GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。
(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是:Ga________、As________。
(2)GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是:Ga________價(jià)、As________價(jià)。
(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是:Ga________、As________。
(2)GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是:Ga________價(jià)、As________價(jià)。
(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年河南省鄭州市第四中學(xué)高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為______,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。
(3)下列說(shuō)法正確的是_________(填字母)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As<Ga
C.電負(fù)性:As>Ga
D.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是_________。
(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時(shí)制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆河南省鄭州市高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為______,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。
(3)下列說(shuō)法正確的是_________(填字母)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As<Ga
C.電負(fù)性:As>Ga
D.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是_________。
(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時(shí)制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無(wú)主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com