（12分）某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，X位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體中心。

試分析：
（1）晶體中每個Y同時吸引著__________個X，每個X同時吸引著__________個Y，該晶體的化學(xué)式為           。
（2）晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有_________________個。
（3）晶體中距離最近的2個X與1個Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為__________。
（4）設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為M g·mol－1，晶體密度為ρg·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)為NA mol－1，計(jì)算此晶體中兩個距離最近的X中心間的距離______________________cm。

(12分，每空2分) (1) 4 ；8 ；XY2(或Y2X)   (2) 12    (3)109°28'   （4）

解析

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，X位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體中心．試分析：
（1）晶體中每個Y同時吸引著
4
4
個X，每個X同時吸引著
8
8
個Y，該晶體的化學(xué)式為
XY2或Y2X
XY2或Y2X
．
（2）晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有
12
12
個．
（3）晶體中距離最近的2個X與1個Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為
109°28′
109°28′
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，x位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體中心．試分析：每個x同時吸引著
8
8
個Y．晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有
12
12
個．晶體中距離最近的2個X與1個Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為
109°28′
109°28′
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，x位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體中心．
試分析：
（1）晶體中每個Y同時吸引著
4
4
個X，該晶體的化學(xué)式為
XY2或Y2X
XY2或Y2X
．
（2）晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有
12
12
個．
（3）晶體中距離最近的2個X與1個Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為
109°28′
109°28′
．
（4）設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為M g?mol-1，晶體密度為ρ?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA則晶體中兩個距離最近的X中心間的距離為
3
M
2ρNA
2
cm
3
M
2ρNA
2
cm
． 
（5）如圖2圖象是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖，試判斷NaCl晶體結(jié)構(gòu)的圖象是
B
B

A．①B．②C．③D．④
（6）用價層電子對互斥理論（VSEPR）判斷下列分子或離子的空間構(gòu)型
分子或離子 H2S CO32- PH3 ClO4--
空間構(gòu)型
V型
V型
平面三角形
平面三角形
三角錐型
三角錐型
正四面體
正四面體

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，x位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體中心．試分析：
該晶體的化學(xué)式為
XY2或Y2X．
XY2或Y2X．
．

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年甘肅省高三10月月考化學(xué)試卷（奧班）（解析版） 題型：填空題

（10分）某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，X位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體中心。試分析：

（1）晶體中每個Y同時吸引著____個X，該晶體的化學(xué)式為_____ 。

（2）晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有________個。

（3）晶體中距離最近的2個X與1個Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為_______。（4）設(shè)該晶體的化學(xué)式的式量為M，晶體密度為ρ，阿伏加德羅常數(shù)為NA則晶體中兩個距離最近的X中心間的距離為__________ 。

（5）下列圖象是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖，試判斷NaCl晶體結(jié)構(gòu)的圖象是         

 ①          ②            ③            ④

A、①               B、②               C、③               D、④

（6）用價層電子對互斥理論（VSEPR）判斷下列分子或離子的空間構(gòu)型

分子或離子

H2S

SnCl62-

PH3

ClO4--

空間構(gòu)型

 

 

 

 

 

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