（12分）多晶硅

（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它對環(huán)

境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為

BaCO3，且含有鈣、鐵、鎂等離子）制備BaCl2·2H2O，工藝流程如下。已知常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的

pH分別是：3.4、12.4。  

（1）SiCl4水解控制在40℃以下的原因是    ▲    。

已知：SiCl4(s)+H2(g)=SiHCl3(s)+HCl(g)  ΔH1=47 kJ/mol

SiHCl3(s)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)   ΔH2=189 kJ/mol

則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為   ▲     。

（2）加鋇礦粉時生成BaCl2的離子反應(yīng)方程式是    ▲    。

（3）加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是  ▲  ，控制溫度70℃的目的是   ▲    。

（4）BaCl2濾液經(jīng)蒸發(fā)濃縮、降溫結(jié)晶、過濾，再經(jīng)真空干燥后得到·2H2O。實(shí)驗(yàn)室中蒸發(fā)濃縮用到的含硅酸鹽的儀器有   ▲   種。

（5）為體現(xiàn)該工藝的綠色化學(xué)思想，該工藝中能循環(huán)利用的物質(zhì)是   ▲   。

（12分）（1）防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應(yīng)過于劇烈。SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)  ΔH=236kJ/mol（4分）

（2）BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑（2分）

（3）Mg(OH)2、Ca(OH)2，

確保鈣離子完全除去（或溫度越高，Ca(OH)2溶解度越�。＃�2分）

（4）3（2分）

（5）BaCl2溶液（2分）

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它對環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2?2H2O，工藝流程如下．已知：①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．
②M （BaCO3）=197g/mol，M（BaCl2?2H2O）=244g/mol

（1）SiCl4水解反應(yīng)的方程式為
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl．
，SiCl4水解控制在40℃的原因是
防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應(yīng)過于劇烈
防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應(yīng)過于劇烈
．
（2）已知：SiCl4（s）+H2（g）=SiHCl3（s）+HCl（g）△H1=+47kJ/mol
SiHCl3（s）+H2（g）=Si（s）+3HCl（g）△H2=+189kJ/mol則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
．
（3）加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的作用是使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2和
使Fe3+完全沉淀
使Fe3+完全沉淀
．
（4）加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是
Mg（OH）2
Mg（OH）2
．
（5）BaCl2濾液經(jīng)
蒸發(fā)濃縮
蒸發(fā)濃縮
、冷卻結(jié)晶、
過濾
過濾
、洗滌，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl2?2H2O．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2010?揚(yáng)州模擬）多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它對環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO3，且含有鈣、鐵、鎂等離子）制備BaCl2?2H2O，工藝流程如下．已知常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4． 
  
（1）SiCl4水解控制在40℃以下的原因是
防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應(yīng)過于劇烈
防止HCl揮發(fā)污染環(huán)境或控制SiCl4的水解速率，防止反應(yīng)過于劇烈
．
已知：SiCl4（s）+H2（g）=SiHCl3（s）+HCl（g）△H1=+47kJ/mol；SiHCl3（s）+H2（g）=Si（s）+3HCl（g）△H2=+189kJ/mol
則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
．
（2）加鋇礦粉時生成BaCl2的離子反應(yīng)方程式是
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑
．
（3）加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是
Mg（OH）2、Ca（OH）2
Mg（OH）2、Ca（OH）2
，控制溫度70℃的目的是
確保鈣離子完全除去（或溫度越高，Ca（OH）2溶解度越�。�
確保鈣離子完全除去（或溫度越高，Ca（OH）2溶解度越小）
．
（4）BaCl2濾液經(jīng)蒸發(fā)濃縮、降溫結(jié)晶、過濾，再經(jīng)真空干燥后得到?2H2O．實(shí)驗(yàn)室中蒸發(fā)濃縮用到的含硅酸鹽的儀器有
3
3
種．
（5）為體現(xiàn)該工藝的綠色化學(xué)思想，該工藝中能循環(huán)利用的物質(zhì)是
BaCl2溶液
BaCl2溶液
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2011?佛山一模）多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它對環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱．研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成份為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2?2H2O，工藝流程如下．

已知：①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是：3.4、12.4．
②M （BaCO3）=197g/mol，M（BaCl2?2H2O）=244g/mol
（1）SiCl4水解反應(yīng)的方程式為
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl
．已知：
SiCl4（s）+H2（g）=SiHCl3（s）+HCl（g）△H1=+47kJ/mol  
SiHCl3（s）+H2（g）=Si（s）+3HCl（g）△H2=+189kJ/mol
則由SiCl4制備硅的熱化學(xué)方程式為
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
SiCl4（s）+2H2（g）=Si（s）+4HCl（g）△H=+236kJ/mol
．
（2）加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的作用是使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2和
使Fe3+完全沉淀
使Fe3+完全沉淀
．
（3）加20% NaOH調(diào)節(jié)pH=12.5，得到濾渣A的主要成分是
Mg（OH）2
Mg（OH）2
．
（4）BaCl2濾液經(jīng)
蒸發(fā)濃縮
蒸發(fā)濃縮
、
過濾
過濾
、過濾、洗滌，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl2?2H2O．
（5）10噸含78.8% BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2?2H2O
9.76
9.76
噸．

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年江西省協(xié)作體高三5月第二次聯(lián)考化學(xué)試卷（解析版） 題型：計(jì)算題

多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成分為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子）制備BaCl2·2H2O，工藝流程如下：

已知：

①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分別是3.4、12.4

②BaCO3的相對分子質(zhì)量是197；BaCl2·2H2O的相對分子質(zhì)量是244

回答下列問題：

（1）SiCl4發(fā)生水解反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________________________________

（2）用H2還原SiCl4蒸汽可制取純度很高的硅，當(dāng)反應(yīng)中有1mol電子轉(zhuǎn)移時吸收59KJ熱量，則該反   應(yīng)的熱化學(xué)方程式為_____________________________________________

（3）加鋇礦粉并調(diào)節(jié)pH=7的目的是①                ，②               

（4）過濾②后的濾液中Fe3+濃度為           （濾液溫度25℃，Ksp[Fe(OH)3]=2.2×10-38）

（5）生成濾渣A的離子方程式__________________________________________

（6）列式計(jì)算出10噸含78.8% BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2·2H2O的質(zhì)量為多少噸？

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年福建省四地六校高三第三次月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：實(shí)驗(yàn)題

（12分）多晶硅（硅單質(zhì)的一種）被稱為“微電子大廈的基石”，制備中副產(chǎn)物以SiCl4為主，它環(huán)境污染很大，能遇水強(qiáng)烈水解，放出大量的熱。研究人員利用SiCl4水解生成的鹽酸和鋇礦粉（主要成分為BaCO3，且含有鐵、鎂等離子），制備BaCl2．2H2O，工藝流程如下：

已知：

①常溫下Fe3+、Mg2+完全沉淀的PH分別是3.4、12.4

②BaCO3的相對分子質(zhì)量是197；BaCl2．2H2O的相對分子質(zhì)量是244

回答下列問題：

⑴SiCl4發(fā)生水解反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________________________

⑵SiCl4用H2還原可制取純度很高的硅，當(dāng)反應(yīng)中有1mol電子轉(zhuǎn)移時吸收59KJ熱量，則該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為_____________________________________________

⑶加鋇礦粉調(diào)節(jié)PH=7的作用是①使BaCO3轉(zhuǎn)化為BaCl2 ②_______________________

⑷生成濾渣A的離子方程式__________________________________________

⑸BaCl2濾液經(jīng)______、________、過濾、_________，再經(jīng)真空干燥后得到BaCl2．2H2O

⑹10噸含78.8% BaCO3的鋇礦粉理論上最多能生成BaCl2．2H2O___________噸。

 

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