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砷化鎵(GaAs)屬于第三代半導體,用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍,而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管(LED)照明,是節(jié)能減排的有效舉措。砷化鎵的晶胞結構如下圖。
試回答:
(1)As的核外電子排布式為_____________。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的Ga原子個數為_____________。
(3)下列說法正確的是__________(填字母)。
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同
B.第一電離能:As> Ca
C.電負性:As> Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
E.半導體GaP與CaAs互為等電子體
(4)砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃ 時制備得到。AsH3的空間形狀為____,(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為_____________。
(5) AsH3沸點比NH3低,其主要原因是__________________
(1)1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3
(2)4
(3)BCDE
(4)三角錐形;sp2
(5)NH3分子間能形成氫鍵,而AsH3分子間不能形成氫鍵
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導體材料,其晶體結構與單晶硅相似.試回答:
(1)Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1

(2)下列說法正確的是
AC
AC
(選填序號).
A.砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B.GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C.電負性:As>Ga        D.第一電離能Ga>As
(3)GaAs是由(CH33Ga和AsH3在一定條件下制得,同時得到另一物質,該物質分子是
非極性分子
非極性分子
(填“極性分子”或“非極性分子”).(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(4)如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子.

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科目:高中化學 來源: 題型:

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs,GaAs是一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越.多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽,其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子結構示意圖

(2)Ga的原子核外電子排布式為:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(3)GaCl3和AsF3的空間構型分別是:GaCl3
平面三角形
平面三角形
,AsF3
三角錐形
三角錐形

(4)第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料SiC,其結構跟金剛石相似,則SiC屬于
原子
原子
晶體,并寫出其主要的物理性質
硬度大、熔點高
硬度大、熔點高
  (任2種).
(5)第一電離能:As
Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化鋅的晶胞中(結構如圖所示),硫離子的配位數是
4
4

(7)二氧化硒分子的空間構型為
V形
V形
,寫出它的1個等電子體的分子式
O3(或SO2
O3(或SO2

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科目:高中化學 來源: 題型:

【選修3--物質結構與性質】
砷化鎵(GaAs)屬于第三代半導體,用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍,而耗能只有其10%.推廣砷化鎵等發(fā)光二極管(LED)照明,是節(jié)能減排的有效舉措.請回答下列問題:
(1)寫出As基態(tài)原子的價電子排布式:
 

(2)As的第一電離能比Ga的
 
(填“大”或“小”,下同),As的電負性比Ga的
 

(3)比較As的簡單氫化物與同族第二、三周期元素所形成的簡單氫化物的沸點,并說明理由:
 

(4)GaAs的晶體結構與單晶硅相似,在GaAs晶體中,每個Ga原子與
 
個As原子相連,與同一個Ga原子相連的As原子構成的空間構型為
 
.在四大晶體類型中,GaAs屬于
 
晶體.
(5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應制得,此反應的化學方程式為
 
;已知(CH33Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化軌道類型為
 

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科目:高中化學 來源:期末題 題型:填空題

光健康、太陽能、綠色節(jié)能、零排放等高科技點亮2010上海世博。
(1)世博園區(qū)外圍設置生態(tài)化停車場,有害尾氣被納米光觸媒涂料分解為無毒物質,汽車尾氣中下列物質中屬于由極性鍵構成的非極性分子為____。
A.CO2 B.NO C.NO2 D.CO
(2)“一軸四館”中安裝了高亮度節(jié)能的陶瓷金鹵燈,金鹵燈中填充物通常包含Na、81Tl、49In、Sc、I等元素的單質及化合物。有關說法正確的是____。
A.第ⅢA元素鉈和銦,第一電離能T1大于In
B.元素Sc位于周期表d區(qū)
C.鈉的熔點低,是因為金屬鍵較弱
D.I2溶于KI溶液,可產生I3-,由價層互斥理論可推知I3-呈直線形
(3)“東方之冠”(中國館)表面裝有7000多塊紅色鋁板,紅色鋁板為新型氟碳噴涂型材,一種氟碳涂層聚酯(FEP),它的單體為CF3-CF=CF2,該分子中碳原子的雜化方式有____。
(4)上海城區(qū)大規(guī)模集中使用“21世紀綠色光源”LED半導體照明,LED晶片采用砷化鎵(GaAs)等材料組成。其中As原子在基態(tài)時外圍電子排布式為:_____。GaAs的晶胞結構如圖,晶胞中含鎵原子數為____。
(5)世博館廣泛采用了冰蓄冷空調。冰蓄冷空調采用液態(tài)化合物乙二醇(HOCH2CH2OH)介質,乙二醇沸點高,是由于_______________________。

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