已知:A、B、C、D、E、F六種元素,原子序數(shù)依次增大.A原子核外有兩種形狀的電子云,兩種形狀的電子云軌道上電子相等;B是短周期中原子半徑最大的元素;C元素3p能級半充滿;E是所在周期電負(fù)性最大的元素;F是第四周期未成對電子最多的元素.試回答下列有關(guān)的問題:
(1)寫出F元素的電子排布式______.
(2)己知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子,則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為______.
(3)己知C、E兩種元素合成的化合物通常有CE3、CE5兩種.這兩種化合物中一種為非極性分子,一種為極性分子,屬于極性分子的化合物的分子空間構(gòu)型是______.
(4)B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是______(寫元素符號).四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液,物質(zhì)的量濃度相同時(shí),pH由大到小的順序是______(寫化學(xué)式).
(5)由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中,陰、陽離子都有球型對稱結(jié)構(gòu),它們都可以看作剛性圓球,并彼此“相切”.如圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)圖以及晶胞的剖面圖,晶胞中距離一個(gè)Na+最近的Na+有______個(gè).若晶體密度為ρg?cm-3,阿伏加德羅常的值用NA表示,則Cl-的離子半徑______cm(用含NA與ρ式子表達(dá)).
A、B、C、D、E、F六種元素,原子序數(shù)依次增大.A原子核外有兩種形狀的電子云,兩種形狀的電子云軌道上電子相等,則其原子核外電子排布為1s22s22p4,則A為氧元素;B是短周期中原子半徑最大的元素,則B為Na元素;C元素3p能級半充滿,則其原子核外電子排布為1s22s22p63s23p3,則C為磷元素;F是第四周期未成對電子最多的元素,則F的核外電子排布為1s22s22p63s23p63d54s1,則F為Cr元素;E是所在周期電負(fù)性最大的元素,原子序數(shù)大于P小于Cu,則應(yīng)處于第三周期,故E為Cl元素;D原子序數(shù)介于磷、氯之間,則D為硫元素,
(1)F為Cr元素,其原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,
故答案為:1s22s22p63s23p63d54s1
(2)己知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子,該氫化物為H2O2,H2O2分子中O原子成1個(gè)O-O鍵、1個(gè)O-H鍵,含有2對孤電子對,雜化軌道數(shù)目為4,采取sp3雜化,
故答案為:sp3;
(3)P、Cl兩種元素合成的化合物通常有PCl3、PCl5兩種,PCl3中P原子成3個(gè)P-Cl鍵、含有1對孤電子對,P原子采取sp3雜化,為三角錐型結(jié)構(gòu),不是對稱結(jié)構(gòu),屬于極性分子,
故答案為:三角錐型;
(4)同周期自左而右第一電離能呈增大趨勢,P元素3p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能P>Cl>S>Na,氫氧化鈉為強(qiáng)堿,磷酸屬于弱酸,高氯酸、硫酸屬于強(qiáng)酸,二者濃度相等,硫酸中氫離子濃度大,硫酸酸性最強(qiáng),故四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液,物質(zhì)的量濃度相同時(shí),pH由大到小的順序是NaOH>H3PO4>HClO4>H2SO4,
故答案為:P>Cl>S>Na;NaOH>H3PO4>HClO4>H2SO4;
(5)由Na、Cl兩元素形成的化合物為NaCl,以中間的黑色球?yàn)镹a+離子研究,與之最近的Na+離子處于晶胞的棱上,共有12個(gè).晶胞中Na+離子數(shù)目=1+12×
1
4
=4,Cl-離子數(shù)目=8×
1
8
+6×
1
2
=4,故晶胞質(zhì)量=
4×58.5
NA
g,晶胞體積=
4×58.5
NA
g
ρg/cm3
=
234
ρNA
cm3,令Cl-離子半徑為r,則棱長為
2
2
×4r=2
2
r
,故(2
2
r
3=
234
ρNA
cm3,解得r=
2
4
3
234
ρNA
cm,
故答案為:
2
4
3
234
ρNA
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:
物質(zhì)
NaF
NaCl
NaBr
NaI
NaCl
KCl
RbCl
CsCl
熔點(diǎn)/℃
995
801
755
651
801
776
715
646
物質(zhì)
SiF4
SiCl4
SiBr4
SiI4
SiCl4
GeCl4
SnCl4
PbCl4
熔點(diǎn)/℃
-90.4
-70.4
5.2
120
-70.4
-49.5
-36.2
-15
    (1)鈉的鹵化物、堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子、堿金屬離子的________有關(guān),隨著________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與__________有關(guān),隨著_________增大,_________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________有關(guān),因?yàn)開______,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:計(jì)算題

下圖是超導(dǎo)化合物----鈣鈦礦晶體中最小重復(fù)單元(晶胞)的結(jié)構(gòu)。請回答:

(1)該化合物的化學(xué)式為         。
(2)在該化合物晶體中,與某個(gè)鈦離子距離最近且相等的其他鈦離子共有      個(gè)。
(3)設(shè)該化合物的式量為M,密度為ag/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中鈣離子與鈦離子之間的最短距離為        。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題

有四組物質(zhì),它們的沸點(diǎn)(℃,P=1.01×105Pa)如下表所示:
He-268.8Ne-249.5Ar(x)Kr-151.7
F2-187.0Cl2-33.6(a)58.7I2-184.0
HF(Y)HCl-84.0HBr-67.0HI-35.3
H2O(Z)H2S-60.2(b)-42.0H2Te-1.8
試根據(jù)上表回答下列問題:
(1)物質(zhì)b的分子式為:______,物質(zhì)______(填a或b)易溶于苯.
(2)除極少數(shù)情況外,上述四種系列中物質(zhì)的沸點(diǎn)與相對分子質(zhì)量之間均存在一定的關(guān)系,該關(guān)系是______.
(3)上表中,______和______兩種物質(zhì)的沸點(diǎn)較同系列其它物質(zhì)反常,反常的主要原因是______.

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題

下列是部分金屬元素的電離能
XYZ
第一電離能(kJ/mol)520.2495.8418.8
(1)已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns1,則三種金屬的氯化物(RCl)的熔點(diǎn)由低到高的順序?yàn)開_____.
(2)CuCl用作有機(jī)合成催化劑,并用于顏料,防腐等工業(yè).CuCl的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示.元素Cu基態(tài)原子的電子排布式______,與同一個(gè)Cl-相連的Cu+有______個(gè).

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

離子鍵的強(qiáng)弱主要決定于離子半徑和離子電荷值.一般規(guī)律是:離子半徑越小,電荷值越大,則離子鍵越強(qiáng).試分析:①K2O②CaO③MgO的離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是( 。
A.①②③B.③①②C.②①③D.③②①

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列有關(guān)物質(zhì)的性質(zhì)或應(yīng)用正確的是  
A.單質(zhì)硅用于制造芯片和光導(dǎo)纖維
B.濃硫酸能干燥SO2、NO2等氣體,說明濃硫酸具有吸水性
C.SO2具有漂白性,通入紫色石蕊溶液中能使溶液先變紅后褪色
D.30%的H2O2溶液中加入MnO2可制得O2,MnO2做氧化劑

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

保存下列試劑時(shí),不需使用棕色試劑瓶的是
A.NaHCO3B.濃硝酸C.氯水D.AgBr

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)發(fā)生變化時(shí),所克服的粒子間相互作用屬同中類型的是
A.金屬鈉與固態(tài)水分別受熱熔化B.氯化銨與苯分別受熱變?yōu)闅怏w
C.氯化鈉與氯化氫分別溶解在水中D.碘與干冰分別受熱變?yōu)闅怏w

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