Question

（2011?松江區(qū)模擬）C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si原子核外最外層電子排布式

3s²3p²

． C、Si和O元素的原子半徑由小到大的順序?yàn)?!--BA-->

O＜C＜Si

．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，微粒間存在的作用力是

共價(jià)鍵

．SiC晶體熔點(diǎn)

＞

 晶體硅（填＜、＞、=）．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則MCl₂水溶液顯

酸性

性，相關(guān)的離子方程式

Mg²⁺+2H₂O?Mg（OH）₂+2H⁺

．
（4）C、Si為同一主族的元素，證明兩者非金屬性強(qiáng)弱的事實(shí)有

將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中，有硅酸鈉沉淀析出，根據(jù)強(qiáng)酸制取弱酸知，碳酸的酸性大于硅酸的酸性，所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性．

．（舉一例說(shuō)明）

Answer 1

分析：（1）根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律分析；根據(jù)元素周期律中原子半徑的遞變規(guī)律分析．
（2）非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵（銨鹽除外），原子晶體的熔點(diǎn)與組成元素的原子半徑有關(guān)．
（3）先根據(jù)等電子體判斷M元素，再根據(jù)MCl₂鹽的類型判斷其水溶液的酸堿性．
（4）元素的非金屬性越強(qiáng)其最高價(jià)氧化物的水化物的酸性越強(qiáng)來(lái)判斷．

解答：解：（1）硅原子核外有14個(gè)電子，根據(jù)核外電子排布規(guī)律知，每個(gè)電子層上最多排2n²個(gè)電子，但最外層不大于8個(gè)電子，s能級(jí)上最多排2個(gè)電子，p能級(jí)上最多排6個(gè)電子，所以硅原子的最外層電子排布式為3s²3p²；在元素周期律中，同一周期，元素的原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小，同一周期，元素的原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而增大，所以C、Si和O元素的原子半徑由小到大的順序?yàn)?nbsp;O＜C＜Si．
 故答案為：3s²3p²； O＜C＜Si．
 （2）非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵（銨鹽除外），所以SiC的晶體結(jié)構(gòu)中微粒間存在的作用力是共價(jià)鍵；碳化硅和硅相似，都是原子晶體，原子晶體的熔點(diǎn)與組成元素的原子半徑有關(guān)，原子半徑越小，熔點(diǎn)越高，SiC晶體中碳原子的原子半徑小于硅原子的原子半徑，所以碳化硅晶體的熔點(diǎn)大于晶體硅的熔點(diǎn)．
故答案為：共價(jià)鍵；＞．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，所以M是鎂元素，氯化鎂是強(qiáng)酸弱堿鹽，所以其水溶液呈酸性；弱離子鎂離子能發(fā)生水解生成氫氧化鎂和氫離子Mg²⁺+2H₂O?Mg（OH）₂+2H⁺，導(dǎo)致溶液中氫離子的濃度大于氫氧根離子的濃度，所以溶液呈酸性．
故答案為：酸性；Mg²⁺+2H₂O?Mg（OH）₂+2H⁺．
（4）將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中，有硅酸鈉沉淀析出，根據(jù)強(qiáng)酸制取弱酸知，碳酸的酸性大于硅酸的酸性，所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性．
故答案為：將二氧化碳通入硅酸鈉溶液中，有硅酸鈉沉淀析出，根據(jù)強(qiáng)酸制取弱酸知，碳酸的酸性大于硅酸的酸性，所以碳的非金屬性大于硅的非金屬性．

點(diǎn)評(píng)：本題以硅元素為載體考查了核外電子排布式、原子晶體的熔點(diǎn)與原子半徑的關(guān)系、非金屬性強(qiáng)弱的比較等知識(shí)點(diǎn)，易錯(cuò)題為（4）題，注意化學(xué)用語(yǔ)的正確運(yùn)用．