下列物質(zhì)中，熔點(diǎn)較低的是

[　　]

A．

氯化鋇

B．

硫化氫

C．

硅(原子晶體)

D．

硫酸銅

答案：B
解析：

硅屬于原子晶體，熔點(diǎn)很高；氯化鋇、硫酸銅屬于離子晶體，熔點(diǎn)較高；硫化氫在固態(tài)時(shí)屬于分子晶體，熔點(diǎn)較低．


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2013?浙江）《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊
請(qǐng)回答下列問題：
（1）N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：
電離能           I1       I2         I3         I4       …
In/kJ．mol-1     578      1817      2745      11578    …
則該元素是
Al
Al
（填寫元素符號(hào)）．
（2）基態(tài)鍺（Ge）原子的電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s24p2
1s22s22p63s23p63d104s24p2
．Ge的最高價(jià)氯化物分子式是
GeCl4
GeCl4
．該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有
CD
CD
．
A．是一種活潑的金屬元素  B．其電負(fù)性大于硫  C．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料  D．其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)
（3）關(guān)于化合物，下列敘述正確的有
BD
BD
．
A．分子間可形成氫鍵 B．分子中既有極性鍵又有非極性鍵 C．分子中有7個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵 D．該分子在水中的溶解度大于2-丁烯
（4）NaF的熔點(diǎn)
＞
＞
的熔點(diǎn)（填＞、=或＜），其原因是
兩者均為離子化合物，且電荷數(shù)均為1，但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點(diǎn)較低
兩者均為離子化合物，且電荷數(shù)均為1，但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點(diǎn)較低
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列物質(zhì)中，熔點(diǎn)較低的是(    )

A.氯化鋇           B.硫化氫                C.硅(原子晶體)             D.硫酸銅

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科目：高中化學(xué) 來源：2012屆山西省山大附中高三第一次模擬試題理綜化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

【化學(xué)－物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
原子序數(shù)依次遞增的甲、乙、丙、丁、戊是周期表中前30號(hào)元素，其中甲、乙、丙三元素的基態(tài)原子2p能級(jí)都有單電子，單電子個(gè)數(shù)分別是2、3、2；丁與戊原子序數(shù)相差18，戊元素是周期表中ds區(qū)的第一種元素�；卮鹣铝袉栴}：
（1）甲能形成多種常見單質(zhì)，在熔點(diǎn)較低的單質(zhì)中，每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)為     ；在熔點(diǎn)很高的兩種常見單質(zhì)中，X的雜化方式分別為       、        。
（2）14g乙的單質(zhì)分子中π鍵的個(gè)數(shù)為___________。
（3）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第
二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測(cè)丁元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第       電離能。
（4）戊的基態(tài)原子有       種形狀不同的原子軌道；
（5）丙和丁形成的一種離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，該晶體中陽離子的配位數(shù)為         。距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為              。已知該晶胞的密度為ρ g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長a=__________cm。 (用含ρ、NA的計(jì)算式表示)

（6）甲、乙都能和丙形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的常見微粒，推測(cè)這兩種微粒的空間構(gòu)型為      

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

下列物質(zhì)中，熔點(diǎn)較低的是


  1. A.
    氯化鋇
  2. B.
    硫化氫
  3. C.
    硅(原子晶體)
  4. D.
    硫酸銅

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