鎵(Ga)、鍺( Ge)、砷(As)、硒(Se)均為第四周期的元素,它們?cè)诟呖萍技舛丝茖W(xué)特別是信息領(lǐng)域有著廣泛的用途。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答下列問(wèn)題:
(1)下列說(shuō)法不正確的是(選填序號(hào)) 。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:Se >As> Ge> Ga
C.鎵、鍺、砷、硒都屬于p區(qū)元素
D.半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
(2)砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3反應(yīng)制備得到,該反應(yīng)在700℃進(jìn)行,反應(yīng)的方程式為 ,AsH3空間形狀為 。
(3)Ge的核外電子排布式為 ,H2 Se中硒原子的雜化方式為 。
(4)AsH3沸點(diǎn)比NH3低,其原因是: 。
(1)AB (2)(CH3)3Ga +AsH3 GaAs+ 3CH4 三角錐
(3)1s2p62s22p63s23p63d104s24p2 sp3 (4)NH3分子間存在氫鍵
【解析】
試題分析:(1)A、NaCl晶胞中配位數(shù)是6,該晶胞中配位數(shù)是4,故晶胞結(jié)構(gòu)不同,錯(cuò)誤;B、第ⅥA族元素最外層電子排布為ns2np3,為半滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),第一電離能大于相鄰的同周期元素,錯(cuò)誤;D、原子數(shù)相同,最外層電子總數(shù)相同,故為等電子體,正確。(2)AsH3為sp3雜化,有一對(duì)孤電子對(duì),故為三角錐型;(4)NH3分子間存在氫鍵,溶沸點(diǎn)高。
考點(diǎn):考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)中晶胞結(jié)構(gòu)、等電子體、第一電離能、核外電子排布、雜化類型、熔沸點(diǎn)比較等內(nèi)容。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013-2014學(xué)年山東省臨沂市高三3月教學(xué)質(zhì)量檢測(cè)(一模)化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
鎵(Ga)、鍺(Ge)、砷(As)、硒(Se)均為第四周期的元素,它們?cè)诟呖萍技舛丝茖W(xué)特別是信息領(lǐng)域有著廣泛的用途。試回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)鍺原子的價(jià)電子排布式為_________________________________。
(2)沸點(diǎn):NH3________AsH3(填“>”、“<”或“=”,原因是_____________________。
(3)某砷的氧化物俗稱“砒霜”,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示,該化合物的分子式為_______,As原子采取__________雜化。
(4)H2SeO4和H2SeO3是硒的兩種含氧酸,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系,解釋H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因________________________。
(5)砷化鎵可由(CH3)2Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的方程式為_________________;砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長(zhǎng)為a pm,則每立方厘米該晶體中所含砷元素的質(zhì)量為____________g(用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。
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