回答以下關(guān)于第三周期元素及其化合物的問題。
(1)Na原子核外共有 種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,有 種不同能量的電子。
(2)相同壓強(qiáng)下,部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表:
氟化物 | NaF | MgF2 | SiF4 |
熔點(diǎn)/℃ | 1266 | 1534 | 183 |
(1)11 (1分) ; 4 (1分)
(2)NaF與 MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小,Mg2+帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na+多,故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高。(2分 )
(3)正四面體 (1分),109o28,(1分)
(4)HCl (1分);Na、C1電子層數(shù)相同,C1的核電荷數(shù)更大,核對(duì)核外電子的引力更強(qiáng),原子半徑更。1分,不答電子層數(shù)相同,不得分)。
解析試題分析:(1)原子中沒有運(yùn)動(dòng)狀態(tài)相同的電子,Na原子核外有11個(gè)電子,故核外有11種不能同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,鈉原子核外電子分別處于1s、2s、2p、3s能級(jí),故有4種不同能量的電子,故答案為:11;4;
(2)NaF與 MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低,Mg2+的半徑比Na+的半徑小,MgF2中離子鍵更強(qiáng),熔點(diǎn)更高,故答案為:NaF與 MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點(diǎn)低,Mg2+的半徑比Na+的半徑小,MgF2中離子鍵更強(qiáng),熔點(diǎn)更高;
(3)SiF4分子中Si原子成4個(gè)Si-F鍵,沒有孤對(duì)電子,雜化方式為sp3,故SiF4分子空間結(jié)構(gòu)為正四面體,鍵角為109°28′,故答案為:正四面體;109°28′;
(4)同周期自左而右非金屬性增強(qiáng),故非金屬性Cl>S>P,非金屬性越強(qiáng)氫化物越穩(wěn)定,故穩(wěn)定性HCl>H2S>PH3,故答案為:HCl; Na、C1電子層數(shù)相同,C1的核電荷數(shù)更大,核對(duì)核外電子的引力更強(qiáng),原子半徑更小,故答案為:Na、C1電子層數(shù)相同,C1的核電荷數(shù)更大,核對(duì)核外電子的引力更強(qiáng),原子半徑更小。
考點(diǎn):本題考查核外電子排布、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、分子構(gòu)型、結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系等,難度不大,注意基礎(chǔ)知識(shí)的理解與全面掌握。
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
U、V、W、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的六種常見元素。Y的單質(zhì)在W2中燃燒的產(chǎn)物可使品紅溶液褪色。Z和W元素形成的化合物Z3W4具有磁性。U的單質(zhì)在W2中燃燒可生成UW和UW2兩種氣體。X的單質(zhì)是一種金屬,該金屬在UW2中劇烈燃燒生成黑、白兩種固體。
請回答下列問題:
(1)V的單質(zhì)分子的結(jié)構(gòu)式為 ;XW的電子式為 ;
(2)Z元素在周期表中的位置是 ;
(3)U、V、W形成的10電子氫化物中,U、V的氫化物沸點(diǎn)較低的是(寫化學(xué)式) ;
(4)寫出X的單質(zhì)在UW2中燃燒的化學(xué)方程式,并表示電子的轉(zhuǎn)移方向和數(shù)目為 。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
(1)非金屬單質(zhì)A是實(shí)驗(yàn)室里常用的惰性電極材料,A元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布圖為 。
(2)B原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子,下列敘述正確的是 (填字母序號(hào))
a.B的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)在同族元素的氫化物中最低
b.B的第一電離能、電負(fù)性都比A的大
c.A的氣態(tài)氫化物比B的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定
d.A的含氧酸一定比B的含氧酸酸性強(qiáng)
(3)銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途,如超細(xì)銅粉可應(yīng)用于導(dǎo)電材料、催化劑等領(lǐng)域中。超細(xì)銅粉的某制備方法如下:
①[Cu(NH3)4]SO4中,N、O、S三種元素的第一電離能從小到大的順序?yàn)椋?u> 。
②SO42-空間構(gòu)型是 。 寫出一種與SO32-互為等電子體的分子 。
③NH4CuSO3中的金屬陽離子的結(jié)構(gòu)示意圖為 。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
A、B、C、D、E是周期表中前四周期的元素,其有關(guān)性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表:
元素 | 有關(guān)性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息 |
A | 負(fù)二價(jià)的A元素的氫化物在通常狀況下是一種液體,其中A的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為88.9% |
B | B原子得到一個(gè)電子后3p軌道全充滿 |
C | C原子的p軌道半充滿,它的氣態(tài)氫化物能與其最高價(jià)氧化物的水化物反應(yīng)生成一種常見的鹽X |
D | D元素的最高化合價(jià)與最低化合價(jià)的代數(shù)和為零,其最高價(jià)氧化物為分子晶體 |
E | E元素的核電荷數(shù)等于A原子和B元素氫化物的核電荷數(shù)之和 |
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
下表中所列的字母分別代表某一化學(xué)元素。完成下列填空:
a | | | | | | | | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | | | | | b | | |
c | | | | | | | | | | | | d | | | e | f | |
| | | | | | | | | | | | | g | | | | |
| | | | | | | | | | | | | | | h | | |
| i | | | | | | | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | | | | | | | |
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
硼元素B在化學(xué)中有很重要的地位。硼的化合物在農(nóng)業(yè)、醫(yī)院、玻璃等方面用途很廣。請回答下列問題:
(1)寫出與B元素同主族的Ga元素的基態(tài)原子核外電子分布式 ,從原子結(jié)構(gòu)的角度分析,B、N、O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u> 。
(2)立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成,屬于超硬材料,同屬原子晶體的氮化硼(BN)比晶體硅具有更高硬度和耐熱性的原因是 。
(3)在BF3分子中中心原子的雜化軌道類型是 ,SiF4微粒的空間構(gòu)型是 。
(4)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)硼化鎂在39K時(shí)呈超導(dǎo)性,在硼化鎂晶體的理想模型中,鎂原子和硼原子是分層排布的,一層鎂一層硼相間排列。圖23是該晶體微觀窨中取出的部分原子沿Z軸方向的投影,白球是鎂原子投影,黑球是硼原子投影,圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。根據(jù)圖示確定硼化鎂的化學(xué)式為 。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
X~R是元素周期表中的短周期元素,其性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表:
元素 | X | Y | Z | W | R |
性質(zhì)信息 | 能形成+7價(jià)的化合物 | 日常生活中常見金屬,熔化時(shí)并不滴落,好象有一層膜兜著 | 通常狀況下能形成短周期中最穩(wěn)定的雙原子分子 | 焰色反應(yīng)為黃色 | 位于第IVA,是形成化合物種類最多的元素 |
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
下表是元素周期表的一部分,根據(jù)表中10種元素,用元素符號(hào)或化學(xué)式填空。
主族 周期 | ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | 0族 |
2 | | | | ① | | ② | | |
3 | | | ③ | ④ | | ⑤ | ⑥ | ⑦ |
4 | ⑨ | ⑧ | | | | ⑩ | | |
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:問答題
、I.德國和美國科學(xué)家首先制出由20個(gè)碳原子組成的空心籠狀分子C20,該籠狀結(jié)構(gòu)是由許多正五邊形構(gòu)成如圖。
①C20分子中每個(gè)碳原子只跟相鄰的3個(gè)碳原子形成化學(xué)鍵;
②多面體的頂點(diǎn)數(shù)、面數(shù)和棱邊數(shù)的關(guān)系,遵循歐拉定理:頂點(diǎn)數(shù)+面數(shù)+棱邊數(shù)=2,
請回答: C20分子共有________個(gè)正五邊形,共有________條棱邊。
II.A、B、C是短周期非金屬元素,核電荷數(shù)依次增大。A原子外圍電子排布為ns2np2,C是地殼中含量最多的元素。D元素的核電荷數(shù)為29。請用對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)或化學(xué)式填空:
(1)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)開_______。
(2)分子(AB)2中鍵與鍵之間的夾角為180°,并有對(duì)稱性,每個(gè)原子最外層電子數(shù)均滿足八電子,其結(jié)構(gòu)式為________,1 mol該分子中含有π鍵的數(shù)目為________。該分子中碳原子的雜化軌道類型是__________________,該分子屬于________分子(填“極性”或“非極性”)。
(3)基態(tài)D原子的電子排布式為________________。
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com