SO3分子的構(gòu)型為平面三角形，它采用的雜化類型是（　�。�?

A.sp雜化?

B.sp2雜化?

C.sp3雜化?

D.沒有雜化，只有三個σ鍵

B?


解析:

SO3分子中S的價電子對數(shù)是3，所以采取的是sp2雜化，3個sp2雜化軌道呈平面三角形，又由于3個雜化軌道均與O原子形成化學(xué)鍵，所以分子的構(gòu)型也為平面三角形。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E．B的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相同；D原子的核外成對電子數(shù)是未成對電子數(shù)的3倍．A、B、D三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體，A、B二種元素組成的原子個數(shù)比為1：1的化合物N是常見的有機溶劑．E的原子序數(shù)為26．請根據(jù)以上情況，回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E用所對應(yīng)的元素符號表示）
（1）下列敘述正確的是
ad
ad
．（填字母）
a．M分子空間構(gòu)型為平面三角形，而BD2為直線形，BA4為正四面體形
b．M和BD2分子中的中心原子均采取sp2雜化，而CA3分子中采取sp3雜化
c．N 是非極性分子，且分子中σ鍵 和π鍵的個數(shù)比為3：1
d．BD2晶體的熔點、沸點都比二氧化硅晶體的低
（2）B、C、D三種元素的電負(fù)性由小到大的順序為
C＜N＜O
C＜N＜O
；C的第一電離能大于D的第一電離能原因是
N原子2p軌道處于半充滿狀態(tài)，能量低
N原子2p軌道處于半充滿狀態(tài)，能量低
．
（3）化合物CA3的沸點比化合物BA4的高，其主要原因是
NH3分子之間存在氫鍵
NH3分子之間存在氫鍵
．
（4）B、D、E三元素能形成化合物E（BD）5，常溫下呈液態(tài)，熔點為-20.5℃，沸點為103℃．據(jù)此可判斷E（BD）5晶體為
分子晶體
分子晶體
．基態(tài)E2+離子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d6
1s22s22p63s23p63d6
．
（5）化合物BD與元素B、C形成的陰離子互為等電子體，陰離子的化學(xué)式是
CN-
CN-
．

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科目：高中化學(xué) 來源：學(xué)習(xí)高手選修化學(xué)(物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)人教版) 人教版 題型：013

SO3分子的構(gòu)型為平面三角形，它采用的雜化類型是

[　　]

A．

sp雜化

B．

sp2雜化

C．

sp3雜化

D．

沒有雜化，只有三個σ鍵

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

SO3分子的構(gòu)型為平面三角形，它采用的雜化類型是（　�。�?

A.sp雜化?

B.sp2雜化?

C.sp3雜化?

D.沒有雜化，只有三個σ鍵

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

SO3分子的構(gòu)型為平面三角形，它采用的雜化類型是


  1. A.
    sp雜化
  2. B.
    sp2雜化
  3. C.
    sp3雜化
  4. D.
    沒有雜化，只有三個σ鍵

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