現(xiàn)有周期表中前四周期A、B、C、D四種元素,A元素的單質(zhì)是第三周期中的半導(dǎo)體材料,B元素L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1,C元素在第三周期主族元素中原子半徑最小,D元素在前四周期中其未成對電子數(shù)最多.
(1)A元素的最高價氧化物的晶體類型是
 
,該氧化物中所含化學(xué)鍵類型是
 

(2)B元素的氣態(tài)氫化物分子極易溶于水,其原因是(至少答出兩點(diǎn))
 
,
 

(3)C元素單質(zhì)的熔點(diǎn)
 
A元素單質(zhì)的熔點(diǎn)(填“高于”或“低于”),主要原因是
 

(4)基態(tài)D原子的價電子排布式為
 
分析:現(xiàn)有周期表中前四周期A、B、C、D四種元素,A元素的單質(zhì)是第三周期中的半導(dǎo)體材料,則A為Si;B元素L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1,則原子核外電子排布為1s22s22p3,故B為N元素;C元素在第三周期主族元素中原子半徑最小,則C為Cl元素;D元素在前四周期中其未成對電子數(shù)最多,原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d54s1,則D為Cr,據(jù)此解答.
解答:解:現(xiàn)有周期表中前四周期A、B、C、D四種元素,A元素的單質(zhì)是第三周期中的半導(dǎo)體材料,則A為Si;B元素L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1,則原子核外電子排布為1s22s22p3,故B為N元素;C元素在第三周期主族元素中原子半徑最小,則C為Cl元素;D元素在前四周期中其未成對電子數(shù)最多,原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d54s1,則D為Cr,
(1)A為Si元素,其最高價氧化物為二氧化硅,屬于原子晶體,所含化學(xué)鍵類型是共價鍵,故答案為:原子晶體;共價鍵;
(2)B元素的氣態(tài)氫化物為NH3,NH3分子、水分子都是極性分子,NH3分子與水分子之間形成氫鍵,根據(jù)相似相溶原理,NH3易溶于水,
故答案為:分子、水分子都是極性分子,根據(jù)相似相溶原理;NH3分子與水分子之間形成氫鍵;
(3)氯氣形成分子晶體,Si單質(zhì)為原子晶體,故Si單質(zhì)的熔點(diǎn)更高,故答案為:低于;氯氣形成分子晶體,Si單質(zhì)為原子晶體;
(4)D元素在前四周期中其未成對電子數(shù)最多,原子核外電子排布為:1s22s22p63s23p63d54s1,故答案為:1s22s22p63s23p63d54s1
點(diǎn)評:本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用,涉及核外電子排布、晶體類型與性質(zhì)、化學(xué)鍵、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)等,難度中等,注意對核外電子排布規(guī)律于基礎(chǔ)知識的掌握.
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