(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。科學(xué)家預(yù)計,到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:    ①SiO2 + 2C Si + 2CO    ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl。回答下列問題:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是           (填序號)。
(2)反應(yīng)①和③屬于           。
A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是         。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

(1) ①②③ 。 (2) C 。(3)  B  。(每空2分)

解析

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。科學(xué)家預(yù)計,到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:     ①SiO2 + 2C  Si+ 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl;卮鹣铝袉栴}:

(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是            (填序號)。

(2)反應(yīng)①和③屬于           。

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)      C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)

(3)下列描述正確的是         。

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價的升降

C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計,到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:     ①SiO2 + 2C  Si + 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl;卮鹣铝袉栴}:

(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是            (填序號)。

(2)反應(yīng)①和③屬于            。

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)

(3)下列描述正確的是          。

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價的升降

C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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