Question

21.通常人們把拆開(kāi)1mol 某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵	Si—O	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
鍵能/ kJ·mol—1	460	360	436	431	176	347

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

⑴ 比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填＞或＜）

   SiC______ Si；  SiCl₄ ______ SiO₂

⑵ 圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，

請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

⑶ 工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取：

SiCl₄ (g) + 2H₂(g)  Si(s) + 4HCl(g)    

該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H = ___________ KJ/mol

Answer 1

答案：

⑴ ＞　　�。肌　　�

⑵ 如下圖

⑶ +236

解析：本題主要考查鍵能的大小與物質(zhì)性質(zhì)及反應(yīng)熱之間的關(guān)系。

（1）SiC與Si皆為原子晶體，由于Si—C鍵能大于Si—Si鍵能，故SiC的熔點(diǎn)比Si高；SiCl₄為分子晶體，SiO₂為原子晶體，前者的熔點(diǎn)低于后者。

（2）根據(jù)硅原子與硅原子可形成四個(gè)相等的硅硅鍵可知除立方體中心的硅原子處，與它相鄰的硅原子應(yīng)處于可形成正四面體的四個(gè)頂點(diǎn)上。

（3）根據(jù)題意所給反應(yīng)的舊化學(xué)鍵鍵能之和為：4×360 kJ·mol^－1+2×436 kJ·mol^－1=2312 kJ·mol^－1，新化學(xué)鍵鍵能之和為4×431 kJ·mol^－1+2×176 kJ·mol^－1（每摩硅原子相當(dāng)于形成2 mol

Si—Si）=2 076 kJ·mol^－1，所以反應(yīng)熱為：2312 kJ·mol^-1－2076 kJ·mol^-1=236 kJ·mol^-1。