【題目】有A、B、C、D、四種短周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大，已知A和C原子最外層只有一個電子，C單質(zhì)燃燒時的焰色為黃色，C單質(zhì)在加熱條件下與B的單質(zhì)充分反應(yīng)可以產(chǎn)生淡黃色固體化合物，A單質(zhì)與D單質(zhì)可以發(fā)生化合反應(yīng)，且反應(yīng)條件可以是點燃或者光照，試根據(jù)以上敘述回答：
（1）寫出A、B、C、D的元素符號：ABCD
（2）寫出反應(yīng)的化學(xué)方程式： ①A單質(zhì)與D單質(zhì)反應(yīng)： ．
②C單質(zhì)與B單質(zhì)在加熱的條件下反應(yīng)： ．

【答案】
（1）H；O；Na；Cl
（2）H2+Cl2 2HCl；2Na+O2 Na2O2
【解析】解：已知A和C原子最外層只有一個電子，說明A和C為第ⅠA族元素，C燃燒時的焰色反應(yīng)是黃色，則C為Na元素，C的單質(zhì)在高溫下與B的單質(zhì)充分反應(yīng)可以產(chǎn)生淡黃色固態(tài)化合物，可知B為O元素，生成的淡黃色固體為過氧化鈉，A單質(zhì)與D單質(zhì)可以發(fā)生化合反應(yīng)，且反應(yīng)條件可以是點燃或者光照，應(yīng)為氫氣與氯氣的反應(yīng)，則A為H元素，D為Cl元素，（1）由以上分析可知A、B、C、D的元素名稱分別為氫、氧、鈉、氯，所以答案是：H；O；Na；Cl；（2）①氫氣與氯氣反應(yīng)生成氯化氫，反應(yīng)的方程式為H2+Cl2 2HCl，所以答案是：H2+Cl2 2HCl；②鈉在加熱條件下和氧氣反應(yīng)生成過氧化鈉，反應(yīng)方程式為2Na+O2 Na2O2 ， 所以答案是：2Na+O2 Na2O2 ．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】N2和 H2在催化劑表面合成氨的微觀歷程及能量變化的示意圖如下，用 、 、 分別表示N2、H2、NH3 ， 下列說法正確的是（ ）

A.使用催化劑，合成氨反應(yīng)放出的熱量減少
B.在該過程中，N2、H2斷鍵形成N原子和H原子
C.在該過程中，N原子和H原子形成了含有非極性鍵的NH3
D.合成氨反應(yīng)中，反應(yīng)物斷鍵吸收能量大于生成物形成新鍵釋放的能量

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】能證明SO2有漂白性的是

A. 酸性高錳酸鉀溶液中通入SO2氣體后紫色消失

B. 顯紅色的酚酞溶液中通入SO2氣體后紅色消失

C. 品紅溶液中通入SO2氣體后紅色消失

D. 溴水中通入SO2氣體后橙色消失

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下面關(guān)于硅的敘述中，正確的是（ ）

A. 粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng)

B. 硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素，硅在地殼中的含量在所有的元素中居第一位

C. 硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，在自然界中可以以游離態(tài)存在

D. 硅在電子工業(yè)中，是重要的半導(dǎo)體材料

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途，如銅用來制電纜，五水硫酸銅可用作殺菌劑．
（1）將一塊缺角的硫酸銅晶體置于飽和硫酸銅溶液中會慢慢變成了完整晶體，這一現(xiàn)象體現(xiàn)了晶體的性，若不考慮溶劑揮發(fā)，硫酸銅溶液的質(zhì)量 ． （填“變大”、“變小”或“不變”）
（2）往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成[Cu（NH3）4]2+配離子，已知NF3與NH3的空間構(gòu)型都是三角錐形，但NF3不易與Cu2+形成配離子，其原因是 ．
（3）[Cu（NH3）4]2+具有對稱的空間構(gòu)型，[Cu（NH3）4]2+中的兩個NH3被兩個Cl﹣取代，能得到兩種結(jié)構(gòu)不同的產(chǎn)物，則[Cu（NH3）4]2+的空間構(gòu)型為 ． （填“正四面體形”或“正四邊形”）
（4）膽礬CuSO45H2O可寫[Cu（H2O）4]SO4H2O，其結(jié)構(gòu)示意如圖1：

下列有關(guān)膽礬的說法不正確的是 ．
A.游泳池的池水中往往定期加一些膽礬，是因為銅離子有一定的殺菌作用
B.膽礬中氧原子存在配位鍵和氫鍵兩種化學(xué)鍵
C.Cu2+的價電子排布式為3d84s1
D.膽礬中的水在不同溫度下會分步失去
（5）《X射線金相學(xué)》中記載了關(guān)于銅與金可形成的兩種有序的金屬互化物，其晶胞如圖2．則圖中Ⅰ、Ⅱ?qū)?yīng)物質(zhì)的化學(xué)式分別為、 ． 設(shè)圖Ⅰ晶胞的邊長為α cm，對應(yīng)金屬互化物的密度為ρ gcm﹣3 ， 則阿伏加德羅常數(shù)NA的值可表示為 ． （只要求列出算式）．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】某化學(xué)學(xué)習(xí)小組設(shè)計如圖實驗裝置（夾持裝置略去）制備氯氣并探究氯氣的相關(guān)性質(zhì)．D裝置為分液漏斗形狀，低進(jìn)高出．

（1）若A裝置中固體藥品為MnO2 ， 寫出其離子反應(yīng)方程式；若A裝置中固體藥品為KC1O3 ， 則反應(yīng)中每生成1mol Cl2時轉(zhuǎn)移電子數(shù)目為 ．
（2）裝置B的作用是和 ， 若C處發(fā)生了堵塞，則B中的現(xiàn)象 ．
（3）裝置C的作用是驗證氯氣是否具有漂白性，I處是濕潤的有色布條，則II、III處應(yīng)加入的物質(zhì)分別是和 ．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】【化學(xué)-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等．回答下列問題：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 ．
（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑GaAs，第一電離能GaAs．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為 ， 其中As的雜化軌道類型為 ．
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是 ．
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ gcm﹣3 ， 其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．
該晶體的類型為 ， Ga與As以鍵鍵合．Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 ， 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA ， 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 ．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】短周期元素X、Y、Z、W、Q在元素周期表中的相對位置如圖所示．下列說法正確的是（ ）
A.元素X與元素Z的最高正化合價之和的數(shù)值等于8
B.原子半徑的大小順序為：rX＞rY＞rZ＞rW＞rQ
C.離子Y2﹣和Z3+的核外電子數(shù)和電子層數(shù)都不相同
D.元素W的最高價氧化物對應(yīng)的水化物的酸性比Q的強(qiáng)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】氯氣在工業(yè)上有著重要的用途，某興趣小組在實驗室中模擬工業(yè)上用氯氣制備無水氯化鋁（無水AlCl3（183℃升華）遇潮濕空氣即產(chǎn)生大量白霧）．可用下列裝置制備．

（1）裝置B中盛放溶液，其作用是 ． F中的是溶液，其作用是 ． 用一件儀器裝填適當(dāng)試劑后也可起到F和G的作用，所裝填的試劑為 ．

（2）裝置A實驗開始時，先檢查裝置氣密性，接下來的操作依次是（填序號）．
A．往燒瓶中加入MnO2粉末
B．加熱
C．往燒瓶中加入濃鹽酸
（3）制備反應(yīng)會因鹽酸濃度下降而停止．為測定反應(yīng)殘余液中鹽酸的濃度，探究小組同學(xué)提出很多實驗方案，其中方案之一為讓殘留的液體與足量Zn反應(yīng)，測量生成的H2體積．裝置如右圖所示（夾持器具已略去）．
①使Y形管中的殘余清液與鋅粒反應(yīng)的正確操作是將轉(zhuǎn)移到中．
②反應(yīng)完畢，每間隔1分鐘讀取氣體體積、氣體體積逐漸減小，直至不變．氣體體積逐次減小的原因是（排除儀器和實驗操作的影響因素）．
（4）該小組同學(xué)查資料得知：將氯酸鉀固體和濃鹽酸混合也能生成氯氣，同時有大量ClO2生成；ClO2沸點為10℃，熔點為﹣59℃，液體為紅色；Cl2沸點為﹣34℃，液態(tài)為黃綠色．設(shè)計最簡單的實驗驗證Cl2中含有ClO2 ．

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同步練習(xí)冊答案