A. | X、Y、Z、W四種元素的最外層電子數(shù)之和為18 | |
B. | 原子半徑由大到小的順序:W>Z>Y>X | |
C. | 單質(zhì)的熔點:W>Z | |
D. | 簡單氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:X>Y>W(wǎng) |
分析 短周期主族元素X、Y、Z、W原子序數(shù)依次增大,Y是地殼中含量最高的元素,則Y為O元素,結(jié)合原子序數(shù)及X原子最外層有4個電子,則X為C;Z在周期表中處于周期序數(shù)等于族序數(shù)的位置,則Z為第三周期第ⅢA族元素Al,W的單質(zhì)廣泛用作半導體材料,則W為Si,然后結(jié)合元素周期律及元素化合物知識來解答.
解答 解:短周期主族元素X、Y、Z、W原子序數(shù)依次增大,Y是地殼中含量最高的元素,則Y為O元素,結(jié)合原子序數(shù)及X原子最外層有4個電子,則X為C;Z在周期表中處于周期序數(shù)等于族序數(shù)的位置,則Z為第三周期第ⅢA族元素Al,W的單質(zhì)廣泛用作半導體材料,則W為Si,
A.X、Y、Z、W四種元素的最外層電子數(shù)之和為4+6+3+4=17,故A錯誤;
B.電子層越多,原子半徑越大,同周期從左向右原子半徑減小,則原子半徑由大到小的順序:Z>W(wǎng)>C>Y,故B錯誤;
C.Si為原子晶體,Al為金屬晶體,則單質(zhì)的熔點:W>Z,故C正確;
D.非金屬性越強,對應(yīng)氫化物越穩(wěn)定,則簡單氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:Y>X>W(wǎng),故D錯誤;
故選C.
點評 本題考查位置、結(jié)構(gòu)與性質(zhì),為高頻考點,把握元素的位置、性質(zhì)、元素周期律及元素化合物知識為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查,注意選項C為解答的難點,題目難度不大.
科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
選項 | 實驗操作 | 現(xiàn)象 | 結(jié)論 |
A | 淀粉溶液中加稀硫酸,加熱片劑,滴加銀氨溶液,再水浴加熱 | 無銀鏡生成 | 淀粉未發(fā)生水解 |
B | 將一鋁箔放在酒精燈外焰上灼燒 | 鋁箔熔化但不滴落 | 鋁箔表面生成致密的Al2O3薄膜,且Al2O3熔點高于Al |
C | 銅放入稀硫酸中,再加入硝酸鈉固體 | 開始無明顯現(xiàn)象,后溶液變藍,有明顯的氣泡放出,銅溶解 | 硝酸鈉可以加快銅與稀硫酸的反應(yīng)速率 |
D | 向2mL0.1mol/LNa2S溶液中滴加幾滴0.1mol/LZnSO4溶液;再加入幾滴0.1mol/LCuSO4溶液 | 先生成白色沉淀,后生成黑色沉淀 | 溶度積(Ksp):ZnS>CuS |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 二氧化氮和一氧化氮 | B. | 氫氣和氧氣 | ||
C. | 氧氣和二氧化氮 | D. | 氯氣和氧氣 |
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科目:高中化學 來源: 題型:推斷題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
化學反應(yīng) | 加成反應(yīng) | 乙酸酯化 | 乙醇酯化 | 乙醇的催化氧化 |
A | C=C | C-O | O-H | C-H、O-H |
B | C=C | C-O | O-H | C-O |
C | C-C | C=O | C-O | C-H |
D | C=C | C-O | C-O | C-C |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 1:8 | B. | 1:6 | C. | 1:5 | D. | 1:10 |
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科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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