A.若X為鋅棒,Y為NaCl溶液,開關(guān)K置于M處,可減緩鐵的腐蝕,這種方法稱為犧牲陰極保護(hù)法 |
B.若X為碳棒,Y為NaCl溶液,開關(guān)K置于N處,可減緩鐵的腐蝕,溶液中的陰離子向鐵電極移動 |
C.若X為銅棒,Y為硫酸銅溶液,開關(guān)K置于M處,銅棒質(zhì)量將增加,此時外電路中的電子向銅電極移動 |
D.若X為銅棒,Y為硫酸銅溶液,開關(guān)K置于N處,鐵棒質(zhì)量將增加,溶液中銅離子濃度將減小 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
無水AlCl3 |
實(shí)驗方案 | 實(shí)驗現(xiàn)象 | 能否說明水解 |
①將錐形瓶中白霧通入HNO3酸化的AgNO3溶液 | ||
②將充分冒白霧后的液體抽濾,得不溶性固體,將 固體分成兩份 |
兩份固體均溶解 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年陜西省高三上學(xué)期第三次教學(xué)質(zhì)量檢測理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:實(shí)驗題
清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機(jī)物,無機(jī)鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好;卮鹣铝袉栴}
Ⅰ.(1)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ,對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH一反應(yīng),生成SiO44一,然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為 。
(2)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗證Seidel的理論是否正確,完成以下實(shí)驗:
|
實(shí)驗事實(shí) |
事實(shí)一 |
水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。 |
事實(shí)二 |
盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。 |
事實(shí)三 |
普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。 |
事實(shí)四 |
在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點(diǎn)著后燜燒,可劇烈放出H2。 |
事實(shí)五 |
1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。 |
結(jié)論:從實(shí)驗上說明堿性水溶液條件下,H2O可作 劑;NaOH作_____ 劑,降低反應(yīng) 。高溫?zé)o水環(huán)境下,NaOH作 劑。
Ⅱ.在工業(yè)中利用鎂制取硅:2Mg+SiO22MgO+Si,同時有副反應(yīng)發(fā)生:2Mg+SiMg2Si,Mg2Si遇鹽酸迅速反應(yīng)生成SiH4(硅烷),SiH4在常溫下是一種不穩(wěn)定、易分解的氣體。如圖是進(jìn)行Mg與SiO2反應(yīng)的實(shí)驗裝置:
由于氧氣的存在對該實(shí)驗有較大影響,實(shí)驗中應(yīng)通入氣體X作為保護(hù)氣,試管中的固體藥品可選用________(填序號)。 a.石灰石 b.鋅! .純堿
(4)實(shí)驗開始時,必須先通入X氣體,再加熱反應(yīng)物,其理由是______________________________,當(dāng)反應(yīng)開始后,移走酒精燈反應(yīng)能繼續(xù)進(jìn)行,其原因是___________________________。
(5)反應(yīng)結(jié)束后,待冷卻至常溫時,往反應(yīng)后的混合物中加入稀鹽酸?捎^察到閃亮的火星,產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因用化學(xué)方程式表示為_______________________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題
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科目:高中化學(xué) 來源:2009-2010學(xué)年江蘇省泰州市高一(下)期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:解答題
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