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（10分）Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長、耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

（1）下列說法正確的是__________（填序號）

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同

B．第一電離能 As>Ga

C．電負性 As>Ga

D．原子半徑 As>Ga

（2）砷化鎵可由(CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為

_____________________________________________________________；

（3）AsH3空間形狀為________________；

已知（CH3）3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

（4）請解釋金屬銅能導電的原因                                               ，

 Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到的[Cu(NH3)4]SO4晶體中含有的化學鍵除了普通共價鍵外，還有             和              。

（1）BC     （1分）

（2）（CH3）3Ga + AsH3  GaAs + 3CH4 （2分）

（3）三角錐、 sp2    （各1分）

（4） 銅是金屬晶體，由金屬陽離子和自由電子構成，自由電子在外加電場的作用下可發(fā)生定向移動。（1分）

［Ar］3d9 或1s22s22p63s23p63d 9（2分）

（5）離子鍵，配位鍵 （2分）

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

精英家教網Ⅰ．砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長．耗能少．已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示．請回答下列問題：
（1）下列說法正確的是
 
（填序號）
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同 B．第一電離能 As＞Ga C．電負性 As＞Ga D．原子半徑 As＞Ga
（2）AsH3空間形狀為
 
；已知（CH3）3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為
 
；
Ⅱ．金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)．
（3）Cu2+的核外電子排布式為
 
．
（4）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體，晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有
 
和
 
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

(15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

   （1）下列說法正確的是__________（填序號）

A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同        B.第一電離能 As>Ga

C.電負性 As>Ga                              D.原子半徑 As>Ga

   （2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；

   （3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

   （4）請解釋金屬銅能導電的原因                     ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

   （5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有         和         。

 

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科目：高中化學 來源：2011屆吉林省長春市高三第二次模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題

(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

（1）下列說法正確的是__________（填序號）

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同B．第一電離能 As>Ga
C．電負性 As>GaD．原子半徑 As>Ga
（2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；
（3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ.金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。
（4）請解釋金屬銅能導電的原因                     ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。
（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有        和        。

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科目：高中化學 來源：2013-2014學年湖北省八市高三三月聯(lián)考理綜化學試卷（解析版） 題型：填空題

Ⅰ.鉻位于第四周期ⅥB族，主要化合價+2，+3 ，+6，單質硬度大，耐腐蝕，是重要的合金材料。

（1）基態(tài)鉻原子的價電子排布圖___________，CrO2Cl2常溫下為深紅色液體，能與CCl4、CS2等互溶，據此可判斷CrO2Cl2是________(填“極性”或“非極性”)分子。

（2）CrCl3·6H2O實際上是配合物，配位數為6，其固體有三種顏色，其中一種淺綠色固體與足量硝酸銀反應時，1mol固體可生成2mol氯化銀沉淀，則這種淺綠色固體中陽離子的化學式____________。

Ⅱ.砷化鎵為第三代半導體材料，晶胞結構如圖所示，

（3）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的化學方程式???? 為??????????? 。??

（4）AsH3空間構型為 ??????????????????? 。

已知(CH3)3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式是_______。

（5）砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為a cm，砷化鎵的摩爾質量為b g/mol，阿伏伽德羅常數值為NA，則砷化鎵晶體密度的表達式_________ g/cm3。

 

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科目：高中化學 來源：2010-2011學年吉林省長春市高三第二次模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題

(15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

   （1）下列說法正確的是__________（填序號）

A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同        B.第一電離能 As>Ga

C.電負性 As>Ga                              D.原子半徑 As>Ga

   （2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；

   （3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

   （4）請解釋金屬銅能導電的原因                      ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

   （5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有         和         。

 

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