高錳酸鉀俗稱PP粉,為強氧化劑,遇到有機物就放出活性氧。這種氧有殺滅細(xì)菌的作用,且殺菌能力極強。某學(xué)生欲在實驗室配制1 L 0.06 mol/L KMnO4稀溶液,用來清洗傷口。

(1)實驗過程中需用托盤天平稱取KMnO4晶體的質(zhì)量為__________g。

(2)其操作步驟如下圖所示,則右圖所示操作應(yīng)在下圖中__________(填選項字母)之間。

A.②與③  B.①與②  C.④與⑤

(3)若該同學(xué)在配制溶液時,進行了如下操作,其中使所配溶液濃度偏低的操作有__________(填選項字母)。

A.稱量KMnO4晶體時,指針偏向右邊

B.將KMnO4晶體放在燒杯中溶解,冷卻后,轉(zhuǎn)移至含有少量蒸餾水的容量瓶中

C.定容時,仰視刻度線

D.振蕩搖勻后,發(fā)現(xiàn)溶液液面低于刻度線,再滴加少量蒸餾水至刻度線處

解析:m(KMnO4)=1×0.06×158=9.48(g)≈9.5 g。

答案:(1)9.5 (2)C (3)ACD

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(14分)高錳酸鉀俗稱PP粉,為強氧化劑,遇到有機物就放出活性氧。這種氧有殺滅細(xì)菌的作用,且殺菌能力極強。某學(xué)生欲在實驗室配制1 L 0.06 mol/L KMnO4稀溶液,用來清洗傷口。

(1)實驗過程中需用托盤天平稱取KMnO4晶體的質(zhì)量為__________g。

(2)其操作步驟如下圖所示,則右圖所示操作應(yīng)在下圖中__________(填選項字母)之間。

A.②與③  B.①與②  C.④與⑤

(3) 配制過程中需要用到的儀器有:托盤天平、藥匙、燒杯、       、                   

(4)若該同學(xué)在配制溶液時,進行了如下操作,其中使所配溶液濃度偏低的操作

有_______________(填選項字母)。

A.稱量KMnO4晶體時,指針偏向右邊

B.將KMnO4晶體放在燒杯中溶解,冷卻后,轉(zhuǎn)移至含有少量蒸餾水的容量瓶中

C.定容時,仰視刻度線

D.振蕩搖勻后,發(fā)現(xiàn)溶液液面低于刻度線,再滴加少量蒸餾水至刻度線處

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆山東省桓臺第二中學(xué)高三11月模塊檢測化學(xué)試卷 題型:實驗題

(14分)高錳酸鉀俗稱PP粉,為強氧化劑,遇到有機物就放出活性氧。這種氧有殺滅細(xì)菌的作用,且殺菌能力極強。某學(xué)生欲在實驗室配制1 L 0.06 mol/L KMnO4稀溶液,用來清洗傷口。
(1)實驗過程中需用托盤天平稱取KMnO4晶體的質(zhì)量為__________g。
(2)其操作步驟如下圖所示,則右圖所示操作應(yīng)在下圖中__________(填選項字母)之間。
A.②與③  B.①與②  C.④與⑤

(3) 配制過程中需要用到的儀器有:托盤天平、藥匙、燒杯、       、        、           
(4)若該同學(xué)在配制溶液時,進行了如下操作,其中使所配溶液濃度偏低的操作
有_______________(填選項字母)。
A.稱量KMnO4晶體時,指針偏向右邊
B.將KMnO4晶體放在燒杯中溶解,冷卻后,轉(zhuǎn)移至含有少量蒸餾水的容量瓶中
C.定容時,仰視刻度線
D.振蕩搖勻后,發(fā)現(xiàn)溶液液面低于刻度線,再滴加少量蒸餾水至刻度線處

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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年山東省高三11月模塊檢測化學(xué)試卷 題型:實驗題

(14分)高錳酸鉀俗稱PP粉,為強氧化劑,遇到有機物就放出活性氧。這種氧有殺滅細(xì)菌的作用,且殺菌能力極強。某學(xué)生欲在實驗室配制1 L 0.06 mol/L KMnO4稀溶液,用來清洗傷口。

(1)實驗過程中需用托盤天平稱取KMnO4晶體的質(zhì)量為__________g。

(2)其操作步驟如下圖所示,則右圖所示操作應(yīng)在下圖中__________(填選項字母)之間。

A.②與③  B.①與②  C.④與⑤

(3) 配制過程中需要用到的儀器有:托盤天平、藥匙、燒杯、        、                    

(4)若該同學(xué)在配制溶液時,進行了如下操作,其中使所配溶液濃度偏低的操作

有_______________(填選項字母)。

A.稱量KMnO4晶體時,指針偏向右邊

B.將KMnO4晶體放在燒杯中溶解,冷卻后,轉(zhuǎn)移至含有少量蒸餾水的容量瓶中

C.定容時,仰視刻度線

D.振蕩搖勻后,發(fā)現(xiàn)溶液液面低于刻度線,再滴加少量蒸餾水至刻度線處

 

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