下列有關(guān)晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是


  1. A.
    在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵
  2. B.
    在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
  3. C.
    NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl—有6個(gè);
  4. D.
    CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl—有8個(gè)
B
面心立方中,我們可以看成是以該原子為中心的三個(gè)面,每個(gè)面上有4個(gè),共有12個(gè)。
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在下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是( 。

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下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是(  )

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下列有關(guān)晶體的敘述中,錯(cuò)誤的是(  )
A、在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵B、在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子C、NaCl晶體中與每個(gè)Na+距離相等且最近的Cl-有6個(gè)D、CsCl晶體中與每個(gè)Cs+距離相等且最近的Cl-有8個(gè)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(1)下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是
 

A.石英晶體中的硅原子以sp2雜化方式與周圍的氧原子形成共價(jià)鍵
B.氯化鈉晶體中每個(gè)Na+或Cl-周圍緊鄰的有6個(gè)Cl-或Na+
C.在CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl-,而和每個(gè)Cl-等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+
D.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
(2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型.某同學(xué)畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,請(qǐng)改正圖精英家教網(wǎng)
中錯(cuò)誤:
 
.(用文字表述)
(3)第三周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表:
氟化物 NaF MgF2 SiF4
熔點(diǎn)/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:
 

(4)人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn).有研究表明,化合物X可用于研究模擬酶,當(dāng)其結(jié)合精英家教網(wǎng)或Cu(I)(I表示化合價(jià)為+1)時(shí),分別形成a和b:
分析a和b中微粒間的相互作用(包括化學(xué)鍵和分子間相互作用)的差異,試指出
其不同點(diǎn):a中含
 
,b中含
 
.(用“氫鍵”、“配位鍵”、“極性鍵”、“非極性鍵”等填空)

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