Ⅰ.下列有關(guān)說法正確的是________。
A.相同類型的離子晶體,晶格能越大,形成的晶體越穩(wěn)定
B.手性催化劑只催化或者主要催化一種手性分子的合成
C.用金屬的電子氣理論能合理地解釋金屬易腐蝕的原因
D.H3O、NH4Cl和[Ag(NH3)2]中均存在配位鍵
Ⅱ.碳及其化合物在自然界中廣泛存在。
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)電子排布圖可表示為________。
(2)第一電離能:碳原子________(填“>”“<”或“=”)氧原子,原因是__________________________。
(3)冰晶胞中水分子的空間排列方式與金剛石晶胞類似。每個(gè)冰晶胞平均占有________個(gè)水分子,冰晶胞與金剛石晶胞排列方式相同的原因是__________________________。
(4)C60的晶體中,分子為面心立方堆積,已知晶胞中C60分子間的最短距離為d cm,可計(jì)算C60晶體的密度為________g/cm3。
(5)請寫出一個(gè)反應(yīng)方程式以表達(dá)出反應(yīng)前碳原子的雜化方式為sp2,反應(yīng)后變?yōu)閟p3:________________________________。
Ⅰ.ABD
Ⅱ.(1)
(2)< 碳原子的半徑比氧原子大,且核電荷數(shù)比氧的小,故碳原子核對最外層電子的吸引力小于氧
(3)8 每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子形成氫鍵
(4)
(5)CH2=CH2+Br2―→BrCH2CH2Br
Ⅰ.C項(xiàng),用金屬的電子氣理論只能解釋金屬的物理性質(zhì),不能解釋金屬易腐蝕;D項(xiàng),H3O中H和O,NH4Cl中N和H、[Ag(NH3)2]中Ag和N存在配位鍵。
Ⅱ.(3)金剛石的晶胞中8個(gè)C在頂點(diǎn),6個(gè)碳在面心,4個(gè)C在內(nèi)部,則每個(gè)冰晶胞平均占有水分子個(gè)數(shù)為8×+6×+4=8。(4)C60的晶體為面心立方堆積,則含C60的個(gè)數(shù)為8×+6×=4,設(shè)晶胞的邊長為a,則a=2d,a=d,故晶體的密度為。(5)sp2雜化的碳為形成雙鍵碳原子,sp3雜化的碳為形成單鍵碳原子,可以是乙烯與Br2、H2、HX、H2O等的加成反應(yīng)。
點(diǎn)撥:本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),考查考生對原子、分子、晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的理解能力。難度較大。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料.以天然硼砂為起始物,經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到BF3和BN,如下圖所示

請回答下列問題:
(1)由B2O3制備BF3、BN的化學(xué)方程式依次是            、         ;
(2)基態(tài)B原子的電子排布式為          ;B和N相比,電負(fù)性較大的是
      ,BN中B元素的化合價(jià)為         ;
(3)在BF3分子中,F(xiàn)-B-F的鍵角是        ,B原子的雜化軌道類型為
         ,BF3和過量NaF作用可生成NaBF4,BF4-的立體結(jié)構(gòu)為     
(4)在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中,層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為         ,層間作用力為       
(5)六方氮化硼在高溫高壓下,可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼,其結(jié)構(gòu)與金剛石相似,硬度與金剛石相當(dāng),晶胞邊長為361.5pm,立方氮化硼晶胞中含有        個(gè)氮原子、       個(gè)硼原子,立方氮化硼的密度是           g?cm-3(只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏伽德羅常數(shù)為NA)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

氧元素與多種元素具有親和力,所形成化合物的種類很多。
(1)氮、氧、氟元素的第一電離能從大到小的順序?yàn)開_______。氧元素與氟元素能形成OF2分子,該分子的空間構(gòu)型為________。
(2)根據(jù)等電子原理,在NO2+離子中氮原子軌道雜化類型是________;1 mol O22+中含有的π鍵數(shù)目為________個(gè)。
(3)氧元素和過渡元素可形成多種價(jià)態(tài)的金屬氧化物,如和鉻可生成Cr2O3、CrO3、CrO5等。Cr3基態(tài)核外電子排布式為________。

(4)鈣在氧氣中燃燒時(shí)得到一種鈣的氧化物晶體,其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,則該鈣的氧化物的化學(xué)式為________。
(5)下列物質(zhì)的分子與O3分子的結(jié)構(gòu)最相似的是________。
A.H2OB.CO2C.SO2D.BeCl2
(6)O3分子是否為極性分子?________。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

乙炔是有機(jī)合成工業(yè)的一種原料。工業(yè)上曾用CaC2與水反應(yīng)生成乙炔。
(1)CaC2與水反應(yīng)生成乙炔的反應(yīng)方程式為________.
(2)比較第二周期元素C、N、O三種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?______(用元素符號(hào)表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋______。
(3)CaC中C22與O22互為等電子體,O22的電子式可表示為______;1molO22中含有的π鍵數(shù)目為_______。
(4)CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCI晶體的相似(如圖所示),但CaC2晶體中含有的中啞鈴形C22的存在,使晶胞沿一個(gè)方向拉長。CaC2晶體中1個(gè)Ca2周圍距離最近的C22數(shù)目為______。

(5)將乙炔通入[Cu(NH3)2]Cl溶液生成Cu2C2紅棕色沉淀。Cu+基態(tài)核外電子排布式為 _______。
(6)乙炔與氫氰酸反應(yīng)可得丙烯腈(H2C=CH-C≡N)。丙烯腈分子中碳原子軌道雜化類型是______;分子中處于同一直線上的原子數(shù)目最多為______。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

鹵族元素的單質(zhì)和化合物很多,我們可以利用所學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的相關(guān)知識(shí)去認(rèn)識(shí)和理解它們。
(1)鹵族元素位于周期表的_______區(qū);溴的價(jià)電子排布式為____________________。
(2)在不太稀的溶液中,氫氟酸是以二分子締合(HF)2形式存在的。使氫氟酸分子締合的作用力是________________。
(3)請根據(jù)下表提供的第一電離能數(shù)據(jù)判斷:最有可能生成較穩(wěn)定的單核陽離子的鹵素原子是_________。
 





第一電離能
(kJ/mol)
1681
1251
1140
1008
900
 
(4)已知高碘酸有兩種形式,化學(xué)式分別為H5IO6)和HIO4,前者為五元酸,后者為一元酸。請比較二者酸性強(qiáng)弱:H5IO6_____HIO4。(填“>”、“<”或“=”)
(5)碘在水中的溶解度雖然小,但在碘化鉀溶液中溶解度卻明顯增大這是由于溶液中發(fā)生下列反應(yīng)I-+I2=I3-。與KI3類似的,還有CsICl2­。已知CsICl2不穩(wěn)定,受熱易分解,傾向于生成晶格能更大的物質(zhì),則它按下列_____式發(fā)生。
A.CsICl2=CsCl+ICl        B.CsICl2=CsI+Cl2
(6)已知ClO2-為角型,中心氯原子周圍有四對價(jià)層電子。ClO2-中心氯原子的雜化軌道類型為___________,寫出一個(gè)ClO2-的等電子體__________。
(7)已知CaF2晶體(見圖)的密度為ρ g·cm-3,NA為阿伏加德羅常數(shù),最近相鄰的兩個(gè)Ca2+的核間距為a cm,則CaF2的相對分子質(zhì)量可以表示為___________。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

現(xiàn)有六種元素,其中A、B、C、D為短周期主族元素,E、F為第四周期元素,它們的原子序數(shù)依次增大。請根據(jù)下列相關(guān)信息,回答問題。
A原子核外電子分占3個(gè)不同能級,且每個(gè)能級上排布的電子數(shù)相同
B元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1
C原子p軌道上成對電子數(shù)等于未成對電子數(shù),且與A同周期
D元素的族序數(shù)與周期數(shù)的差為4,且不與A元素在同一周期
E位于周期表中第七列
F元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個(gè)未成對電子
 
(1)A的基態(tài)原子最外層有______種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。
(2)E2的基態(tài)核外電子排布式為____________________。
(3)A、B、C三種元素的最簡單氫化物的熔點(diǎn)由低到高的順序是________。A、B、C三種元素組成的分子中與AC2互為等電子體的分子為________________(用元素符號(hào)表示)。
(4)BD3中心原子的雜化方式為________,其分子空間構(gòu)型為____________。
(5)用晶體的X射線衍射法對F的測定得到以下結(jié)果:F的晶胞為面心立方最密堆積(如下圖),又知該晶體的密度為ρ g·cm3,晶胞中該原子的配位數(shù)為______________;F的原子半徑是________ cm(阿伏加德羅常數(shù)為NA)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

Ⅰ.鉻位于第四周期ⅥB族,主要化合價(jià)+2,+3 ,+6,單質(zhì)硬度大,耐腐蝕,是重要的合金材料。
(1)基態(tài)鉻原子的價(jià)電子排布圖___________,CrO2Cl2常溫下為深紅色液體,能與CCl4、CS2等互溶,據(jù)此可判斷CrO2Cl2是________(填“極性”或“非極性”)分子。
(2)CrCl3·6H2O實(shí)際上是配合物,配位數(shù)為6,其固體有三種顏色,其中一種淺綠色固體與足量硝酸銀反應(yīng)時(shí),1mol固體可生成2mol氯化銀沉淀,則這種淺綠色固體中陽離子的化學(xué)式____________。
Ⅱ.砷化鎵為第三代半導(dǎo)體材料,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,

(3)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的化學(xué)方程式    為           。  
(4)AsH3空間構(gòu)型為                     。
已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式是_______。
(5)砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為a cm,砷化鎵的摩爾質(zhì)量為b g/mol,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA,則砷化鎵晶體密度的表達(dá)式_________ g/cm3。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

第四周期過渡元素Fe、Ti可與C、H、N、O形成多種化合物。
(1)①H、C、N、O四種元素的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)開___________。
②下列敘述不正確的是________。(填字母)
A.因?yàn)镠CHO與水分子間能形成氫鍵,所以CH2O易溶于水
B.HCHO和CO2分子中的中心原子均采用sp2雜化
C.C6H6分子中含有6個(gè)σ鍵和1個(gè)大π鍵,C2H2是非極性分子
D.CO2晶體的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都比二氧化硅晶體的低
③氰酸(HOCN)是一種鏈狀分子,它與異氰酸(HNCO)互為同分異構(gòu)體,其分子內(nèi)各原子最外層均已達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),試寫出氰酸的結(jié)構(gòu)式________。
(2)Fe原子或離子外圍有較多能量相近的空軌道能與一些分子或離子形成配合物。
①與Fe原子或離子形成配合物的分子或離子應(yīng)具備的結(jié)構(gòu)特征是________________________________________________________________________。
②六氰合亞鐵離子[Fe(CN)6]4 中不存在________。
A.共價(jià)鍵 B.非極性鍵 C.配位鍵 
D.σ鍵 E.π鍵
寫出一種與 CN互為等電子體的單質(zhì)的分子式________。
(3)根據(jù)元素原子的外圍電子排布特征,可將周期表分成五個(gè)區(qū)域,其中Ti屬于________區(qū)。
(4)一種Al—Fe合金的立體晶胞如圖所示。請據(jù)此回答下列問題:

①確定該合金的化學(xué)式____________。
②若晶體的密度為ρ g/cm3,則此合金中最近的兩個(gè)Fe原子之間的距離(用含ρ的代數(shù)式表示,不必化簡)為__________cm。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

砷(As)在地殼中含量不大,但砷的化合物卻是豐富多彩。
(1)基態(tài)砷原子的電子排布式為    ;砷與溴的第一電離能較大的是    。 
(2)AsH3是無色稍有大蒜味的氣體。AsH3的沸點(diǎn)高于PH3,其主要原因是 。 
(3)Na3AsO4可作殺蟲劑。As的空間構(gòu)型為    ,與其互為等電子體的一種分子為    。 
(4)某砷的氧化物俗稱“砒霜”,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示。該化合物的化學(xué)式為    ,As原子采取    雜化。 

(5)GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。GaAs晶體中,每個(gè)As與    個(gè)Ga相連,As與Ga之間存在的化學(xué)鍵有    (填字母)。 
A.離子鍵B.σ鍵C.π鍵D.氫鍵 E.配位鍵 F.金屬鍵 G.極性鍵

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同步練習(xí)冊答案