Question

（2011?南京模擬）2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是

ls²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹（或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹）

．
（2）砷化鎵品胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為

4

，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為

正四面體

．
（3）下列說(shuō)法正確的是

BCDE

（填字母）．
A．砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性：As＞Ga
D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
E．GaP與GaAs互為等電子體
（4）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是

NH₃＞AsH₃＞PH₃

．
（5）砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃時(shí)制得．（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為

sp²

．

Answer 1

分析：（1）鎵是31號(hào)元素，根據(jù)基態(tài)原子核外電子排布式書(shū)寫(xiě)規(guī)則寫(xiě)出其基態(tài)原子核外電子排布式；
（2）利用均攤法計(jì)算晶胞中含有的砷原子；
（3）A、根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)分析判斷；
B、同一周期，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大，但第VA族的第一電離能大于第VIA族的第一電離能；
C、同一周期元素中，元素的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而增大；
D、含有空軌道的原子和含有孤電子對(duì)的原子之間易形成配位鍵；
E、原子總數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的分子為等電子體；
（4）同一主族元素中，氫化物的沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)的增大而增大，但含有氫鍵的氫化物的沸點(diǎn)最高；
（5）根據(jù)價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)確定雜化方式．

解答：解：（1）鎵原子的價(jià)態(tài)核外電子排布式為：l s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹（或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹）；
故答案為：l s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹（或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹）；
（2）砷原子（白色球）個(gè)數(shù)=8×

1

8

+6×

1

2

=4，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)知，每個(gè)鎵原子連接4個(gè)砷原子，構(gòu)成正四面體結(jié)構(gòu)；
故答案為：4，正四面體；
（3）A．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)知，砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl不同，故錯(cuò)誤；
B．第一電離能：As＞Ga，故正確；
C．電負(fù)性：As＞Ga，故正確；
D．砷提供孤電子對(duì)，鎵提供空軌道，所以砷化鎵晶體中含有配位鍵，故正確；
E．GaP與GaAs中原子總數(shù)相同、價(jià)電子數(shù)相同，所以互為等電子體，故正確；
故選BCDE；
（4）同一主族元素中，氫化物的沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)的增大而增大，但含有氫鍵的氫化物的沸點(diǎn)最高，NH₃能形成氫鍵，沸點(diǎn)最高，N、P、As的氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是NH₃＞AsH₃＞PH₃；  
故答案為：NH₃＞AsH₃＞PH₃；
（5）（CH₃）₃Ga中鎵原子含有3個(gè)σ 鍵，不含孤電子對(duì)，所以鎵原子的雜化方式是sp²；
故答案為：sp²．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了原子的雜化方式、核外電子排布式的書(shū)寫(xiě)、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的判斷等知識(shí)點(diǎn)，電子排布式的書(shū)寫(xiě)、原子的雜化方式是高考的熱點(diǎn)，是學(xué)習(xí)的重點(diǎn)．