Question

【題目】

半導(dǎo)體材料磷化硼(BP)可由BBr3和PBr3在高溫下合成�；卮鹣铝袉栴}：

(1)基態(tài)P原子的價(jià)電子排布式為__________，同周期中第一電離能比P 小的元素有______種。

(2)在水中的溶解度BBr3_______PBr3(填“ >”或“ <”)，原因是_____________。

(3)一定溫度下PBr5能形成陰、陽離子個(gè)數(shù)比為1：1的導(dǎo)電熔體，經(jīng)測定其中P—Br鍵鍵長均相等。寫出該導(dǎo)電熔體中陽離子的電子式：_________，其中P原子的雜化軌道類型是_______。

(4)已知磷化硼晶體中P原子作A1型最密堆積，B原子填入四面體空隙中，相鄰P原子和B原子核間距為d cm，則該晶體中每個(gè)B原子周圍有_____個(gè)B原子與它距離最近，晶體密度為____g·cm-3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)，若某個(gè)P原子的坐標(biāo)為(0，0，0)，則晶胞中其余P原子的坐標(biāo)為__________(寫出一個(gè)即可)。

Answer 1

【答案】3s2 3p3 5 < BBr3為非極性分子而PBr3為極性分子 sp3 12 (，，0)

【解析】

(1)P在第三周期，第VA族，基態(tài)P原子的價(jià)電子排布式為3s2 3p3，同周期中第一電離能比P小的元素有Na、Mg、Al、Si、S共5種。(2)在水中的溶解度BBr3<PBr3，原因是BBr3為非極性分子而PBr3為極性分子。(3)導(dǎo)電熔體中陽離子的電子式：，P形成4個(gè)δP-Br，所以其中P原子的雜化軌道類型是sp3 。(4)磷化硼晶體中P原子作A1型最密堆積，B原子填入四面體空隙中，相鄰P原子和B原子核間距為dcm，晶胞的邊長為 ，則該晶體中每個(gè)B原子周圍有12個(gè)B原子與它距離最近，該晶胞中磷原子個(gè)數(shù)是8×1/8+6×1/2=4，硼原子個(gè)數(shù)4，晶體密度為 g·cm-3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)，若某個(gè)P原子的坐標(biāo)為(0，0，0)，則晶胞中其余P原子的坐標(biāo)為(，，0)(寫出一個(gè)即可)。