A.相同類型的離子晶體,晶格能越大,形成的晶體越穩(wěn)定 |
B.手性催化劑只催化或者主要催化一種手性分子的合成 |
C.用金屬的電子氣理論能合理地解釋金屬易腐蝕的原因 |
D.H3O+、NH4Cl和[Ag(NH3)2]+中均存在配位鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
A.H2O | B.CO2 | C.SO2 | D.BeCl2 |
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
| 氟 | 氯 | 溴 | 碘 | 鈹 |
第一電離能 (kJ/mol) | 1681 | 1251 | 1140 | 1008 | 900 |
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
A原子核外電子分占3個(gè)不同能級,且每個(gè)能級上排布的電子數(shù)相同 |
B元素原子的核外p電子總數(shù)比s電子總數(shù)少1 |
C原子p軌道上成對電子數(shù)等于未成對電子數(shù),且與A同周期 |
D元素的族序數(shù)與周期數(shù)的差為4,且不與A元素在同一周期 |
E位于周期表中第七列 |
F元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個(gè)未成對電子 |
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題
A.離子鍵 | B.σ鍵 | C.π鍵 | D.氫鍵 E.配位鍵 F.金屬鍵 G.極性鍵 |
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