下列熱化學(xué)方程式中,能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是( )
A.Na+(g)+Cl-(g)===NaCl(s) ΔH
B.Na(s)+Cl2(g)===NaCl(s) ΔH1
C.Na(s)===Na(g) ΔH2
D.Na(g)-e-===Na+(g) ΔH3
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
某課外活動(dòng)小組在學(xué)習(xí)CO的化學(xué)性質(zhì)時(shí),準(zhǔn)備做CO還原CuO的實(shí)驗(yàn)。下面是同學(xué)們?cè)O(shè)計(jì)的四套實(shí)驗(yàn)裝置圖。從安全和能源充分利用的角度來(lái)看,你認(rèn)為最理想的實(shí)驗(yàn)裝置是( )
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
化學(xué)鍵 | Si—O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)。
SiC________Si;SiCl4________SiO2。
(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=________kJ·mol-1。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1,
B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2,C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,D元素原子的M電子層的p亞層中有1個(gè)電子。
(1)C原子的電子排布式為________________________________________________,
若A元素的原子最外層電子排布為1s1,則按原子軌道的重疊方式,A與C形成的化合
物中的共價(jià)鍵屬于________鍵。
(2)當(dāng)n=2時(shí),B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為__________,B與C形成的化合物晶體屬于____________晶體。當(dāng)n=3時(shí),B與C形成的化合物的晶體中微粒間的作用力是_____。
(3)
若D元素與Fe形成某種晶體,該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則晶體的化學(xué)式是___(用元素符號(hào)表示);若晶胞的邊長(zhǎng)為a nm,則合金的密度為______________g·cm-3。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體,根據(jù)下列數(shù)據(jù),這三種晶體的熔點(diǎn)高低順序是( )
物質(zhì) | ①NaF | ②NaI | ③MgO |
離子電荷數(shù) | 1 | 1 | 2 |
離子間距離/10-10m | 2.31 | 3.18 | 2.10 |
A.①>②>③ B.③>①>②
C.③>②>① D.②>①>③
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、B為兩種短周期元素,A的原子序數(shù)大于B,且B原子的最外層電子數(shù)為A原
子最外層電子數(shù)的3倍。A、B形成的化合物是中學(xué)化學(xué)常見(jiàn)的化合物,該化合物熔融
時(shí)能導(dǎo)電。試回答下列問(wèn)題:
(1)A、B的元素符號(hào)分別是________、________。
(2)用電子式表示A、B元素形成化合物的過(guò)程:_____________________________
________________________________________________________________________。
(3)A、B所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似,則每個(gè)陽(yáng)離子周圍吸引了
________個(gè)陰離子;晶體中陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為__________。
(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點(diǎn)比NaF晶體的熔點(diǎn)________,其判斷的理由是
________________________________________________________________________________________________________________________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
下列指定微粒的個(gè)數(shù)比為2∶1的是( )
A.Be2+離子中的質(zhì)子和電子
B.H原子中的中子和質(zhì)子
C.NaHCO3晶體中的陽(yáng)離子和陰離子
D.BaO2(過(guò)氧化鋇)固體中的陰離子和陽(yáng)離子
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
離子晶體一般不具有的特征是( )
A.熔點(diǎn)較高、硬度較大
B.易溶于水而難溶于有機(jī)溶劑
C.干燥時(shí)不能導(dǎo)電
D.離子間距離較大,其密度較小
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
據(jù)某科學(xué)雜志報(bào)道,國(guó)外有一研究機(jī)構(gòu)發(fā)現(xiàn)了一種新的球形分子,它的分子式為C60Si60,其分子結(jié)構(gòu)酷似中國(guó)傳統(tǒng)工藝“鏤雕”,經(jīng)測(cè)定其中包含C60,并且也有Si60結(jié)構(gòu),下列敘述不正確的是( )
A.該物質(zhì)有很高的熔點(diǎn),很大的硬度
B.該物質(zhì)形成的晶體屬于分子晶體
C.該物質(zhì)分子中C60被包裹在Si60里面
D.該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量為2 400
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