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現有A、B、C、D四種元素，A、B元素的原子各有兩個電子層，C、D各有三個電子層；A與B能化合成無色、無味的氣體AB2；1 mol C單質與0.5 mol D單質能形成離子化合物C2D；B和D同主族，B的離子和C的離子核外電子數相等。試推斷這四種元素的名稱。
A、B、C、D分別為碳、氧、鈉、硫。

元素
已知條件（羅列已知條件，便于綜合分析）
推導結論
原子結構
周期表位置
元素性質
A
有兩個電子層
第2周期
A與B能化合成無色、無味的氣體AB2（CO2）
A元素為碳
B
有兩個電子層
第2周期ⅥA族
 
B元素為氧
D
有三個電子層
B和D同主族
 
D元素為硫
C
有三個電子層
第3周期
1 mol C單質與0.5 mol D單質能形成離子化合物C2D（Na2S）
C元素為鈉
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列各化合物中，陰離子半徑與陽離子半徑之比最大的是（　�。�?
A．LiBrB．KF
C．KBrD．NaCl

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是(    )
A．第ⅠA族元素都是堿金屬元素
B．第ⅦA族元素都是鹵族元素
C．氟元素在第ⅦA族，最高正化合價為+7，因此氟的最高價氧化物的分子式為F2O7
D．最外層有兩個電子的元素在第ⅡA族

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：計算題

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga、As分別位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。
（1）Ga原子和As原子最外層的電子數分別是多少？
（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是多少？
（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成與GaAs類似的化合物，該化合物也能用作半導體材料。試推斷該化合物的化學式。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

右圖是周期表中短周期的一部分，A、B、C三種元素原子核外電子數之和等于B的質量數，B原子核內質子數和中子數相等。下列敘述不正確的是(    )

A.三種元素原子半徑的大小順序是B＜A＜C
B.元素A最高價氧化物對應的水化物具有強酸性和強氧化性
C.B元素的氧化物、氫化物的水溶液都呈酸性
D.C元素的單質是非金屬單質中唯一能跟水劇烈反應的單質

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

欲尋求新的催化劑和制造耐高溫、耐腐蝕的合金材料，應對元素周期表中進行研究的區(qū)域是（   ）
A．堿金屬B．第ⅡA族元素
C．過渡元素D．金屬與非金屬分界線附近的元素

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

第7周期為不完全周期，若將來發(fā)現的元素把這一周期全部排滿，則下列有關第7周期元素的推論可能錯誤的是（   ）
A．第7周期排滿時，共32種元素，全是放射性元素
B．第7周期排滿時，最后一種元素的單質不與任何物質發(fā)生化學反應
C．第7周期第ⅦA族元素的原子序數為117，是金屬元素
D．第7周期排滿時，只有一種非金屬元素

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

最外層有2個電子的主族元素X與最外層有7個電子的另一主族元素Y化合，以下有關描述錯誤的是（　�。�
A．X與Y可形成XY2型離子化合物
B．在XY2中X的原子半徑比Y原子半徑大
C．在形成化合物XY2時，X元素被氧化而Y元素被還原
D．生成化合物一定溶于水

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

幾種短周期元素的原子半徑及主要化合價見下表
元素代號
L
M
Q
R
T
原子半徑/nm
0.160
0.143
0.102
0.089
0.074
主要化合價
+2
+3
+6,-2
+2
-2
  下列敘述正確的是
A．L、M的單質與稀鹽酸反應的反應速率：M＞L
B．R的氧化物對應的水化物可能具有兩性
C．T的氣態(tài)氫化物分子間存在氫鍵
D．L、Q形成的簡單離子核外電子數相等

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