Question

已知：A、B、C、D、E、F是周期表中前36號元素，A是原子半徑最小的元素，B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個電子，C元素的基態(tài)原子L層只有2對成對電子，D是元素周期表中電負性最大的元素，E²⁺的核外電子排布和Ar原子相同，F(xiàn)的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)之和．
請回答下列問題：
（1）分子式為BC₂的空間構(gòu)型為

直線型

；F²⁺的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹

．
（2）A分別與B、C形成的最簡單化合物的穩(wěn)定性B

小于

C（填“大于”或“小于”）；
A、C兩元素可組成原子個數(shù)比為1：1的化合物，C元素的雜化類型為

sp³

．
（3）A₂C所形成的晶體類型為

分子晶體

；F單質(zhì)形成的晶體類型為

金屬晶體

，其采用的堆積方式為

面心立方最密堆積

．
（4）F元素氧化物的熔點比其硫化物的

高

（填“高”或“低”），請解釋其原因

CuO的晶格能大于CuS的晶格能

．
（5）D跟E可形成離子化合物其晶胞結(jié)構(gòu)如圖．該離子化合物晶體的密度為ρg?cm^-3．則晶胞的體積是

5.2×10-22

ρ

cm^-3

（用含ρ的代數(shù)式表示）．

Answer 1

分析：A、B、C、D、E、F是周期表中前36號元素，A是原子半徑最小的元素，則A為H元素；B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個電子，B原子核外電子排布式為1s²2s²2p²，則B為C元素；C元素的基態(tài)原子L層只有2對成對電子，則C原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁴，則B為O元素；D是元素周期表中電負性最大的元素，則D為F元素；E²⁺的核外電子排布和Ar原子相同，則E原子核外電子數(shù)為18+2=20，則E為Ca；F的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)之和，則F的核電荷數(shù)為9+20=29，則F為Cu，據(jù)此解答．

解答：解：A、B、C、D、E、F是周期表中前36號元素，A是原子半徑最小的元素，則A為H元素；B元素基態(tài)原子的2P軌道上只有兩個電子，B原子核外電子排布式為1s²2s²2p²，則B為C元素；C元素的基態(tài)原子L層只有2對成對電子，則C原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁴，則C為O元素；D是元素周期表中電負性最大的元素，則D為F元素；E²⁺的核外電子排布和Ar原子相同，則E原子核外電子數(shù)為18+2=20，則E為Ca；F的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)之和，則F的核電荷數(shù)為9+20=29，則F為Cu，
（1）CO₂的空間構(gòu)型為直線型；Cu²⁺的核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹，
故答案為：直線型；1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；
（2）A分別與B、C形成的最簡單化合物為CH₄、H₂O，非金屬性C＜O，故穩(wěn)定性CH₄＜H₂O；A、C兩元素可組成原子個數(shù)比為1：1的化合物為H₂O₂，O原子成2個σ鍵、含有2對孤對電子，雜化軌道數(shù)為4，采取sp³雜化，
故答案為：小于；sp³；
（3）H₂O所形成的晶體類型為分子晶體；Cu單質(zhì)形成的晶體類型為金屬晶體，其采用的堆積方式為面心立方最密堆積，
故答案為：分子晶體；金屬晶體；面心立方最密堆積；
（4）氧離子半徑小于硫離子半徑，CuO的晶格能大于CuS的晶格能，故CuO晶體的沸點較高，
故答案為：高；CuO的晶格能大于CuS的晶格能；
（5）晶胞中氟離子數(shù)目=8、鈣離子數(shù)目=8×

1

8

+6×

1

2

=4，故晶胞質(zhì)量=

4×78

6.02×1023

g，離子化合物晶體的密度為ρg?cm^-3．則晶胞的體積=

4×78 6.02×1023g

ρ g/cm3

=

5.2×10-22

ρ

cm^-3，
故答案為：

5.2×10-22

ρ

cm^-3．

點評：本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及核外電子排布規(guī)律、雜化理論、分子結(jié)構(gòu)、晶體類型與性質(zhì)、晶胞計算等，推斷元素是解題的關(guān)鍵，（5）中注意利用均攤法進行晶胞計算．