Question

根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷下列有關(guān)說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（　　）

	NaCl	MgCl2	AlCl3	SiCl4	單質(zhì)B
熔點(diǎn)/℃	810	710	180	68	2300
沸點(diǎn)/℃	1465	1418	160	57	2500

• A、SiCl₄是分子晶體
• B、單質(zhì)B可能是原子晶體
• C、AlCl₃加熱能升華
• D、NaCl的鍵的強(qiáng)度比MgCl₂小

Answer 1

考點(diǎn)：晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A、SiCl₄的熔沸點(diǎn)較低，符合分子晶體的特點(diǎn)；
B、單質(zhì)B的熔沸點(diǎn)很高，符合原子晶體的特點(diǎn)；
C、AlCl₃沸點(diǎn)低于熔點(diǎn)；
D、離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高．

解答： 解：A、由表中數(shù)據(jù)可知，SiCl₄的熔沸點(diǎn)較低，屬于分子晶體，故A正確；
B、單質(zhì)R的熔沸點(diǎn)很高，所以單質(zhì)B是原子晶體，故B正確；
C、AlCl₃沸點(diǎn)低于熔點(diǎn)，加熱時(shí)還未液化即以氣化，故能升華，故C正確；
D、離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，由表中數(shù)據(jù)可知，NaCl的熔、沸點(diǎn)均比MgCl₂高，所以NaCl晶體中的離子鍵應(yīng)比MgCl₂的強(qiáng)，故D錯(cuò)誤．
故選：D．

點(diǎn)評(píng)：本題主要考查了不同類型晶體的熔沸點(diǎn)高低及決定熔沸點(diǎn)的因素，題目難度不大，注意歸納影響熔沸點(diǎn)的因素．