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科目： 來源： 題型：

芯片是電腦、“智能”加點的核心部件，它是用高純度硅制成的．下面是生產(chǎn)單質(zhì)硅過程中的一個重要反應(yīng)：SiO2+2C═Si+2CO↑，該反應(yīng)的基本類型是（　�。�
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、復(fù)分解反應(yīng)

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科目： 來源： 題型：

有反應(yīng)：①2H2O+Cl2+SO2=H2SO4+2HCl，②2KMnO4+16HCl=2KCl+2MnCl2+5Cl2↑+8H2O，針對上述兩個反應(yīng)，下列敘述不正確的是（　�。�
A、有關(guān)微粒氧化性強弱排序為：KMnO4＞Cl2＞SO2
B、反應(yīng)②中氯化氫表現(xiàn)出還原性和酸性
C、反應(yīng)①中氧化產(chǎn)物與還原產(chǎn)物的質(zhì)量比為：73：98
D、有關(guān)微粒還原性強弱排序為：SO2＞Cl-＞Mn2+

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科目： 來源： 題型：

化學(xué)實驗中，如使某步中的有害產(chǎn)物作為另一步的反應(yīng)物，形成一個循環(huán)，就可不再向環(huán)境排放該種有害物質(zhì)．例如：在如圖有編號的步驟中，發(fā)生氧化反應(yīng)的是
 
，發(fā)生還原反應(yīng)的是
 
，既沒發(fā)生氧化反應(yīng)又沒發(fā)生還原反應(yīng)的是
 
．（填編號）
（提示：鉻元素化合價有+6、+3價）

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科目： 來源： 題型：

關(guān)于反應(yīng)2NaBr+Cl2═2NaCl+Br2，下列說法不正確的是（　�。�
A、Cl2是氧化劑，反應(yīng)中Cl原子得到電子
B、當(dāng)1molCl2完全反應(yīng)時，有2mol電子發(fā)生轉(zhuǎn)移
C、NaBr是還原劑，反應(yīng)中溴離子得到電子
D、當(dāng)1molNaBr完全反應(yīng)時，有1mol電子發(fā)生轉(zhuǎn)移

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科目： 來源： 題型：

下列變化屬于氧化還原反應(yīng)的是（　�。�
A、BaCl2+Na2SO4═BaSO4↓+2NaCl
B、Cl2+2NaBr═Br2+2NaCl
C、NH4HC03═NH3↑+H2O+CO2
D、CaCO3
 高溫 
.
 
CaO+CO2↑

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科目： 來源： 題型：

下列化學(xué)式既能表示物質(zhì)的組成，又能表示該物質(zhì)的一個分子的是（　�。�
A、NaOH
B、SiO2
C、Fe
D、CHCl3

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科目： 來源： 題型：

砷化鎵（GaAs）屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽埽榛墴襞輭勖瞧胀襞莸?00倍．已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．又知砷為33號元素  鎵為31號元素．
試回答下列問題：
（1）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到，該反應(yīng)在700℃進行，反應(yīng)的方程式為：
 
．AsH3空間形狀為
 
，（CH3）3Ga中鎵原子雜化方式：
 
．
（2）Ga的核外電子排布式為：
 
．
（3）AsH3沸點比NH3低，其原因是：
 
．

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科目： 來源： 題型：

下列表示的軌道正確的是（　�。�
A、1pB、2dC、3fD、4d

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科目： 來源： 題型：

多電子原子中，原子軌道能量高低排列錯誤的是（　�。�
A、2s＜3s＜4s
B、2px＜2py＜2pz
C、3s＜3p＜3d
D、2px=2py=2pz

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科目： 來源： 題型：

（1）圖1是s能級和p能級的原子軌道圖，試回答問題：
s電子的原子軌道呈
 
形，每個s能級有
 
個原子軌道；p電子的原子軌道呈
 
形，每個p能級有
 
個原子軌道．
（2）圖2列出的是一些原子的2p能級和3d能級中電子排布的情況．試判斷，哪些違反了泡利不相容原理，哪些違反了洪特規(guī)則．違反泡利不相容原理的有
 
，違反洪特規(guī)則的有
 
．

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