中科院用CO2合成了可降解塑料聚二氧化碳。下列相關(guān)說(shuō)法合理的是(  )。
A．聚二氧化碳塑料是通過(guò)聚合反應(yīng)制得的
B．聚二氧化碳塑料與干冰互為同素異形體
C．聚二氧化碳塑料與干冰都屬于純凈物
D．聚二氧化碳塑料的使用會(huì)產(chǎn)生白色污染
A
同素異形體是指同種元素形成的不同單質(zhì)，B錯(cuò)；聚二氧化碳屬于高分子化合物，為混合物，C錯(cuò)；聚二氧化碳塑料為可降解塑料，不會(huì)造成白色污染，D錯(cuò)。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

在化學(xué)課上，圍繞不活潑金屬能否與硝酸反應(yīng)，進(jìn)行了如下實(shí)驗(yàn)探究：在兩支試管中各放入一小塊銅片，分別加入稀硝酸和濃硝酸，立即塞上帶導(dǎo)管的膠塞，并將導(dǎo)管通入另一只盛有NaOH溶液的試管中．
請(qǐng)回答：
（1）實(shí)驗(yàn)中觀察到，其中一支試管中反應(yīng)較緩慢，產(chǎn)生的一種氣體是______（填化學(xué)式）．
（2）另一支試管中反應(yīng)劇烈，產(chǎn)生的一種紅棕色氣體是______（填化學(xué)式），寫(xiě)出產(chǎn)生該氣體的化學(xué)方程式：______．
（3）根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，表明硝酸具有______（填序號(hào)）．
①酸性②不穩(wěn)定性③強(qiáng)氧化性．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（15分）（2012?重慶）金剛石、SiC具有優(yōu)良的耐磨、耐腐蝕特性，應(yīng)用廣泛．
（1）碳與短周期元素Q的單質(zhì)化合僅能生成兩種常見(jiàn)氣態(tài)化合物，其中一種化合物R為非極性分子．碳元素在周期表中的位置是             ，Q是             ，R的電子式為             ．
（2）一定條件下，Na還原CCl4可制備金剛石，反應(yīng)結(jié)束冷卻至室溫后，回收其中的CCl4的實(shí)驗(yàn)操作名稱為             ，除去粗產(chǎn)品中少量鈉的試劑為             ．
（3）碳還原SiO2制SiC，其粗產(chǎn)品中雜質(zhì)為Si和SiO2．現(xiàn)將20.0g SiC粗產(chǎn)品加入到過(guò)量的NaOH溶液中充分反應(yīng)，收集到0.1mol氫氣，過(guò)濾得SiC固體11.4g，濾液稀釋到1L．生成氫氣的離子方程式為             ，硅酸鹽的物質(zhì)的量濃度為             ．
（4）下列敘述正確的有             （填序號(hào)）．
①Na還原CCl4的反應(yīng)、Cl2與H2O的反應(yīng)均是置換反應(yīng)
②水晶、干冰熔化時(shí)克服粒子間作用力的類型相同
③Na2SiO3溶液與SO3的反應(yīng)可用于推斷Si與S的非金屬性強(qiáng)弱
④鈉、鋰分別在空氣中燃燒，生成的氧化物中陰陽(yáng)離子數(shù)目比均為1：2．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：實(shí)驗(yàn)題

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用過(guò)量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時(shí)得到一種可燃性氣體；
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(Si＋3HClSiHCl3＋H2)；
③SiHCl3與過(guò)量的H2在1 100～1 200 ℃的溫度下反應(yīng)制得純硅，已知SiHCl3能與水劇烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答：
(1)第一步制取粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                        。
(2)粗硅與HCl氣體反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)－84.7 ℃)，提純SiHCl3采用的方法為                      。
(3)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3與過(guò)量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是      ，裝置C中的燒杯需要加熱，目的是                    。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是                               ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是                              ，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                               。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及                               。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

硅是構(gòu)成無(wú)機(jī)非金屬材料的一種主要元素，下列有關(guān)硅的化合物的敘述錯(cuò)誤的是(　　)。
A．氮化硅陶瓷是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料，其化學(xué)式為Si3N4
B．碳化硅(SiC)的硬度大，熔點(diǎn)高，可用于制作高溫結(jié)構(gòu)陶瓷和軸承
C．光導(dǎo)纖維是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料，其主要成分為SiO2
D．二氧化硅為立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其晶體中硅原子和硅氧單鍵的個(gè)數(shù)之比為1∶2

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

氮化硅可用作高溫陶瓷復(fù)合材料，在航空航天、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)、機(jī)械等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由石英砂合成氮化硅粉末的路線如下圖所示：

其中－NH2中各元素的化合價(jià)與NH3相同。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)石英砂不能與堿性物質(zhì)共同存放，以NaOH為例，用化學(xué)反應(yīng)方程式表示其原因：                                                             。
(2)圖示①～⑤的變化中，屬于氧化還原反應(yīng)的是                         。(3)SiCl4在潮濕的空氣中劇烈水解，產(chǎn)生白霧，軍事工業(yè)中用于制造煙霧劑。SiCl4水解的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                              。
(4)在反應(yīng)⑤中，3 mol Si(NH2)4，在高溫下加熱可得1 mol氮化硅粉末和8 mol A氣體，則氮化硅的化學(xué)式為                                            。
(5)在高溫下將SiCl4在B和C兩種氣體的氣氛中，也能反應(yīng)生成氮化硅，B和C兩種氣體在一定條件下化合生成A。寫(xiě)出SiCl4與B和C兩種氣體反應(yīng)的化學(xué)方程式                     。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列說(shuō)法中，正確的是（  ）
A．酸性氧化物都不與酸溶液反應(yīng)
B．陶瓷、水泥及所有的玻璃都是硅酸鹽產(chǎn)品
C．某些非金屬單質(zhì)既能與酸反應(yīng)也能與堿反應(yīng)
D．硅酸鹽都是難溶于水的

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

獲取知識(shí)和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質(zhì)，信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開(kāi)材料科學(xué)的推動(dòng)。信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅，單晶硅可用來(lái)制作大規(guī)模集成電路、整流器等，硅純度越高，大規(guī)模集成電路的性能就越好。高純度的單晶硅生產(chǎn)方法有：
方法一：三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

方法二：用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷，再熱分解硅烷可得高純硅。
根據(jù)上述信息回答以下問(wèn)題：
(1)從方法一生產(chǎn)單晶硅的過(guò)程看，由焦炭還原得到的硅為何還要進(jìn)一步處理？_________________________________________________________。
(2)寫(xiě)出方法二中生產(chǎn)高純硅的兩個(gè)化學(xué)方程式：
①____________________________________________________________；
②__________________________________________________________。
(3)寫(xiě)出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)方程式：____________________________________。
(4)在方法一中，整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式：________________；H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，可能引起的后果是_____________________________________________________。
(5)比較方法一和方法二，分析一下各自的優(yōu)缺點(diǎn)____________________________________。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：單選題

下列關(guān)于SiO2和CO2的敘述中正確的是（  ）。
A．兩者都是酸性氧化物，故都不與酸反應(yīng)
B．兩者都可以與NaOH溶液反應(yīng)
C．CO2的熔、沸點(diǎn)比SiO2高
D．兩者都能與水反應(yīng)生成對(duì)應(yīng)的酸

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案