Question

鹵族元素的單質(zhì)和化合物很多。
（1）鹵素原子與氫原子形成的共價(jià)鍵中，極性最強(qiáng)鍵的是_____。NaF、MgF₂、SiF₄三種晶體的熔點(diǎn)從高到低的順序是______。
（2）已知CsICl₂不穩(wěn)定，受熱易分解，傾向于生成晶格能更大的物質(zhì)，則它按下列_____式發(fā)生。
A．CsICl₂=CsCl+ICl        B．CsICl₂=CsI+Cl₂
（3）CH₃Cl、BF₃、SCl₂三種分子中屬于極性分子的是      ，ClO₂^-中心氯原子的雜化軌道類型為______，寫出一種與SO₃^2－互為等電子體的分子       。
（4）已知CaF₂晶體（見圖）的密度為ρg/cm³，N_A為阿伏加德羅常數(shù)，相鄰最近的 兩個(gè)Ca²⁺的核間距為a cm，則CaF₂的相對(duì)分子質(zhì)量可以表示為___________。

Answer 1

（1）H-F(1分） MgF₂﹥NaF﹥SiF₄ (2分)
（2）A (2分)
（3）CH₃Cl、SCl₂(2分）   sp³雜化(2分）   PCl₃（或NCl₃等）(2分）
（4） (2分）

解析試題分析：（1）由于形成共用電子對(duì)的兩元素的非金屬性強(qiáng)弱相差越大，形成的共價(jià)鍵的極性越強(qiáng)；鹵素原子與氫原子形成的共價(jià)鍵中，都含有氫原子，其它元素的非金屬性大小關(guān)系為：F＞Cl＞Br＞I，所以極性鍵的極性大小關(guān)系為：H-F＞H-Cl＞H-Br＞H-I；NaF MgF₂為離子晶體所以熔點(diǎn)高于分子晶體SiF₄，在離子晶體中，離子的半徑越小，晶格能越大；陰、陽(yáng)離子所帶電荷越多，晶格能越大，則晶體的熔點(diǎn)越高；電荷的影響大于半徑的影響，所以NaF、MgF₂、SiF₄三種晶體的熔點(diǎn)從高到低的順序是MgF₂﹥NaF﹥SiF₄。
（2）加熱多鹵化物則離解為簡(jiǎn)單的鹵化物和鹵素單質(zhì)。CsBr₃=CsBr+Br₂，若為多種鹵素的多鹵化物，則離解生成具有最高晶格能的一種鹵化物，如：CsICl₂=CsCl+ICl，而不是CsI+Cl₂，所以選A。
（3）組成為ABn型化合物，若中心原子A的化合價(jià)等于族的序數(shù)，則該化合物為非極性分子，所以BF₃屬于非極性分子，SCl₂屬于極性分子，CH₃Cl空間結(jié)構(gòu)為四面體形，不是正四面體，正負(fù)電荷的中心不重合，屬于極性分子。ClO₂^－中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+1/2（7+1-2×2）=2，且含有2個(gè)孤電子對(duì)，所以空間構(gòu)型是V型，sp³雜化；等電子體是指具有相同電子數(shù)目和原子數(shù)目的分子或離子，SO₃^2－中有4個(gè)原子，6+6×3+2=26個(gè)價(jià)電子。
（4）該晶胞中含有鈣離子個(gè)數(shù)=1/8×8+6×1/3 =4，氟離子個(gè)數(shù)=8，，相鄰最近的兩個(gè)Ca^2＋的核間距是正方體對(duì)角線的一半，所以正方體的邊長(zhǎng)為a cm，ρ=  ,所以CaF₂的相對(duì)分子質(zhì)量可以表示為。
考點(diǎn)：考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。