Question

硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。

(1)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為____________。

(2)硅也有系列氫化物-----硅烷，SiH4分子中H原子的1s軌道與Si原子的__________軌道重疊形成Si—H σ鍵。 

(3)硅烷(SinH2n+2)的沸點與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示，這種變化關(guān)系原因是

___________________________________________________________________________。 

(4)科學家們在高溫高壓下將CO2制成與SiO2結(jié)構(gòu)類似的新型CO2晶體。這種新型CO2晶體與SiO2相比，熔點更高的是____________________；原因是__________________

___________________________________________________________________________。

(5)在硅酸鹽中，Si四面體[如下圖(a)]通過共用頂角氧離子可形成多種結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根X；

X中Si與O的原子數(shù)之比為________________，化學式為____________________。 

Answer 1

(1)M (2分)

(2)sp3雜化(2分)

(3)硅烷屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，范德華力越大，溶沸點越高(3分)

(4)新型CO2晶體(2分)

 二者都是原子晶體，碳原子半徑小，C-O鍵鍵長短，鍵能大，溶沸點更高(3分)

(5) 1:3(2分) ， (SiO3)n2n-  (2分)