4中鈷的配位數(shù)為
6
6
,CN-中C原子的雜化類型是
sp
sp

(3)化學式為Pt(NH32Cl2的化合物有兩種異構體,其中一種異構體具有水的可溶性,則此種化合物是
極性
極性
(填“極性”、“非極性”)分子.
(4)由疊氮化鈉(NaN3)熱分解可得純N2:2NaN3(s)=2Na(l)+3N2(g),有關說法正確的是
BC
BC

A.NaN3與KN3結構類似,前者晶格能較小
B.第一電離能(I1):N>P>S
C.鈉晶胞結構如圖,該晶胞分攤2個鈉原子
D.氮氣常溫下很穩(wěn)定,是因為氮的電負性。

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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

[化學--選修物質(zhì)結構與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的原子序數(shù)依次增大.其中A、C原子的L層有2個未成對電子.D與E同主族,D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構.F3+離子M層3d軌道電子為半滿狀態(tài).請根據(jù)以上情況,回答下列問題:(答題時,用所對應的元素符號表示)
(1)寫出F原子的電子排布式
1s22s22p63s23p63d64s2
1s22s22p63s23p63d64s2
,F(xiàn)位于周期表
d
d
區(qū).
(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序為
N>O>C
N>O>C

(3)F和M(質(zhì)子數(shù)為25)兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:
元    素 M F
電能
(kJ?mol-1
I1 717 759
I2 1509 1561
I3 3248 2957
比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)M2+再失去一個電子比氣態(tài)F2+再失去一個電子難.對此,你的解釋是
Mn2+的3d軌道電子排布為半滿狀態(tài)較穩(wěn)定
Mn2+的3d軌道電子排布為半滿狀態(tài)較穩(wěn)定
、
而Fe2+的3d軌道電子數(shù)為6,不是較穩(wěn)定狀態(tài)
而Fe2+的3d軌道電子數(shù)為6,不是較穩(wěn)定狀態(tài)
;
(4)已知F晶體的堆積方式與金屬鉀相同,則F晶胞中F原子的配位數(shù)為
8
8
,一個晶胞中F原子的數(shù)目為
2
2

(5)H2S和C元素的氫化物(分子式為H2C2)的主要物理性質(zhì)比較如下:
熔點/K 沸點/K 標準狀況時在水中的溶解度
H2S 187 202 2.6
H2C2 272 423 以任意比互溶
H2S和H2C2的相對分子質(zhì)量基本相同,造成上述物理性質(zhì)差異的主要原因
氧元素電負性很強,H2O2分子間存在氫鍵,所以熔沸點比H2S高,H2O2分子與水分子可形成氫鍵,所以與任意比互溶
氧元素電負性很強,H2O2分子間存在氫鍵,所以熔沸點比H2S高,H2O2分子與水分子可形成氫鍵,所以與任意比互溶

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科目:高中化學 來源: 題型:

(化學--選修物質(zhì)結構與性質(zhì))
A、B、C、D、E、F、G七種元素,它們的原子序數(shù)依次增大,除G外均為前20號元素.A原子基態(tài)時p能級原子軌道上電子數(shù)等于次外層電子數(shù),C元素的原子基態(tài)時s能級與p能級上的電子數(shù)相等,C、D有相同的能級,且D是同期中電負性最大的元素,E原子的第一至第四電離能(kJ?mol-1)分別為:578、1817、2745、11575,F(xiàn)元素原子中4s能級有2個電子.G元素的離子形成的硫酸鹽結晶水合物呈藍色.
(1)B形成的單質(zhì)中有
2
2
個Π鍵,上述元素形成的化合物中和B的單質(zhì)是等電子體的是
CO
CO
(填化學式)
(2)G元素的基態(tài)原子的價層電子排布式為
3d104s1
3d104s1

(3)常溫下,E單質(zhì)投入到B的最高價氧化物對應的水化物的濃溶液中的現(xiàn)象是
無明顯現(xiàn)象
無明顯現(xiàn)象

(4)D、F組成的晶體FD2結構如圖Ⅰ所示,G形成晶體的結構如Ⅲ所示,Ⅱ為H3BO3(硼酸)晶體結構圖

①圖I所示的FD2晶體中與F離子最近且等距離的F離子數(shù)為
12
12
,圖III中未標號的G原子形成晶體后周圍最緊鄰的G原子數(shù)為
12
12
;
②晶體FD2和H3BO3(硼酸)晶體之間的熔點由高到低的排列順序為
CaF2>H3BO3
CaF2>H3BO3

(填空化學式),H3BO3晶體中存在的作用力除共價鍵以外還有
分子間作用力、氫鍵
分子間作用力、氫鍵

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科目:高中化學 來源: 題型:

[化學-選修物質(zhì)結構與性質(zhì)]A、B、C、D四種元素的原子序數(shù)依次遞增,A、B元素的基態(tài)原子L電子層中末成對電子數(shù)分別為3、2.短周期主族元素中C元素的電負性最小,原子半徑最大.D元素的原子序數(shù)是C元素的兩倍,其合金多用于航天工業(yè),被稱為繼鐵、鋁之后的第三金屬,請回答下列問題:
(1)A、B、C三種元素的第一電離能由大到小順序是
 
(填元素符號).
(2)D元素基態(tài)原子的介電子排布式是
 
;
(3)白色晶體白色晶體C3AB4、可由CAB2和C2B2在銀皿中于300℃條件下七天后制得,該白色晶體白色晶體C3AB4中陰離子的空間立體構名稱是
 
,其中心原子的雜化軌道類型是
 
雜化,中學化學常見的陰離子中,與該陰離子互為等電子體的離子符號是
 
(只填兩種).該白色晶體遇潮濕的二氧化碳時發(fā)生劇烈反應,寫出三種反應物按等物質(zhì)的量發(fā)生反應,生成三種等物質(zhì)的量且均含C元素的固體產(chǎn)物的化學方程式
 
;
(4)B、D兩元素組成的某種化合物的晶體結構(晶胞示意圖)如圖a、圖b所示,寫出該化合物的化學式
 

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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

[化學--選修物質(zhì)結構與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期,且元素原子序數(shù)依次增加,A焰色反應呈黃色;工業(yè)常用電解B的熔融的氯化物來制備B,C是一種能被HF和NaOH溶液溶解的單質(zhì),D的電負性比磷大,第一電離能卻比磷小,E單質(zhì)是制備漂白液的原料,F(xiàn)能形成紅色(或磚紅色)和黑色的兩種氧化物,G是一種主族金屬.
(1)前四周期所有元素中,基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有
 
種.
(2)元素A、B、C分別與氟氣化合形成物質(zhì)X、Y、Z熔點見下表:
氟化物 X Y Z
熔點/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點差異的原因:
 

(3)已知常溫條件下,極性分子DOE2是一種液態(tài)化合物,中心原子D的雜化方式是
 
.向盛有10mL水的錐形瓶中滴加少量的DOE2溶液,生成兩種有刺激性氣味的氣體.請書寫此反應的化學方程式
 

(4)G與氮原子可1:1化合,形成人工合成的新型半導體材料,其晶體結構與單晶硅相似.G原子的價電子排布式為
 
.在該合成材料中,與同一個G原子相連的N原子構成的空間構型為正四面體.在四種基本晶體類型中,此晶體屬于
 
晶體.
(5)F晶體的堆積方式是
 
(填堆積名稱),其配位數(shù)為
 
. 向F的硫酸鹽溶液中滴加氨水直至過量,寫出此過程所涉及的兩個離子方程式
 
根據(jù)價層電子對互斥理論,預測SO42-的空間構型為
 

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