下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個頂角

B.最小的環(huán)上,有3個Si原子和3個O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個Si原子和6個O原子

【解析】二氧化硅是原子晶體,結(jié)構(gòu)為空間網(wǎng)狀,存在硅氧四面體結(jié)構(gòu),硅處于中心,氧處于4個頂角所以A項錯誤;在SiO2晶體中,每6個Si和6個O形成一個12元環(huán)(最小環(huán)),所以D對,B、C都錯誤!

【答案】D

【命題意圖】考查學(xué)生的空間想象能力,和信息遷移能力,實(shí)際上第三冊課本第一單元里面有結(jié)構(gòu)圖!

【點(diǎn)評】怎樣理解SiO2的結(jié)構(gòu),可從晶體硅進(jìn)行轉(zhuǎn)化,晶體硅與金剛石結(jié)構(gòu)相似,只需將C原子換成Si原子即可,課本上有我直接拿來用,再將Si-Si鍵斷開,加入氧即可,見:

 

但是若將題目中B、B、D三個選項前面分別加上“平均每個”,則本題的答案就又變了,這時就要應(yīng)用均攤法了,由于每個Si原子被12個環(huán)所共用,每個O原子被6個環(huán)所共用,每個Si-O鍵被6個環(huán)所共用,則均攤之后在每個環(huán)上含有0.5個Si,1個O,2個Si-O鍵,此時則B、D錯誤,C正確了,也即在1molSiO2中含有4 mol Si-O鍵(這是我們經(jīng)常考的)

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(2010?湖北)下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是( 。

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下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個頂角

B.最小的環(huán)上,有3個Si原子和3個O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個Si原子和6個O原子

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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年黑龍江省雞西市高三第二次模擬考試化學(xué)試卷 題型:選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個頂角

B.最小的環(huán)上,有3個Si原子和3個O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個Si原子和6個O原子

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆福建省高二3月月考化學(xué)試卷 題型:選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個頂角

B.最小的環(huán)上,有3個Si原子和3個O原子

C.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2

D.最小的環(huán)上,有6個Si原子和6個O原子

 

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