GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是:Ga________、As________。

(2)GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是:Ga________價(jià)、As________價(jià)。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

硅   四氟化硅    二氧化硅    硅酸鈉硅酸


解析:

由硅元素的特征性質(zhì)推斷。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
. (用氫化物分子式表示)
(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(6)下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是:Ga________、As________。

(2)GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是:Ga________價(jià)、As________價(jià)。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料,該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年河南省鄭州市第四中學(xué)高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答:

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為______,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。
(3)下列說(shuō)法正確的是_________(填字母)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As<Ga
C.電負(fù)性:As>Ga
D.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是_________。
(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時(shí)制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆河南省鄭州市高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答:

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為______,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。

(3)下列說(shuō)法正確的是_________(填字母)。

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同

B.第一電離能:As<Ga

C.電負(fù)性:As>Ga

D.GaP與GaAs互為等電子體

(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是_________。

(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時(shí)制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。

 

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