(11分)
Ⅰ.(8分)氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可由石英與焦炭在高溫的氮?dú)饬髦,通過(guò)以下反應(yīng)制得:
(1)配平上述反應(yīng)的化學(xué)方程式(將化學(xué)計(jì)量數(shù)填在方框內(nèi));
(2)若知上述反應(yīng)每產(chǎn)生2.24LCO氣體(折為標(biāo)準(zhǔn)狀況)放出QkJ的熱量,則其熱化學(xué)方程式為
(3)用軌道表示式表達(dá)Si 核外電子排布情況
(4)已知Si的電負(fù)性為1.8 ,H的電負(fù)性為2.1,N的電負(fù)性為3.0 ,則SiH4 中硅的化合價(jià)為 ,Si3N4所屬的化合物類型是 (填離子化合物or共價(jià)化合物),在前四周期的元素中,未成對(duì)電子數(shù)最多的元素的電子排布式為
Ⅱ.(3分)用CH4催化還原NOx可以消除氮氧化物的污染。例如:
CH4(g)+4NO2(g)=4NO(g)+CO2(g)+2H2O(g) ΔH=-574 kJ·mol-1
2N2(g)+CO2(g)+2H2O(g)=CH4(g)+4NO(g) ΔH=+1160 kJ·mol-1
若用標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48LCH4還原NO2至N2 ,整個(gè)過(guò)程中轉(zhuǎn)移的電子總數(shù)為 (阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示),放出的熱量為 kJ。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
高溫 |
c12(HCl) |
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2) |
c12(HCl) |
c3(SiCl4)c2(N2)c6(H2) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、通入足量的氧氣 | B、有無(wú)氧氣無(wú)影響 | C、可在氮?dú)鈿夥罩泻铣?/span> | D、通入少量氧氣 |
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