Question

下列各組物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由低到高排列的是（　　）

• A、O₂、I₂、Hg
• B、CO₂、KCl、SiO₂
• C、Na、K、Rb
• D、NaCl、KCl、RbCl

Answer 1

分析：A．根據(jù)物質(zhì)的狀態(tài)來(lái)解答；
B．一般情況下，不同類(lèi)型的晶體，熔點(diǎn)：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體；
C．同主族金屬?gòu)纳系较略�子半徑逐漸增大，金屬的熔點(diǎn)逐漸降低；
D．對(duì)于離子化合物來(lái)說(shuō)，決定于離子的半徑，半徑越小鍵能越大，熔點(diǎn)越高．

解答：解：A．O₂為分子晶體，常溫下為氣體，熔點(diǎn)最低，I₂常溫下為固體，Hg常溫下為液體，故A錯(cuò)誤；
B．干冰為分子晶體，熔點(diǎn)最低，KCl為離子晶體熔點(diǎn)較高，SiO₂為原子晶體熔點(diǎn)最高，它們的熔點(diǎn)依次升高，故B正確；
C．Na、K、Rb為同主族元素所形成的金屬晶體，晶體的熔點(diǎn)依次降低，故C錯(cuò)誤；
D．對(duì)于離子化合物來(lái)說(shuō)，決定于離子的半徑，半徑越小鍵能越大，熔點(diǎn)越高：RbCl＜KCl＜NaCl，故D錯(cuò)誤；
故選：B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體點(diǎn)的比較，題目難度不大，注意把握影響不同晶體熔沸點(diǎn)高低的因素，當(dāng)然也可以依據(jù)物質(zhì)在常溫下的狀態(tài)來(lái)比較，學(xué)習(xí)中注重相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累．