Question

下列有關(guān)晶體的敘述中，正確的是（　�。�

	A．	在Si晶體中，Si原子與Si﹣Si鍵之比為1：4
	B．	在NaCl晶體中，每個(gè)Na+周圍距離最近的Na+有6個(gè)
	C．	在CsCl晶體中，與每個(gè)Cs+緊鄰的Cs+有8個(gè)
	D．	在面心立方堆積的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有12個(gè)金屬原子

　

Answer 1

考點(diǎn)：

晶胞的計(jì)算．

專題：

化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)．

分析：

A．在Si晶體中，每個(gè)Si原子形成2個(gè)Si﹣Si鍵；

B．在氯化鈉晶體中，每個(gè)鈉離子周圍與它最近且距離相等的Na⁺有12個(gè)；

C．氯化銫晶體中，銫離子的配位數(shù)是8，每個(gè)Cs⁺周圍等距離緊鄰的有6個(gè)Cs⁺；

D．面心立方晶體中，晶胞立方體每個(gè)頂點(diǎn)上都有一個(gè)原子，面心上都有一個(gè)原子．

解答：

解：A．在Si晶體中，每個(gè)Si原子形成2個(gè)Si﹣Si鍵，Si原子與Si﹣Si鍵之比為1：2，故A錯(cuò)誤；

B．在NaCl晶體中，每個(gè)Na⁺周圍與它最近且距離相等的Na⁺有3×8×=12，故B錯(cuò)誤；

C．氯化銫晶體中，銫離子在體心，氯離子在頂點(diǎn)，銫離子的配位數(shù)是8，所以每個(gè)Cs⁺周圍緊鄰的有8個(gè)Cl^﹣，但每個(gè)Cs⁺周圍等距離緊鄰的有6個(gè)Cs⁺，故C錯(cuò)誤；

D．面心立方晶體中，晶胞立方體每個(gè)頂點(diǎn)上都有一個(gè)原子，面心上都有一個(gè)原子，所以每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的金屬原子有3×8×=12，故D正確．

故選D．

點(diǎn)評：

本題考查晶胞分析，注意把握NaCl、CsCl的晶體結(jié)構(gòu)、離子占據(jù)的位置是解答的關(guān)鍵，學(xué)生具有較好的空間想象能力即可解答，題目難度中等．