Question

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn)，回答有關(guān)問(wèn)題．

物質(zhì)	Na	NaCl	NaBr	Nal	NaCl	KCl	RbCl	CsCl
熔點(diǎn)/℃	995	801	755	651	801	776	715	616
物質(zhì)	SiFi4	SiCl4	SiBr4	Sil4	SiCl4	GiCl4	SbCl4	PbCl4
熔點(diǎn)/℃	-90.4	-70.4	5.2	120	70.4	49.5	36.2	15

（1）鈉的鹵化物及堿金屬的氯化的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的

 

有關(guān)，隨著

 

的增大，熔點(diǎn)依次減低．
（2）硅的鹵化物熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)高的得多，這與

 

有關(guān)，因?yàn)橐话?div id="haex8no" class='quizPutTag' contenteditable='true'> 

比

 

熔點(diǎn)高．

Answer 1

考點(diǎn)：晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系,元素周期律的作用

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：（1）離子晶體中離子的半徑越小，離子鍵強(qiáng)度越大，熔點(diǎn)越高，所以鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的半徑有關(guān)，隨著半徑的增大，熔點(diǎn)逐漸降低；
（2）分子晶體的熔點(diǎn)與分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，所以硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量有關(guān)，隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增強(qiáng)，故熔點(diǎn)逐漸升高．

解答： 解：（1）離子晶體中離子的半徑越小，離子鍵強(qiáng)度越大，熔點(diǎn)越高，所以鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的半徑有關(guān)，隨著半徑的增大，熔點(diǎn)逐漸降低；故答案為：半徑，半徑；
（2）分子晶體的熔點(diǎn)與分子間作用力有關(guān)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，所以硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量有關(guān)，隨著相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增強(qiáng)，故熔點(diǎn)逐漸升高，故答案為：相對(duì)分子質(zhì)量；相對(duì)分子質(zhì)量；分子間作用力．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了晶體類型與晶體熔點(diǎn)的關(guān)系，根據(jù)影響晶體熔點(diǎn)的因素分析，題目難度不大．