對(duì)于平衡，為增大二氧化碳?xì)怏w在水中的溶解度，應(yīng)采用的方法是（   ）

A．升溫增壓                            B．降溫減壓

C．升溫減壓                            D．降溫增壓

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

（2013?朝陽(yáng)區(qū)二模）硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料．鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過(guò)程示意如下：

（1）焦炭在過(guò)程Ⅰ中作
還原
還原
劑．
（2）過(guò)程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備，制備Cl2的化學(xué)方程式是
2NaCl+2H2O
 通電 
.
 
2NaOH+Cl2↑+H2↑
2NaCl+2H2O
 通電 
.
 
2NaOH+Cl2↑+H2↑
．
（3）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水．
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式是
SiCl4+2H2O═SiO2+4HCl
SiCl4+2H2O═SiO2+4HCl
．
②干燥Cl2時(shí)，從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入到濃H2SO4中．冷卻的作用是
使水蒸氣冷凝，減少進(jìn)入濃硫酸的水量保持持續(xù)的吸水性并降低放出的熱量
使水蒸氣冷凝，減少進(jìn)入濃硫酸的水量保持持續(xù)的吸水性并降低放出的熱量
．
（4）Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下：
反應(yīng)1：400℃～756℃，SiCl4（g）+2Zn（l）?Si（s）+2ZnCl2（l）△H1＜0
反應(yīng)2：756℃～907℃，SiCl4（g）+2Zn（l）?Si（s）+2ZnCl2（g）△H2＜0
反應(yīng)3：907℃～1410℃，SiCl4（g）+2Zn（g）?Si（s）+2ZnCl2（g）△H3＜0
①對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說(shuō)法合理的是
bcd
bcd
．
a．升高溫度會(huì)提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b．還原過(guò)程需在無(wú)氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
②實(shí)際制備過(guò)程選擇“反應(yīng)3”，選擇的理由是
溫度高反應(yīng)速率快；與前兩個(gè)反應(yīng)比較更易于使硅分離使化學(xué)平衡向右移動(dòng)提高轉(zhuǎn)化率
溫度高反應(yīng)速率快；與前兩個(gè)反應(yīng)比較更易于使硅分離使化學(xué)平衡向右移動(dòng)提高轉(zhuǎn)化率
．
③已知Zn（l）═Zn（g）△H=+116KJ/mol．若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%，每投入1mol SiCl4，“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出
208.8
208.8
kJ的熱量．
（5）用硅制作太陽(yáng)能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層．腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液．硅表面首先形成SiO2，最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6．用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過(guò)程
SiO2+6HF═H2SiF6+2H2O
SiO2+6HF═H2SiF6+2H2O
．

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