A. | 氧化銅分別溶于鹽酸和醋酸 | |
B. | 石灰石分別與硝酸和鹽酸反應(yīng) | |
C. | 硫酸銅溶液分別與氯化鋇和氫氧化鋇溶液反應(yīng) | |
D. | 稀硫酸分別與碳酸鈉、碳酸氫鈉溶液反應(yīng) |
分析 A.CH3COOH為弱酸,應(yīng)寫成化學(xué)式,HCl為強(qiáng)電解質(zhì),寫成離子;
B.反應(yīng)均為碳酸鈣和氫離子反應(yīng);
C.硫酸銅與氫氧化鋇溶液反應(yīng)除了生成硫酸鋇沉淀,還生成氫氧化銅沉淀;
D.碳酸鈉電離出碳酸根離子,碳酸氫鈉電離出碳酸氫根離子,碳酸氫根離子不能拆開.
解答 解:A.反應(yīng)的離子方程式分別為:CuO+2H+=Cu2++H2O、CuO+2CH3COOH=Cu2++H2O+2CH3COO-,兩個(gè)離子方程式不同,故A錯(cuò)誤;
B.反應(yīng)均為碳酸鈣和氫離子反應(yīng),離子方程式都可以用CaCO3+2H+═Ca2++CO2↑+H2O表示,故B正確;
C.氯化鋇和硫酸銅反應(yīng)生成硫酸鋇沉淀和可溶性的氯化銅,離子反應(yīng)方程式為:Ba2++SO42-=BaSO4↓,氫氧化鋇和硫酸銅反應(yīng)生成氫氧化銅和硫酸鋇沉淀,反應(yīng)的離子方程式為:Ba2++2OH-+SO42-+Cu2+=Cu(OH)2+BaSO4↓,兩個(gè)離子方程式二者不同,故C錯(cuò)誤;
D.NaHCO3電離出HCO3-,與稀硫酸反應(yīng)的離子方程式為:HCO3-+H+=H2O+CO2↑,Na2CO3電離出CO32-,與稀硫酸反應(yīng)的離子方程式為:CO32-+2H+=H2O+CO2↑,兩個(gè)離子方程式不同,故D錯(cuò)誤;
故選B.
點(diǎn)評 本題考查離子反應(yīng)方程式書寫的書寫判斷,為高頻考點(diǎn),把握發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)及離子反應(yīng)的書寫方法為解答的關(guān)鍵,注意離子反應(yīng)中保留化學(xué)式的物質(zhì)及反應(yīng)實(shí)質(zhì)的分析,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 粗硅$→_{高溫}^{Cl_{2}}$SiCl4$→_{高溫}^{H_{2}}$Si | |
B. | Mg(OH)2$\stackrel{鹽酸}{→}$MgCl2 $\stackrel{電解}{→}$Mg | |
C. | Na$→_{△}^{O_{2}}$Na2O2$\stackrel{H_{2}O}{→}$NaOH | |
D. | AgNO3(aq)$\stackrel{NH_{3}•H_{2}O}{→}$[Ag(NH3)2]OH(aq)$\stackrel{蔗糖△}{→}$Ag |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 一定是一種單質(zhì) | B. | 一定是純凈物 | ||
C. | 可能是混合物也可能是純凈物 | D. | 一定是同位素組成的不同單質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | H2Te>H2Se>H2S>H2O | B. | KCl>NaCl>LiCl>HCl | ||
C. | Sr>Ba>Ca>Be | D. | 金剛石>SiC>晶體硅 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 工業(yè)上將NH3與CO2在高溫高壓下制成[CO(NH2)2] | |
B. | 空氣中的O2和N2在閃電時(shí)化合成NO | |
C. | 豆科植物的根瘤菌把氮?dú)庾優(yōu)镹H3 | |
D. | 工業(yè)上用N2和H2來合成NH3 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 隨著溫度升高溶液中c(OH-)不斷減小 | |
B. | 加熱促進(jìn)CO32-水解和水的電離,溶液中c(OH-)隨溫度升高而增大 | |
C. | 溶液pH減小的原因是:加熱促進(jìn)水的電離,Kw隨溫度升高而增大 | |
D. | 25℃時(shí)CO32-的水解程度約為100.67% |
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