科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:選擇題
在①濃硝酸;②水;③濃硫酸;④氫氟酸;⑤氫氧化鉀溶液中,能與單質硅起化學反應的是( )。
A.①② B.②④ C.④⑤ D.③④
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:選擇題
下列說法正確的是( )。
A.高溫下,可在試管內(nèi)完成焦炭和石英砂(SiO2)制取硅的反應
B.CO2和鈉在一定條件下反應可以得到金剛石和碳酸鈉,反應中氧化劑和還原劑的物質的量之比是3∶4
C.現(xiàn)代海戰(zhàn)通過噴放液體SiCl4(極易水解)和液氨可產(chǎn)生煙幕,其主要成分是NH4Cl
D.從燃煤煙道灰中(含GeO2)提取半導體材料單質鍺(Ge),沒有發(fā)生氧化還原反應
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:選擇題
下列關于SiO2和CO2的敘述中不正確的是( )。
A.都是共價化合物
B.SiO2可用于制光導纖維,干冰可用于人工降雨
C.都能溶于水且與水反應生成相應的酸
D.都是酸性氧化物,都能與強堿溶液反應
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:選擇題
壽山石主要成分為葉蠟石,葉蠟石組成為Al2O3·4SiO2·H2O,下列觀點不正確的是( )。
A.壽山石雕刻作品要避免與酸、堿接觸
B.壽山石顏色豐富多彩是因為含有不同形態(tài)的金屬氧化物
C.潮濕的空氣可能導致壽山石作品表面溶解變質
D.置于干燥空氣中可能會導致壽山石作品脫水變質
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:選擇題
將含有0.1 mol SiO2的鋁、硅混合物分別與足量NaOH溶液、鹽酸混合,充分反應后前者可得到11.2 L氣體(標準狀況),后者可得到6.72 L氣體(標準狀況),則參加反應的n(HCl)與n(NaOH)之比為( )。
A.1∶1 B.1∶2 C.2∶1 D.3∶1
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:選擇題
青石棉(crocidolite)是世界衛(wèi)生組織確認的一種致癌物質,是《鹿特丹公約》中受限制的46種化學品之一,青石棉的化學式為Na2Fe5Si8O22(OH)2,青石棉用稀硝酸處理時,還原產(chǎn)物只有NO,下列說法中正確的是( )。
A.青石棉是一種易燃品,且易溶于水
B.青石棉的化學組成用氧化物的形式可表示為:Na2O·3FeO·Fe2O3·8SiO2·H2O
C.1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量的硝酸作用,至少需消耗8.5 L 2 mol·L-1 HNO3溶液
D.1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量氫氟酸作用,至少需消耗7 L 2 mol·L-1 HF溶液
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:填空題
如何除去下列各粉末狀混合物中的雜質(括號內(nèi)為雜質),請選用下面提供的試劑和操作,將標號填在表內(nèi)。
供選試劑:A鹽酸;B燒堿溶液;C氧氣;D水;ECO2;F不用其他試劑
供選操作:①加熱;②加熱熔融;③過濾;④結晶
含雜質的物質 | 所加試劑 | 主要操作 |
(1)SiO2(NaHCO3) |
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(2)SiO2(CaCO3) |
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(3)SiO2(Si) |
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(4)NaCl(SiO2) |
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:填空題
已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如下圖所示的轉化,反應中部分生成物已略去。其中,A、G為同一主族元素的單質,B、C、H在通常情況下為氣體,化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。
請?zhí)羁眨?/p>
(1)寫出E的兩種用途 、 。
(2)反應②的離子方程式為 。
(3)反應③的化學方程式是 。
(4)反應④的離子方程式是 。
(5)寫出一個由A生成H的置換反應方程式: 。
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:實驗題
晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅,同時得到一種可燃性氣體;
②粗硅與干燥的HCl氣體反應制得SiHCl3(Si+3HClSiHCl3+H2);
③SiHCl3與過量的H2在1 100~1 200 ℃的溫度下反應制得純硅,已知SiHCl3能與水劇烈反應,在空氣中易自燃。
請回答:
(1)第一步制取粗硅的化學反應方程式為 。
(2)粗硅與HCl氣體反應完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6 ℃)和HCl(沸點-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為 。
(3)實驗室用SiHCl3與過量的H2反應制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是 ,裝置C中的燒杯需要加熱,目的是 。
②反應一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是 ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是 ,裝置D中發(fā)生反應的化學方程式是 。
③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及 。
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科目: 來源:2014年高考化學魯科版4.1硅 無機非金屬材料練習卷(解析版) 題型:實驗題
單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得
高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。
相關信息如下:
a.四氯化硅遇水極易水解;
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;
c.有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸點/℃ | 57.7 | 12.8 | - | 315 | - |
熔點/℃ | -70.0 | -107.2 | - | - | - |
升華溫度/℃ | - | - | 180 | 300 | 162 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式: 。
(2)裝置A中g管的作用是 ;裝置C中的試劑是 ;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是 。
(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是 (填寫元素符號)。
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