某課外活動(dòng)小組使用下列用品設(shè)計(jì)原電池。用品:銅片、鐵片、導(dǎo)線、金屬夾、發(fā)光二極管、果汁(橙汁、蘋果汁)500mL,、燒杯。下列說法正確的是

A.該裝置能將電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能     B.實(shí)驗(yàn)過程中銅片逐漸溶解

C.電子由鐵片通過導(dǎo)線流向銅片     D.鐵片上會(huì)析出紅色的銅

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問題。

       圖I                        圖II

(1)若開始時(shí)開關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為_____________。

(2)若開始時(shí)開關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為_______             ______;

有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是(填序號(hào))_____________。

①溶液中Na+向A極移動(dòng)

②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)

③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度

④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子

(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。

①該電解槽工作時(shí),通過陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于” “小于”或“等于”)通過陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。

②通電開始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____             ________。

(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為                                    

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):

   3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為      kg。

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2011屆廣西桂林中學(xué)高三高考模擬試題(理綜)化學(xué)部分 題型:實(shí)驗(yàn)題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問題。

圖I                        圖II
(1)若開始時(shí)開關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為_____________。
(2)若開始時(shí)開關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為_______             ______;
有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是(填序號(hào))_____________。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí),通過陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于” “小于”或“等于”)通過陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____              ________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為                                    。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)
達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為     kg。

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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年廣西桂林中學(xué)高三高考模擬試題(理綜)化學(xué)部分 題型:實(shí)驗(yàn)題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問題。

       圖I                         圖II

(1)若開始時(shí)開關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為_____________。

(2)若開始時(shí)開關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為_______              ______;

有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是(填序號(hào))_____________。

①溶液中Na+向A極移動(dòng)

②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)

③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度

④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子

(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。

①該電解槽工作時(shí),通過陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于” “小于”或“等于”)通過陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。

②通電開始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____              ________。

(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。

①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為                                     。

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):

   3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為      kg。

 

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科目:高中化學(xué) 來源:模擬題 題型:填空題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖I裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問題:
(1)若開始時(shí)開關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為___________________
(2)若開始時(shí)開關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為_____________________有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是_________(填序號(hào))。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)的KI-淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的原理,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí),通過陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于”、“小于”或“等于”)通過陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡(jiǎn)述原因:___________________________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為________________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g),達(dá)到平衡后,H2與SiHCl3的物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020 mol/L,若H2全部來源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為______kg。

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科目:高中化學(xué) 來源:0120 模擬題 題型:填空題

某課外活動(dòng)小組同學(xué)用如圖Ⅰ裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn),試回答下列問題。
(1)若開始時(shí)開關(guān)K與a連接,則B極的電極反應(yīng)式為_____________。
(2)若開始時(shí)開關(guān)K與b連接,則總反應(yīng)的離子方程式為________________________;有關(guān)上述實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是(填序號(hào))___________。
①溶液中Na+向A極移動(dòng)
②從A極處逸出的氣體能使?jié)駶?rùn)KI淀粉試紙變藍(lán)
③反應(yīng)一段時(shí)間后加適量鹽酸可恢復(fù)到電解前電解質(zhì)的濃度
④若標(biāo)準(zhǔn)狀況下B極產(chǎn)生2.24 L氣體,則溶液中轉(zhuǎn)移0.2 mol電子
(3)該小組同學(xué)模仿工業(yè)上用離子交換膜法制燒堿的方法,設(shè)想用如圖Ⅱ裝置電解硫酸鉀溶液來制取氫氣、氧氣、硫酸和氫氧化鉀。
①該電解槽工作時(shí),通過陰離子交換膜的離子數(shù)_______(填“大于” “小于”或“等于”)通過陽(yáng)離子交換膜的離子數(shù)。
②通電開始后,陰極附近溶液pH會(huì)增大,請(qǐng)簡(jiǎn)述原因_____________。
(4)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關(guān)注。
①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為____________________。
②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):
3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于圖Ⅱ離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗硫酸鉀質(zhì)量為________kg。

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