【題目】元素銅(Cu)、砷(As)、鎵(Ga)等形成的化合物在現(xiàn)代工業(yè)中有廣泛的用途,回答下列問(wèn)題:

(1)基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布式為_____________,價(jià)電子中未成對(duì)電子占據(jù)原子軌道的形狀是__________________________。

(2)化合物AsCl3分子的立體構(gòu)型為________________,其中As的雜化軌道類型為_____________。

(3)第一電離能Ga__________As(“>”“<”)

(4)若將絡(luò)合離子[Cu(CN)4]2-中的2個(gè)CN- 換為兩個(gè)Cl-,只有一種結(jié)構(gòu),則[Cu(CN-)4]2-4個(gè)氮原子所處空間構(gòu)型為_______________,一個(gè)CN-中有__________個(gè)π鍵。

(5)砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

熔點(diǎn)為1238℃,密度為g·cm-3,該晶體類型為______________GaAs__________鍵鍵合,GaAs的相對(duì)原子質(zhì)量分別為MaMb,原子半徑分別為racmrbcm,阿伏加德羅常數(shù)值為NAGaAs晶胞中原子體積占晶胞體積的百分率為____________________。(列出計(jì)算公式)

【答案】3d104s1 球形 三角錐形 sp3 < 正四面體 2 原子晶體 共價(jià)鍵

【解析】

本題考查的是原子核外電子排布、元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用,、晶胞的計(jì)算、原子軌道雜化方式及雜化類型判斷。

1)銅是29號(hào)元素,原子核外電子數(shù)為29,根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫銅的基態(tài)原子價(jià)電子電子排布式。

2AsCl3中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+(53×1)/2=4,所以原子雜化方式是sp3,由于有一對(duì)孤對(duì)電子對(duì),分子空間構(gòu)型為三角錐形;

3)同一周期,原子序數(shù)越小半徑越大,同周期第一電離能從左到右,逐漸增大;

4)若[Cu(CN-)4]2-4個(gè)氮原子為平面構(gòu)型,用兩個(gè)Cl-2個(gè)CN- 有兩種結(jié)構(gòu),分別為兩個(gè)Cl-換相鄰或相對(duì),若[Cu(CN-)4]2-4個(gè)氮原子為正四面體構(gòu)型,用兩個(gè)Cl-2個(gè)CN- 有一種結(jié)構(gòu);由于共價(jià)鍵單鍵中含有一個(gè)σ鍵,雙鍵中含有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵,三鍵中有一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵;

5GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,熔點(diǎn)較高,以共價(jià)鍵結(jié)合形成屬于原子晶體,密度為ρgcm3,根據(jù)均攤法計(jì)算,As8×1/8+6×1/2=4Ga4×1=4,故其晶胞中原子所占的體積V1=(4/3πr3b×4+4/3πr3a×4)×1030,晶胞的體積V2=m/ρ=[4×(Ma+Mb)/NA]/ρ,故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為V1/V2×100%V1、V2帶入計(jì)算得百分率。據(jù)此解答。

1Cu29號(hào)元素,原子核外電子數(shù)為29,銅的基態(tài)原子價(jià)電子電子排布式為3d104s1,價(jià)電子中未成對(duì)電子占據(jù)原子軌道的形狀是球形。本小題答案為:3d104s1;球形。

2AsCl3中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+(53×1)/2=4,所以原子雜化方式是sp3,由于有一對(duì)孤對(duì)電子對(duì),分子空間構(gòu)型為三角錐形。本小題答案為:三角錐形;sp3

3)根據(jù)元素周期律,GaAs位于同一周期,Ga原子序數(shù)小于As,故半徑Ga大于As,同周期第一電離能從左到右,逐漸增大,故第一電離能Ga小于As。本小題答案為:<

4)若[Cu(CN-)4]2-4個(gè)氮原子為平面構(gòu)型,用兩個(gè)Cl-2個(gè)CN- 有兩種結(jié)構(gòu),分別為兩個(gè)Cl-換相鄰或相對(duì),若[Cu(CN-)4]2-4個(gè)氮原子為正四面體構(gòu)型,用兩個(gè)Cl-2個(gè)CN- 有一種結(jié)構(gòu);由于共價(jià)鍵單鍵中含有一個(gè)σ鍵,雙鍵中含有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵,三鍵中有一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵, CN-中含有三鍵,三鍵中含有兩個(gè)π鍵。本小題答案為:正四面體;2。

5GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,熔點(diǎn)較高,以共價(jià)鍵結(jié)合形成屬于原子晶體,密度為ρgcm3,根據(jù)均攤法計(jì)算,As8×1/8+6×1/2=4Ga4×1=4,故其晶胞中原子所占的體積V1=(4/3πr3b×4+4/3πr3a×4)×1030,晶胞的體積V2=m/ρ=[4×(Ma+Mb)/NA]/ρ,故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為V1/V2×100%V1、V2帶入計(jì)算得百分率。本小題答案為:原子晶體;共價(jià)鍵; 。

練習(xí)冊(cè)系列答案
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(1)先用飽和碳酸鈉溶液煮沸鐵屑(含少量油污、鐵銹等),再用清水洗凈.用飽和碳酸鈉溶液煮沸的目的是________________.儀器a的名稱是______________.

(2)按如圖連接好裝置,經(jīng)檢驗(yàn)氣密性良好后加入相應(yīng)的藥品,打開K1K2,關(guān)閉K3,裝置B中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式可能_______________(填字母序號(hào)).

A.Fe+2H+=Fe2++H2↑ B.2Fe+6H+=2Fe3++3H2

C. Fe2 03+6H+=2Fe3+ +3H2O D. 2Fe3++Fe=3Fe2+

鐵屑快反應(yīng)完時(shí),打開____________,關(guān)閉____________,裝置B中的溶液會(huì)流入裝置A,其原因是_____________________.

(3)常溫下,將反應(yīng)后的溶液放置一段時(shí)間,瓶底將結(jié)晶析出硫酸亞鐵銨.為了測(cè)定晶體中Fe2+的含量,稱取一份質(zhì)量為4.0g的硫酸亞鐵銨晶體樣品,配成溶液.0.1mol·L-1酸性KMnO4溶液滴定至終點(diǎn),消耗KMnO4溶液體積為20.00mL.反應(yīng)到達(dá)滴定終點(diǎn)的現(xiàn)象為_________________,計(jì)算晶體中Fe2+的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為_________________.

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B. HS的電離方程式:HS+H2OS2-+H3O+

C. 由水電離出的c(H+)=1×10-13mol/L的溶液中,可能大量共存的離子:Fe3+、K+、NH4+、 SO42-、Cl、ClO

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①實(shí)驗(yàn)前,首先要精確配制一定物質(zhì)的量濃度的KMnO4溶液250 mL,配制時(shí)需要的儀器除天平、藥匙、玻璃棒、燒杯、量筒外,還需________(填寫儀器名稱)。

②滴定實(shí)驗(yàn)要用到酸式滴定管或堿式滴定管,使用該儀器的第一步操作是_______。

③某同學(xué)設(shè)計(jì)的下列滴定方式中,最合理的是________(夾持部分略去,填字母序號(hào)),達(dá)到滴定終點(diǎn)的現(xiàn)象是__________________________

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(2)溶液可用于檢驗(yàn)_________(填離子符號(hào));中碳原子雜化軌道類型為_____;1mol含有的π鍵數(shù)目為_______(用N表示);C、N、O第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>_________(用元素符號(hào)表示)。

(3)某M原子的外圍電子排布式為,銅與M形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示(黑點(diǎn)代表銅原子)。

①該晶體的化學(xué)式為__________________。

②已知銅和M的電負(fù)性分別為1.9和3.0,則銅與M形成的化合物屬于___________(填“離子”或“共價(jià)”)化合物。

③已知該晶體的密度為,阿伏加德羅常數(shù)為,則該晶體中銅原子和M原子之間的最短距離為____________________pm(只需寫出計(jì)算式)。

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A. 該物質(zhì)的分子式為C10H16O2

B. 該物質(zhì)不可能所有的碳原子共平面

C. 該物質(zhì)的一氯代物共有7

D. 該物質(zhì)能發(fā)生加成、取代、氧化、消去、還原等反應(yīng)

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