A. | 所有的電子在同一區(qū)域里運(yùn)動(dòng) | |
B. | 能量高的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動(dòng),能量低的電子在離核遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng) | |
C. | 處于最低能量的原子叫基態(tài)原子 | |
D. | 同一原子中,1s、2s、3s所能容納的電子數(shù)越來(lái)越多 |
分析 A.核外電子是分層的排布的;
B.離核越遠(yuǎn)的電子能量越大,離核越近的電子能量越小;
C.處于最低能量的原子叫基態(tài)原子;
D.s能級(jí)最多只能容納2個(gè)電子.
解答 解:A.核外電子是分層的排布的,能量低的電子在低能層運(yùn)動(dòng),能量高的電子再高能層運(yùn)動(dòng),能量相近的電子在同一能層運(yùn)動(dòng),故A錯(cuò)誤;
B.能量越高越容易脫離原子核的束縛,能量低的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動(dòng),能量高的電子在離核遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng),故B錯(cuò)誤;
C.處于最低能量的原子叫基態(tài)原子,故C正確;
D.s能級(jí)最多只能容納2個(gè)電子,與所在能層無(wú)關(guān),故D錯(cuò)誤,
故選:D.
點(diǎn)評(píng) 本題考查核外電子排布、原子基態(tài)、原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),比較基礎(chǔ),注意基礎(chǔ)知識(shí)的積累.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
元素 | I1 | I2 | I3 | I4 |
X | 500 | 4 600 | 6 900 | 9 500 |
Y | 580 | 1 800 | 2 700 | 11 600 |
A. | 元素X的常見(jiàn)化合價(jià)是+1 | |
B. | 元素Y是ⅢA族元素 | |
C. | 元素X與氧形成化合物時(shí),化學(xué)式可能是X2O或X2O2 | |
D. | 若元素Y處于第三周期,它可與冷水劇烈反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電池工作室,鋰電極反應(yīng)式為L(zhǎng)i-e-═Li+ | |
B. | 若將石墨換成鐵時(shí),電池還能繼續(xù)工作 | |
C. | 電池工作時(shí),電解質(zhì)中的ClO4-運(yùn)動(dòng)到電池的石墨極 | |
D. | 正極發(fā)生了還原反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 方英石晶體中存在著SiO4結(jié)構(gòu)單元 | |
B. | 1 mol Si形成2 mol Si-O鍵 | |
C. | 上圖所示的結(jié)構(gòu)單元中實(shí)際占有18個(gè)硅原子 | |
D. | 方英石晶體中,Si-O鍵之間的夾角為90° |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 醋酸、純堿、氯化鈉 | B. | 硝酸、生石灰、硫酸鋇 | ||
C. | 鹽酸、熟石灰、石英 | D. | 硫酸、燒堿、碳酸氫鈉 |
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